靶材是製備薄膜的主要材料之一,主要應用於集成電路、平板顯示、太陽能電池、記錄媒體、智能玻璃等,對材料純度和穩定性要求高。濺射靶材的工作原理:濺射是製備薄膜材料的主要技術之一,它利用離子源產生的離子,在真空中經過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發生動能交換,使固體表面的原子離開固體並沉積在基底表面,被轟擊的固體即為濺射靶材。靶材發展趨勢是:高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、高純金屬。
終端應用:
1)半導體晶片:單元器件中的介質層、導體層與保護層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。
2)平板顯示器件:為了保證大面積膜層的均勻性,提高生產率和降低成本,濺射技術鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料;
3)薄膜太陽能電池——第三代,濺射鍍膜工藝是被優先選用的製備方法,靶材是不可或缺的原材料;
4)計算機儲存器:磁信息存儲、磁光信息存儲和全光信息存儲等。在光碟、機械硬碟等記錄媒體,需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。
加速國產替代的原因:
2015 年 11 月,五部委聯合發布的《關於調整集成電路生產企業進口自用生產性原料,消耗品,免稅商品清單的通知》規定:進口靶材的免稅期到 2018 年年底結束。進口靶材免稅期結束有利於加快國產靶材供應本土化速度,提升本土靶材的市場滲透率。
市場空間:
濺射靶材在半導體材料中佔比約為2.5-3%,根據SEMI的統計數據,2016-2018年全球半導體晶片用濺射靶材產值從6.7億美元增長至8億美元,複合增長率為9.3%。
因為濺射靶材跟晶圓產量相關,所以預計2019年靶材市場越48億,其實看幾個龍頭公司業績就可以看出。
2017-2020年間,全球將新增半導體產線62條,其中26條新增產線在中國大陸,佔比42%。隨半導體產業鏈繼續向國內轉移,將推動國產化靶材市場進一步增長。
因為下遊對價格壓力,上遊成本降低困難,再加上結束免稅,使得進口成本上升,所以後面很多企業會漸漸退出這個市場,龍頭效應將會明顯。
大基金二期有望支持:
大基金二期或將加碼上遊材料,靶材等核心材料或將受益。目前大基金一期對半導體上遊材料投資佔比不到4%,且投資標的數量相對有限,大基金二期將加大對半導體上遊設備和材料的投入度,打破半導體材料長期海外壟斷的格局,實現半導體材料本土化。
按照半導體材料佔比產業9%,靶材佔比材料3%比例測算,靶材行業有望獲得超過30億元投資支持,直接利好行業龍頭公司。
重點企業:江豐電子、有研新材