化學氣相沉積技術解決深盲孔電鍍問題

2021-01-08 hc360慧聰網
化學氣相沉積技術解決深盲孔電鍍問題2008/12/23/8:59來源：慧聰表面處理網

    化學氣相沉積技術

    化學氣相沉積是沉銅工藝方法之－，它是將氣相中的一種組份或多種組份聚積於基體上，並在基體上發生反應，產生固相沉積層。而化學氣相沉積屬於原子沉積類，其基本原理是沉積物以原子、離子、分子等原子尺度的形態在材料表面沉積，形成外加覆蓋層，如果覆蓋層是通過化學反應形成的，則稱為化學氣相沉積（CVD），其過程包括三個階段即：物料氣化、運到基材附近的空間和在基體上形成覆蓋層。該技術發展很快，它所得以迅速發展，是和它的本身的特點分不開的，其特點是：沉積物眾多，它可以沉積金屬；能均勻塗覆幾何形狀複雜的零件，這是它具有高度的分散性；塗層與基體結合牢固；設備簡單操作方便。採用CVD新技術的目的在於解決高縱橫比小孔電鍍問題，提高生產效率和鍍層的均勻性和物化性能及使用壽命。最常用CVD的新技術有脈衝CVD法、超聲波CVD等。

    化學氣相法沉積技術的應用，還必須做大量的工藝試驗，使該項新技術，能在解決高縱橫比深孔或積層式的深盲孔電鍍上起到應有的作用。

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