光刻機研發:哈工大在國家急需時刻從不缺席

2021-03-06 智慧工廠

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哈工大在國家急需時刻從不缺席，現在國家急需光刻機。哈工大的DPP-EUV光源出來，真的是史詩級成果，一流大學就應該有世界頂尖水平，這是哈工大在超精密加工，超精密測量領域幾十年積累的結果！
中科院長春光機所在光刻機所需的透鏡及曝光系統上早已有突破，而最新的消息也顯示，長春光機所在實驗室已經搭建出了一套EUV光源設備。而長春光機所正基於哈工大DPP-EUV光源研製EUV曝光機，預計兩年內可推出。光刻機的兩大核心部件為雙工件臺和曝光系統。

EUV光刻的全稱為極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），其光源主要有2種：
1、一種是DPP-EUV極紫外光源。放電激發等離子體EUV極紫外光源

DPP EUV光源利用放電使負載（Xe或Sn）形成等離子體，輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射淨化能譜，獲得1EUV光。

DPP EUV光源的優點是產生EUV的能量轉換效率高，造價低；缺點是電極熱負載高，產生碎片多，機制複雜，光學器件易於受損，光收集角小。
LPP EUV系統主要包括雷射器、匯聚透鏡、負載、光收集器、掩膜、投影光學系統和晶片。

其原理是利用高功率雷射加熱負載(Xe或Sn)形成等離子體，等離子體輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射淨化能譜，獲得1EUV光。

LPP EUV光源的優點是光源尺寸小，產生碎片或粒子的種類少，光收集效率高以及較容易放大EUV輸出功率。當然它也有缺點，主要是系統設計複雜，價格昂貴。

2、中國科學院上海光機所（哈工大畢業的研究員負責的項目、副所長。神光2的負責人之一）。放電激發等離子體EUV極紫外光源。與荷蘭ASML光刻機公司的是同一種EUV極紫外光源。但是要把它做成為光刻機，還需要2年時間！荷蘭光刻機，目前極紫外光源是美國產，還有一些主要部件是德國等國生產，清洗部件是藍英裝備生產。如果3-5納米光刻機兩年內國產，則華為有救！哈工大功勞舉世無雙！

哈工大在祖國需要的時候能衝上去，這就是軍工大學的擔當！

其實

中國在1977年就成功研究了光刻機。

那個時候，還沒有荷蘭ASML光刻機公司這個公司。

可惜中國80年代，都是造不如買去了。

以前日本人走的是雷射等離子體光源。

荷蘭ASML光刻機公司走的是氣體放電激發等離子體EUV極紫外光源

（哈工大氣體可調諧雷射技術國家級重點實驗室 研究的東西與他們一樣）。
荷蘭人成功了。

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