科技的快速發展，催生出了5G、AI、雲計算、物聯網等多種行業，行業雖不同，但都需要晶片作為核心驅動。要知道，晶片行業是一個非常龐大的產業鏈，其中包含設計企業、製造企業和晶片製造核心設備的生產企業，西方對國產晶片的卡脖子，讓光刻機成了業內比較受關注的話題。
光刻機是晶片製造過程中最為核心的設備，直接影響到了晶片的製造工藝，工藝越先進，同等面積下的晶片越能集成更多的電晶體，電晶體數量決定著晶片的性能及功耗的控制。想要實現更先進的晶片工藝，就需要更高端的光刻機，而在這方面，荷蘭光刻機巨頭AMSL是全球光刻機領域金字塔最頂端的企業。
近日，與ASML一直合作研發EUV光刻技術的歐洲微電子研究中心IMEC表示，ASML已經完成了高NA EUV曝光系統的基本設計（NA=0.55），也就是1nm的光刻設備，預計在2022年實現商業化。作為ASML最大的客戶，為搶佔先機，臺積電正式宣布進軍1nm。不少網友紛紛表示，沒想到這麼快。
因為摩爾定律的緣故，1nm之後晶片製造技術很可能會陷入物理瓶頸，不少網友會產生這樣的疑慮，晶片工藝要捅到天花板了嗎？雖然歐洲微電子表示將會繼續研發亞1nm級的光刻機，製造可持續發展的微處理器。但當晶片進入亞1nm後，晶片的研發投入將會成指數增長，同時良品率也將難以提升，生產出來的晶片將不具備市場推廣價值。
想要研發性能更強的晶片，需要尋找全新的晶片製造技術才是最高效的途徑。而在這方面，我國早已開始布局！
傳統的晶片，不管是5nm、3nm、2nm還是1nm，都是基於矽基材料，再往後發展，就是另一個時代，碳基晶片時代。
所謂的碳基晶片，與矽基晶片最大的不同就是製造晶片所使用的材料不一樣，這也導致碳基晶片具備矽基晶片所不具備的特性。比如用石墨烯做成碳納米管，再用碳納米管做成電晶體，它的電子遷移率可以達到矽的1000倍。除此之外，碳納米管理的電子活動更自由，不容易發熱。這就導致同樣工藝的碳基晶片是矽基晶片性能的10倍，功耗也更優秀。
而製造碳基晶片最核心環節並不是高端EUV光刻機，而是製造碳基晶片的基礎材料。在這方面，我國早有布局。要知道，中國石墨烯綜合發展實力連續五年穩居世界榜首，不管是創新實踐還是產業布局，我國均走在了世界最前列。今年10月，中科院上海微系統所科研團隊推出了國產8英寸石墨烯單晶晶圓，不管尺寸還是質量，我國均處於世界領跑水平，並已經實現了小批量產。
相信未來幾年，我國在晶片製造領域，我國完全有實力實現彎道超車。如果喜歡我的文章，歡迎「長按三連」！