[文獻名稱]The ambipolar transport behavior of WSe2 transistors and its analogue circuits Nature
P型和N型半導體是組成CMOS的基本元件。
邏輯電路裡有高密度的單極p型和n型半導體
由於兩個極性的電晶體在空間上需要分離製備，工藝十分複雜。
有一些材料有著雙極特性，包括有機/非有機 半導體，有機半導體的載流子遷移率低，石墨烯無帶隙無法做邏輯器件。
WSe2有依賴於厚度的電場屏蔽效應（由於其他電子對某一電子的排斥作用而抵消了一部分核電荷，從而引起有效核電荷的降低，削弱了核電荷對該電子的吸引，這種作用稱為屏蔽作用或屏蔽效應），已經有研究通過託馬斯、費米理論分析其層間耦合作用，人們對WSe2的費米能級移動的認識加深也十分有利於研究WSe2的雙極特性。
從塊狀晶體上剝離WSe2薄片轉移到SiO2/Si wafer上，通過電子束曝光製備點擊，源極和漏極的電極材料為10 nm Ti和 40 nm Au。測量前在含有10%H2的Ar中200℃退火2小時。
圖中是12層WSe2材料導電的電晶體導電特性，圖2中顯示了柵極電壓與漏電流密度的關係，柵極電壓接近0時幾乎無漏電流，而兩個極都有相同方向的漏電流，其對數特性較為明顯的呈現一個V字。一般半導體往往是單一載流子導電，因此其曲線往往整體呈現一條斜線，而WSe2在加正柵壓時由帶負電的電子導電，而家負柵壓時由帶正電的空穴導電，因此呈現出雙極性特性。
隨著材料層數變化其載流子遷移率存在極大值點，圖def可以看出約在10層時載流子遷移率最大。
ab展示了1層和7層材料時，其電學特性隨著溫度變化的特性，隨著溫度增加，載流子的遷移率也整體上升。
uh/ue（空穴和電子的遷移率比） 隨著溫度增加而降低，這是因為空穴散射大大增強使其遷移率降低，而電子散射雖然也增強了，但是對遷移率的影響沒有空穴那麼大。
不同柵壓下的肖特基勢壘，在-20到0v間存在一個極大值點，而-10到0v間則存在一個0點使肖特基勢壘的極性轉換。
外部電場下雙極性WSe2的費米能級移動，通過AFM測試電學特性。b顯示雙極性，但是0點不在0柵壓的狀態下。而表面能則隨著柵極電壓增高而呈現一個近似線性的增長。
將電晶體接入模擬電路，使其分別工作在電子導電和空穴導電的狀態，可以看出，空穴導電時輸出信號與輸入信號同向，而在另一極電子導電時輸出信號與輸入信號存在180°的相位差。