5G、電動車等商機持續興起，國際IDM大廠在當前產能供給吃緊的同時，產能大幅轉向中高壓金氧半場效電晶體（MOSFET）市場，使中低壓MOSFET持續面臨短缺。供應鏈預期，當前中低壓MOSFET狀況將可望延續到2022年。
據Yole 最新發布的的矽MOSFET報告，中國廠商佔矽MOSFET銷售額的38%。
10月23日，捷捷微電近日發布2021年第三季度報告，實現營業收入4.94億元，同比增長74.25%；歸屬於上市公司股東的淨利潤1.49億元，同比增長94.11%；歸屬於上市公司股東的扣除非經常性損益的淨利潤1.37億元，同比增長88.11%。捷捷微電在最新的投資者活動中表示，公司2021年三季報數據比較好的主要原因：從外部因素來看，國家對半導體行業持續的支持和關注；受新冠疫情影響，國外廠商產能不足或交期拉長，國產替代進口程度不斷提高；IPO項目處在較好發揮邊際效應的階段；定增項目增厚存量業務產能利用率穩步提升；公司下遊領域需求旺盛等。關於公司產品的漲價情況，捷捷微電錶示，在晶閘管方面，因部分原材料漲價等因素，今年3月份對產品價格作了調升，到三季度暫無漲價；在MOSFET方面，今年4月初對VDMOS、TRENCHMOS部分產品進行了漲價，第三季度內，部分產品因上遊產能受限等原因，價格上調了50%-60%；在防護器件方面，僅部分佔比不大的ESD產品因之前外協封測漲價，已經提價3%到15%不等。關於公司在手訂單情況，捷捷微電稱，公司現保持著較高的產能利用率，訂單上半年就已經排到了年底。受疫情影響海外工廠的產能不足與交期延後的原因，以及下遊需求端（包括進口替代）增長等因素的影響，就功率半導體產業而言，整個半導體產業的趨勢應該是不錯的，但是由於今年受到「雙控」，整個行業上下遊受到限電的影響，對於政策的持續時間等存在一定的不確定因素，暫時無法估計對公司的影響。另外，富鼎、尼克森及全宇昕等也大廠將持續搭上這波MOSFET缺貨漲價商機，推動2021年全年營運創下新高，且訂單有機會至少一路旺到2022年上半年。5G、電動車市場持續成長，5G、電動車需要搭載大量電源管理IC，其中電動車需要負荷瞬間大電流，因此在MOSFET需要更多數量的中高壓MOSFET，IDM大廠為搶攻這波5G、電動車商機，早已將部分應用在消費性市場的中低壓MOSFET產能移轉至中高壓市場，使中低壓MOSFET供給短缺。而且，IDM大廠在馬來西亞的工廠先前又遭受到當地新冠肺炎疫情影響，使產能全面降載，不僅中高壓MOSFET供給不足，低壓MOSFET缺貨狀況更加嚴重，雖然目前產能逐步恢復，但供應鏈指出，IDM大廠為解決車用電子缺貨荒，產能依舊沒有移轉回中低壓MOSFET。法人表示，進入第四季後，中低壓MOSFET仍舊呈現缺貨漲價格局，預期這波效應將一路延續到2022年，使MOSFET廠大中、傑力、富鼎、尼克森及全宇昕2021年營運將可望創下新高，2022年業績可望持續衝高。另外，富鼎、尼克森及全宇昕等也大廠將持續搭上這波MOSFET缺貨漲價商機，推動2021年全年營運創下新高，且訂單有機會至少一路旺到2022年上半年。MOSFET於1980年左右問世，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效應電晶體，用於將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。1990年左右溝槽結構MOSFET逐步研發成功。2008 年，英飛凌率先推出屏蔽柵功率MOSFET。現在市場主流的MOSFET主要分為四大類：超結MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽柵溝槽 MOSFET和溝槽型 MOSFET。MOSFET是功率半導體的一種，在日常生活中，凡涉及發電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環節的，均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基礎性產品，廣泛應用於國民經濟建設的各個領域。功率半導體主要可以分為功率器件和功率 IC。功率器件屬於分立器件，可進一步分為二極體、電晶體、晶閘管等，其中二極體主要包括TVS二極體、肖特基二極體、整流二極體等，電晶體則主要包括 MOSFET、IGBT、雙極性電晶體Bipolar（也叫三極體）等；功率IC屬於集成電路中的模擬IC，可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅動IC等。在這三種電晶體的市場競爭格局方面，三極體的市場相對比較分散，因其價格低，在少數價格敏感、感性負載驅動等應用中還有一定需求，但由於三極體存在功耗偏大等問題，在全球節能減排的大環境下，其市場規模總體趨於衰退，正在被MOSFET所取代。所以MOSFET和IGBT市場集中度較高。行業人士指出，MOSFET大約佔據整個功率器件市場40%左右的份額。那麼MOSFET為何會佔據如此大市場佔比？諾芯半導體的負責人徐吉程告訴筆者，主要系MOSFET的結構決定的：首先，MOSFET器件是電壓控制型器件，即由電壓控制電流的大小，在應用中容易控制；其次，MOSFET工作頻率高，相比於IGBT和三極體器件，更符合高頻化發展的需求；再次，MOSFET是單一載流子導電（電子），而IGBT和三極體都是多子導電（電子和空穴），所以MOSFET不存在載流子複合效應，因此無電流拖尾等現象發生，更好用。來源：網絡綜合
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