臺積電在半導體生產上處於全球領先地位,但其背後最重要的合作夥伴 ASML(艾司摩爾),其 EUV 光刻機(光刻機)所帶來的優勢功不可沒。
臺積電在今年的技術論壇公布了目前所有的製作工藝細節,包括5納米、3納米和改良版的12納米技術等等,這些晶片製造工藝將在未來幾年影響整個晶片製造業!
但除了研發能力之外,同步擁有尖端製造技術的臺積電,背後有個近年來才獲得巨大關注的重要夥伴:ASML(艾司摩爾)。ASML 的 EUV 極紫外光微影技術光刻機,幫助臺積電在製作工藝上得到領先,甚至左踢三星、右踢 Intel、雙拳猛打格羅方德。
臺積電目前擁有 ASML 總量一半的 EUV 光刻機,並達成整個半導體產業,累計總共 60% 的 EUV 晶片產量。
以先前 ASML 的季度財報來看,目前該公司總共生產了約 70 臺左右的 EUV 光刻機,等於至少有 35臺交付給了臺積電使用,而且已經安裝上線。格羅方德先前購買了兩臺光刻機,後來因放棄7納米製作工藝而出售;中國中芯國際先前也下單了一臺,不過後來由於美中貿易戰因素,至今仍無法安裝。
臺積電、三星、Intel 共搶機器
ASML 是全世界唯一生產和銷售 EUV 光刻機設備的公司,預計在 2020 年底達到 EUV 光刻機總出貨量 90 臺的目標,但已經收下的訂單卻高達 49 個.每一季的生產目標跟先前預測亦有所落差,顯然光刻機的製造速度,仍遠遠慢於市場需求。
與過去的 DUV(深紫外光微影)光刻機相比,EUV 光刻機的吞吐量相對較低,每小時可曝光約 120 片~175 片晶片,目前技術改良後則提升到 275 片,但是,由於 1 層 EUV 晶片通常可以代替 3 到 4 層 DUV 晶片,所以生產效率反而更高。對於半導體代工廠來說,擁有更多 EUV 光刻機,就等於增加更多晶片數量,產能也可以相應得到提升。
臺積電 N7P(改良型 7 納米)是該公司利用 EUV 極紫外光微影達成的第一個技術節點,未來 N5、N3 等先進位作工藝,將會更依賴 ASML 的 EUV 光刻機。而除了臺積電之外,三星的 7LPP 跟未來製作工藝,也會對 EUV 設備產生更大需求,更別提未來將進步到 7 納米製作工藝的 Intel。
未來臺積電、三星與 Intel,會如何跟 ASML 爭搶 EUV 光刻機訂單,或許將左右著先進科技的關鍵發展。