金鑑材料分析 氬離子拋光切割機/CP離子研磨截面拋光儀 LED檢測

1. 設備型號

Gatan 685

技術指標與配置：

（1）功能：具備平面大面積離子拋光、橫截面離子拋光及高精度離子束鍍膜，全面解決高端場 發射電鏡所有制樣需求；

（2）離子槍角度：0°到 + 18°，每隻離子槍可獨立調節；

（3）離子槍束能量：0.1keV~8keV , 可在不同電壓下自動優化離子束束流；

（4）拋光區域面積：平面拋光區域直徑≥10mm，橫截面≥2mm×2mm；

（5）最大樣品尺寸：直徑32mm×高15mm；

（6）冷臺部分：帶有液氮冷臺，以及精確控溫系統，一次加注液氮續航能力6-8小時；

（7）耙材裝置：同時安裝兩種靶材，金靶、鉑靶。

優勢：

具備樣品切割和拋光兩項功能；

配溫控液氮冷卻臺，去除熱效應對樣品的損傷，有助於避免拋光過程中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化；

配碳/鉻鍍膜，對於同一個樣品，可在同一真空環境下完成拋光及鍍膜，防止樣品氧化，可以用於SEM/FIB導電鍍膜樣品製作。

2. 原理

氬離子切割技術是一種利用寬離子束（ 1mm）來切割樣品，以獲得寬闊而精確的電子顯微分析區域的樣品表面製備技術。一個堅固的擋板遮擋住樣品的非目標區域，有效的遮蔽了下半部分的離子束，創造出一個側切割平面，去除樣品表面的一層薄膜。

氬離子拋光技術又稱CP截面拋光技術，是對樣品表面進行拋光，去除損傷層，從而得到高質量樣品，用於在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

3. 性能

樣品粘貼在樣品載臺上的一個獨特的llion+樣品擋板上，便於使樣品準確的定位。系統筒化操作，使樣品可以重複插入樣品臺。

4. 氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優點

機械拋光的缺點

相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優點：

（1）對由硬材料和軟材料組成的複合材料樣品, 能夠很精細地製作軟硬接合部的截面, 而使用傳統方法制樣是很困難的。

（2）比FIB方法的拋光面積更大（~1mm以上）。

5. 寄樣要求

1. 送樣前需要對樣品進行預處理：樣品預磨拋，樣品要磨平，樣品的上下表面要平行，樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平，在顯微鏡下看起來光滑，不粗糙。

2. 金鑑樣品的尺寸要求:

2.1塊狀樣品：以待拋光區域為中心點，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）

2.2粉末樣品：10g以上。

註：具體的樣品要求可諮詢在線業務！

6. 金鑑拋光樣品臺簡介

6.1平面拋光樣品臺

平面拋光的樣品尺寸要求:

塊狀樣品：以待拋光區域為中心點，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）

6.2 截面拋光樣品臺

截面拋光樣品尺寸要求：

不超過擋板大小即可，但拋光區域大概只有檔板中線區域的1mm

7.金鑑設備參數

8. 案例分析

（1）金屬結合面

（2）鋰電池石墨電極截面觀察

（3）鋰電池石墨顆粒平面拋

（4）線路板截面拋光

（5）晶片N極截面拋光

（6）支架鍍層二焊點截面拋光

（7）支架鍍層結構截面拋

（8）頁巖拋光

（9）樣品拋光後顯示出高度孿晶的晶粒

（10） 拋光後的鋯合金的菊池花樣

（11）EBSD歐拉角分布圖

（12）IPFZ 面分布