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光刻作為製造半導體微圖形工藝核心,國產光刻膠發展現新機?
曝光區域的光刻膠發生化學變化，在隨後的化學顯影過程中被去除。最後掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨後的蝕刻 或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的矽片部分進行刻蝕，最後洗去剩餘光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經過多次迭代，聯同其他多個物理過程，便產生集成電路。
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微電子學院馬玲同學成功建立國際首例極坐標系下的顯影缺陷模型
近期，中國科學院大學微電子學院馬玲同學成功在極坐標系下建立浸沒式光刻中規避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小先進光刻工藝中的顯影缺陷，幫助縮短顯影研發周期，節省研發成本，為確定不同條件下最優工藝參數提供建議。
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半導體設備有哪些?如何分類?(前道工藝設備——晶圓製造篇)
以半導體產業鏈中技術難度最高、附加值最大、工藝最為複雜的集成電路為例，應用於集成電路領域的設備通常可分為前道工藝設備（晶圓製造）和後道工藝設備（封裝測試）兩大類。其中的前道晶圓製造中的七大步驟分別為氧化／擴散，光刻，刻蝕，清洗，離子注入，薄膜生長，拋光。
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盛美半導體設備為先進封裝客戶打造晶圓級封裝工藝設備產品系列
盛美的成套定製、高端溼法晶圓工藝設備，可支持實現銅 (Cu) 柱和金 (Au) 凸塊等先進晶圓級封裝工藝，以及矽通孔 (TSV)、扇出（Fan-out ）及小晶片等工藝。設備能力覆蓋完整的工藝流程，包括清洗、塗膠、顯影、電鍍、平坦化、光刻膠去除及溼法蝕刻等。「現今的晶圓級封裝比以前各代更為複雜，需要配備創新技術的溼法工藝設備才能滿足客戶的要求，甚至高於客戶的期望。」
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一文看懂光刻膠
在光刻和蝕刻生產環節中，光刻膠塗覆於晶體薄膜表面，經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到薄膜上，形成與掩膜版對應的幾何圖形。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、塗膠、前烘、對準、曝光、後烘、顯影和蝕刻等環節，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到矽片上。
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從國產晶片到半導體設備細分領域,瀋陽芯源微電子面面觀
《中國製造2025》對半導體設備國產化提出了明確的要求，在2020年之前，90-32nm工藝設備國產化率達到50%，實現90nm光刻機國產化，封測關鍵設備國產化率達到50%，在2025年之前，20-14nm工藝設備國產化率達到30%，實現浸沒式光刻機國產化，國家集成電路基金首期計劃募資1200億元，實際募資1387億元，目前國家集成電路基金二期方案已經上報國務院獲批，計劃募資1500億元
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90%市場被國外廠商壟斷 光刻膠國產化急需提速!-半導體,光刻膠,CPU...
圖形化工藝是半導體製造過程中的核心工藝。圖形化可以簡單理解為將設計的圖像從掩模版轉移到晶圓表面合適的位置。一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟，分別實現了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉移，流程一般分為十步：1.表面準備，2.塗膠，3.軟烘焙，4.對準和曝光，5.顯影，6.硬烘焙，7.顯影檢查，8.刻蝕，9.去除光刻膠，10.最終檢查。
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我國自主研發的北鬥晶片工藝從90nm到28nm
我國自主研發的北鬥晶片工藝從90nm到28nm
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大規模和超大規模集成電路核心材料光刻膠概念股
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光後，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。矽片製造中所用的光刻膠以液態塗在矽片表面，而後被乾燥成膠膜。
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揭秘晶片製造關鍵一環,百億美元市場的光刻膠產業【附下載】| 智...
▲IC 光刻工藝曝光示意圖曝光完成之後為顯影和堅膜，顯影即將在曝光過程中形成的隱性圖形顯示為光刻膠在與不在的顯性圖形，光刻膠層中的圖形就可以作為下一步加工的膜版。一般分為電子束刻蝕和光刻：光刻對材料的平整度要求很高，需要很高的清潔度；電子束刻蝕對平整度的要求不高，但是速度很慢且設備昂貴。離子注入是將特定離子在電場裡加速，然後注入到晶圓材料中用於形成載流子。所有步驟結束後將光刻膠去除，一般分為溼法去膠、幹法去膠、有機溶劑去膠和無機溶劑去膠。2、面板 LCD 光刻工藝面板 LCD 光刻工藝是核心。
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...製造關鍵一環,百億美元市場的光刻膠產業【附下載】| 智東西內參
一般分為電子束刻蝕和光刻：光刻對材料的平整度要求很高，需要很高的清潔度；電子束刻蝕對平整度的要求不高，但是速度很慢且設備昂貴。離子注入是將特定離子在電場裡加速，然後注入到晶圓材料中用於形成載流子。所有步驟結束後將光刻膠去除，一般分為溼法去膠、幹法去膠、有機溶劑去膠和無機溶劑去膠。2、面板 LCD 光刻工藝面板 LCD 光刻工藝是核心。
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廣信材料:PCB油墨業務築根基,光刻膠研發終獲突破
創業板上市公司廣信材料（300537）日前在互動平臺回復稱，公司光刻膠項目研發正在進行中，已經有部分研發成果。公開資料顯示，廣信材料2018年11月與臺灣廣至新材料有限公司籤訂《技術委託開發合同》，委託其研發「印刷電路板柔性基板用等用途的紫外光型正型光刻膠」技術項目，就此步入光刻膠領域。
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AMOLED需要的核心工藝設備曝光機,有幾個了解這麼多……
上光阻→曝光→顯影→顯影后檢查→CD量測→Overlay量測。而在整個流程中，今天OLEDindustry 重心來講講曝光這段核心工藝及其設備。曝光，簡單點說，就是通過光照射光阻，使其感光。然後通過顯影工藝將曝光完成後的圖形處理，以將圖形清晰的顯現出來的過程。而整個光刻工藝，則是將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。曝光機的原理談到曝光，那必不可少就要談到曝光機。
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西湖大學開啟「冰刻2.0」研發，或將極大簡化傳統光刻加工
圖｜在薄至 300 納米的冰上刻畫圖案在微納加工技術中，目前廣泛使用的是基於光刻工藝對材料或原料進行微細加工在這一過程中，光刻膠為非常關鍵的材料。而仇旻團隊所做的就是把光刻膠替換成冰，改稱之為 「冰膠」，並將使用 「冰膠」 替代光刻膠完成微納加工的電子束光刻工藝改稱為 「冰刻」。據仇旻介紹，目前除他和他的學生，全球也在研究此技術的僅有丹麥另一個實驗室團隊。
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中芯國際遭斷供,半導體設備國產替代備選企業有哪些?
此外，公司增加了半導體拋光液、閥門、磁流體部件、16-32 英寸坩堝等新產品的研發和市場開拓力度，產業鏈配套優勢逐步顯現。晶盛機電早年從光伏設備行業起步，逐步進入半導體設備領域，如今又從單一的矽單晶爐設備，向切片、拋光、外延設備等拓展，甚至研發出了第三代碳化矽半導體設備。
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半導體國產化投資機會系列二:光刻膠,半導體製程關鍵材料
上回，富途資訊和大家分享了《半導體國產化投資機會系列一：清洗設備》一篇文章，裡面內容曾提過，華為被美國舉全國之力打壓此事告訴我們一個道理：「如果我們只有一家頂尖的科技公司，但相關配套的產業鏈設備沒有發展起來的話，最終是可能會被拖後腿的。」預計未來，我們會加大對半導體產業鏈的投入和研發，加快了我們國家半導體國產化進程。
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90nm光刻機能做成啥樣的手機?
其實並不是90nm光刻機，準確的來說可以是90nm製作工藝，通過這種工藝，我們可以做出90nm，45nm和28nm的手機晶片，這幾種晶片完全可以涵蓋整個智慧型手機的範圍，有網友擔心會不會回到大哥大時代，其實這種擔心是多餘的，在現代工藝結合90nm的製作工藝情況下，完全可以實現現在的目標。