MOS管耗散功率的計算

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具體是指MOS元件的容許損失，可從產品的熱阻上求得。當Tc=25度時，通過附加最大容許損耗Pd，則變為Tc=150度max. Pd=（Tcmax-Tc）/Rth（ch-c）

MOS管大功率和小功率也只是一個相對的說法，就比如我們平時說高個子可能是1.7，1.8，也可能是1.9；那矮個子可能是1.4，1.5，也可能是1.7，1.8，對於高度為2.0的人來說。

一般來講，電流大於10A的，電壓高於500V的可以稱為大功率，但不絕對。

MOS的功耗是指MOS在電路應用中的損耗，比如導通損耗，開關損耗等，當然設計及應用的時候這個值一定是遠小於MOS管的Pd. 

MOS管耗散功率的計算

在條件相同的情況下，降低開關頻率一定可以降低MOS的功耗。  

MOS管的功耗主要有開關損耗和通態損耗。 

首先要計算通態損耗的影響。Pcond=Idsrms*Idsrms*RDSon*Dmax， 

例如：Idsrms=11A時，Dmax接近100%，RDSon取8豪歐，Pcond約1W。 

再估算開關損耗。PSW=VDSoff*Idsrms*（tr+tf）*f/2。 例如：tr+tf=600ns，f=15625，VDSoff取24V，PSW=1.24W 

Pmos=Pcond+PSW=2.24w。 

如果MOS採用單個IRF3205 ，不加散熱片時的熱阻是62度/W。此時的溫升是62*2.24=138度。 所以不管其他的條件，在這應用裡必須加裝良好的散熱器。 

由開關損耗的公式可以看出，反電動勢的抑制的確是重要的，必須採用足夠容量的低ESR的電解電容安裝在MOS附件吸收反電動勢，由於流過該電容的電流波紋很大，電容容易發熱。 如果反電動勢吸收不好，還會造成MOS關斷不良的情況，需要用示波器實際觀察。

MOS管功耗計算

計算功率耗散 

要確定一個MOSFET場效應管是否適於某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括阻抗耗散和開關耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING 

由於MOSFET的功率耗散很大程度上取決於其導通電阻（RDS（ON）），計算RDS（ON）看似是一個很好的著手之處。但MOSFET的導通電阻取決於結溫TJ。返過來，TJ又取決於MOSFET中的功率放大器耗散和MOSFET的熱阻（ΘJA）。這樣，很難確定空間從何處著手。由於在功率耗散計算中的幾個條件相互依賴，確定其數值時需要迭代過程（圖1）。

這一過程從首先假設各MOSFET的結溫開始，同樣的過程對於每個MOSFET單獨進行。MOSFET的功率耗散和允許的環境溫度都要計算。

當允許的周圍溫度達到或略高於電源封裝內和其供電的電路所期望的最高溫度時結束。使計算的環境溫度儘可能高看似很誘人，但這通常不是一個好主意。這樣做將需要更昂貴的MOSFET、在MOSFET下面更多地使用銅片，或者通過更大或更快的風扇使空氣流動。所有這些都沒有任何保證。 

在某種意義上，這一方案蒙受了一些「回退」。畢竟，環境溫度決定MOSFET的結溫，而不是其他途徑。但從假設結溫開始所需要的計算，比從假設環境溫度開始更易於實現。 

對於開關MOSFET和同步整流器兩者，都是選擇作為此迭代過程開始點的最大允許裸片結溫（TJ（HOT））。大多數MOSFET數據參數頁只給出25°C的最大

RDS（ON），，但近來有一些也提供了125°C的最大值。MOSFETRDS（ON）隨著溫度而提高，通常溫度係數在0.35%/°C至0.5%/°C的範圍內（圖2）。如果對此有所懷疑，可以採用更悲觀的溫度係數和MOSFET在25°C規格參數（或125°C的規格參數，如果有提供的話）計算所選擇的TJ（HOT）處的最大RDS（ON）：RDS（ON）HOT=RDS（ON）SPEC×［1+0.005×（TJ（HOT）？TSPEC）］ 

其中，RDS（ON）SPEC為用於計算的MOSFET導通電阻，而TSPEC為得到RDS（ON）SPEC的溫度。如下描述，用計算得到的RDS（ON）HOT確定MOSFET和同步整流器的功率耗散。討論計算各MOSFET在假定裸片溫度的功率耗散的段落之後，是對完成此迭代過程所需其他步驟的描述。

同步整流器的耗散 

對於除最大負載外的所有負載，在開、關過程中，同步整流器的MOSFET的漏源電壓通過捕獲二極體箝制。因此，同步整流器沒有引致開關損耗，使其功率耗散易於計算。需要考慮只是電阻耗散。 

最壞情況下損耗發生在同步整流器負載係數最大的情況下，即在輸入電壓為最大值時。通過使用同步整流器的RDS（ON）HOT和負載係數以及歐姆定律，就可以計算出功率耗散的近似值：

PDSYNCHRONOUSRECTIFIER=［ILOAD2×RDS（ON）HOT］×［1》-（VOUT/VIN（MAX））］ 

開關MOSFET的耗散 

開關MOSFET電阻損耗的計算與同步整流器的計算相仿，採用其（不同的）負載係數和RDS（ON）HOT：PDRESISTIVE=［ILOAD2×RDS（ON）HOT］×（VOUT/VIN） 

由於它依賴於許多難以定量且通常不在規格參數範圍、對開關產生影響的因素，開關MOSFET的開關損耗計算較為困難。在下面的公式中採用粗略的近似值作為評估一個MOSFET的第一步，並在以後在實驗室內對其性能進行驗證：PDSWITCHING=（CRSS×VIN2×fSW×ILOAD）/IGATE 其中CRSS為MOSFET的反向轉換電容（一個性能參數），fSW為開關頻率，而IGATE為MOSFET的啟動閾值處（柵極充電曲線平直部分的VGS）的MOSFET柵極驅動的吸收電流和的源極電流。 

一旦根據成本（MOSFET的成本是它所屬於那一代產品的非常重要的功能）將選擇範圍縮小到特定的某一代MOSFET，那一代產品中功率耗散最小的就是具有相等電阻損耗和開關損耗的型號。若採用更小（更快）的器件，則電阻損耗的增加幅度大於開關損耗的減小幅度;而採用更大（RDS（ON）低）的器件中，則開關損耗的增加幅度大於電阻損耗的減小幅度。 

如果VIN是變化的，必須同時計算在VIN（MAX）和VIN（MIN）處的開關MOSFET的功率耗散。MOSFET最壞情況下功率耗散將出現在最小或最大輸入電壓處。耗散為兩個函數的和：在VIN（MIN）（較高的負載係數）處達到最大的電阻耗散，和在VIN（MAX）（由於VIN2的影響）處達到最大的開關耗散。最理想的選擇略等於在VIN極值的耗散，它平衡了VIN範圍內的電阻耗散和開關耗散。 

如果在VIN（MIN）處的耗散明顯較高，電阻損耗為主。在這種情況下，可以考慮採用較大的開關MOSFET，或並聯多個以達到較低的RDS（ON）值。但如果在VIN（MAX）處的耗散明顯較高，則可以考慮減小開關MOSFET的尺寸（如果採用多個器件，或者可以去掉MOSFET）以使其可以更快地開關。 

如果所述電阻和開關損耗平衡但還是太高，有幾個處理方式：

改變題目設定。例如，重新設定輸入電壓範圍;改變開關頻率，可以降低開關損耗，且可能使更大、更低的RDS（ON）值的開關MOSFET成為可能;增大柵極驅動電流，降低開關損耗。MOSFET自身最終限制了柵極驅動電流的內部柵極電阻，實際上局限了這一方案;採用可以更快同時開關並具有更低RDS（ON）值和更低的柵極電阻的改進的MOSFET技術。 

由於元器件選擇數量範圍所限，超出某一特定點對MOSFET尺寸進行精確調整也許不太可能，其底線在於MOSFET在最壞情況下的功率必須得以耗散。 

熱阻 

再參考圖1說明，確定是否正確選擇了用於同步整流器和開關MOSFET的MOSFET迭代過程的下一個步驟。這一步驟計算每個MOSFET的環境空氣溫度，它可能導致達到假設的MOSFET結溫。為此，首先要確定每個MOSFET的結與環境間的熱阻（ΘJA）。 

如果多個MOSFET並聯使用，可以通過與計算兩個或更多關聯電阻的等效電阻相同的方法，計算其組合熱阻。熱阻也許難以估計，但測量在一簡單PC板上的單一器件的ΘJA就相當容易，系統內實際電源的熱性能難以預計，許多熱源在競爭有限的散熱通道。 

讓我們從MOSFET的ΘJA開始。對於單晶片SO-8MOSFET封裝，ΘJA通常在62°C/W附近。對於其他封裝，帶有散熱柵格或暴露的散熱條，ΘJA可能在40°C/W和50°C/W之間（參見表）。計算多高的環境溫度將引起裸片達到假設的TJ（HOT）：TAMBIENT=TJ（HOT）-TJ（RISE） 

如果計算的TAMBIENT比封裝最大標稱環境溫度低（意味著封裝的最大標稱環境溫度將導致超過假設的MOSFETTJ（HOT）），就要採取以下一種或所有措施： 提高假設的TJ（HOT）（HOT，但不要超過數據參數頁給出的最大值;通過選擇更合適的MOSFET，降低MOSFET功率耗散;或者，通過加大空氣流動或MOSFET周圍的銅散熱片面積降低ΘJA。

然後重新計算。採用電子數據表以簡化確定可接受的設計所要求的典型的多重疊代。 

另一方面，如果計算的比封裝最大標稱環境溫度高得多，就要採取以下一種或所有措施： 

降低假設的TJ（HOT）;減少用於MOSFET功率耗散的銅散熱片面積;或者，採用不那麼昂貴的MOSFET。 

這些步驟是可選的，因為本案例中MOSFET不會由於超過設定溫度而損壞。然而，在TAMBIENT比封裝的最大溫度高時，這些步驟可以減小板面積和成本。 該過程中最大的不準確性來源於ΘJA。仔細研讀ΘJA規格參數相關的數據頁說明。典型的規格說明假設器件安裝於1平方英寸的2盎司銅片。銅片承擔了大部分的散熱，而銅片的大小對ΘJA有顯著影響。 

例如，採用1平方英寸的銅片，D-Pak的ΘJAD-Pak可能是50°C/W。但如果銅片就設在封裝引腳下，ΘJA值將會加倍（參見表）。採用多個並聯MOSFET，ΘJA主要依賴於它所安裝的銅片面積。兩個元器件的等效ΘJA可能是只有一個元器件時的一半，除非銅片的面積加倍。就是說，增加並聯MOSFET而不同時增加銅片面積，將使RDS（ON）減半，但對ΘJA的改變小得多。 

最後，ΘJA的規格參數假設銅片散熱面積不需考慮其他元器件的散熱。在高電流時，在功率路徑上的每個元件，甚至是PC板上的銅材料都會產生熱量。為避免對的MOSFET過度加熱，需要仔細計估算實際物理環境能達到的ΘJA值;研究所選擇的MOSFET提供的熱參數信息;檢查是否有空間用於增加額外的銅片、散熱器和其他器件;確定增加空氣流動是否可行;看看在假設的散熱通道有沒有其他明顯的熱源，並要估算一下附近元件和空間的加熱或冷卻作用。

三極體耗散功率的定義及計算方法

三極體耗散功率也是三極體集電極耗散參數PCM。是指為了使三極體安全工作對它的工作電壓、電流與功率損耗的限制。

PCM決定於電晶體的溫升。當矽管的溫度大於150度、鍺管的溫度大於70度時，管子損壞特別明顯，甚至燒毀。

如何計算三極體耗散功率

對於確定型號的電晶體，Pcm是一個確定值，即Pcm=ic*Uce=常數。

耗散功率和輸出功率沒有直接關係，是管子自身所能承受的損耗功率，影響到輸出的效率；另外，需要特別注意的是，對於大功率的電晶體的PCM，應特別注意測試條件，對於散熱條件不滿足時，器件所能承受的PCM小於規格值。

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