銀離子電子濃度之接觸為王——3

2021-02-24 電子漿料技術

       各類基礎邏輯首先參看以前的兩篇接觸為王貼。以前說過,我們這正銀接觸機理是不符合傳統半導體三大歐姆接觸機理的,是我們自己找出來的一種銀矽接觸機理。對於這個機理,都是各家實踐,沒有統一公認的機理解釋。

       不管現在有沒統一認識,但大家都默認有更底層的機理,只是現在還沒找到。

        現在由於電池行業各類新型形式出現,各家工藝的不同,對正面金屬化提出很大挑戰,可以說每家都是定製,幾乎沒有可通用的。如果真是如此,那除非電池廠都演化成幾個大廠,同時可以支撐幾個大漿料廠。若是中小還在,那漿料企業做的越大的將越是耗散型的,並不具備生產規模最優化的。那些各有特點的中小會支撐各類大小正銀企業,這就是目前各類企業生存的前提。對於這點技術之外,大家也要清醒認識,這樣的存在不是大工業的標誌。

        回歸到技術本身,千變萬化的電池形式本質都是半導體,變的只是參雜濃度,而參雜濃度背後本質是電子或空穴的濃度,只有這兩個的濃度才對金屬化產能難度。

       對於P型摻硼或鎵形成空穴,缺電子即電子濃度為零,並不是電子為零,而空穴的多少決定了外在方阻的高低。對於N型摻磷或銻,電子富餘狀態,磷的參雜濃度決定了電子濃度,同時也決定了外在的方阻的高低。

       這個矽表面增加了一層或兩層接觸難度的鈍化層,所以有電子濃度鈍化層這個兩個因素是電池端的變化因素。你最好把電子濃度鈍化層材料化學特性,鈍化層結構分布這些參數都搞清楚。

       對於正銀不管你銀粉怎麼調,玻璃怎麼變,最終高溫時至變化了玻璃裡的銀離子濃度而已。由於正銀接觸結構本質就是最終銀矽之間形成銀結晶的通道質量及通道數量,那個銀膠體的通道不是主要通道。

        而這銀結晶的本質是玻璃裡銀離子濃度和矽表面電子還原結晶的產物,所以一路做正銀,你要做的就是如何保證在矽表面電子濃度變化的情況下做到玻璃裡銀離子濃度匹配得到好的接觸結果。

         這裡面的幹擾因素鈍化層,對他腐蝕去除會產生千變萬化的現象幹擾了你對這個接觸本質的認知,因為你總會被現象牽引,一個問題解決引出新的現象問題,再解決再引出,如此相像不斷,無有盡頭。

          

        

         

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