近日在日本進入舉辦的ITF上,IMEC執行長帶來了ASML的最新消息。他表示,ASML已經基本完成作為NXE:5000系列的高NA EUV曝光系統的基本設計。
該系統的NA=0.55,較當前ASML的NA=0.33的第一代EUV光刻機,光刻的精度將會更高。該系統將會十分高大,並有望在2022年商業化。
據了解,NXE:5000系列將面向3nm製程工藝節點,甚至更高精度。據悉,新一代EUV光刻機將採用雙重曝光方案,從而實現3nm晶片生產。
不過,這將造成光刻機製造程序更加複雜,同時也將增加晶片的生產成本。但是,ASML的這一突破,對正在發力更高精度晶片的臺積電、三星來說,絕對是一件益事。
此外,IMEC還展示了3nm、2nm、1.5nm,乃至1nm以下的邏輯器件小型化設計圖,讓人眼前一亮。
通過IMEC的介紹可知,如今ASML已經基本完成了1nm光刻機的設計,這表明1nm晶片離眾人又進了一步。
據相關消息稱,ASML計劃在2023年年中時,推出下代EUV光刻機設備原型。值得注意的是,下代EUV光刻機的要價十分高昂,是當前款式的2-3倍,售價高達4.5億美元(折合人民幣30億元)。
但即便如此,三星、臺積電仍是搶著要。想要攻克3nm、2nm晶片,更先進的EUV光刻機必不可少,為贏得技術領先,二者自然不惜砸下巨資。
據Business Korea報導,ASML執行長Peter Wennink近日訪問三星半導體廠,與三星共同商討EUV光刻設備的供給與發展合作案。
據報導,三星希望能同ASML組成科技聯盟,從而拿到更多的新一代光刻設備。目前,ASML大部分EUV光刻機都進入了臺積電的口袋,臺積電曾表示,其已經安裝了全球將近5成的激活光刻機。
而在近日,臺媒又傳來消息稱,臺積電採購了35臺EUV設備。並且在2021年年末,臺積電採購總量將在50臺以上。這給三星的發展帶來了不小的壓力,畢竟三星早有想要超越臺積電的想法。
為了實現反超,三星自然需要更多的先進光刻機。而對ASML來說,新一代EVU設備需要不小的研發投入,與三星合作將獲得資金上的支持,也不失為一件益事。
如今三星已經出手,而臺積電自然也不會坐以待斃。為保住自身的領先優勢,臺積電將作出怎樣的行動,十分令人期待。
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文/BU 審核/子揚 校正/知秋