中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷?

2020-12-08 電子發燒友

中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷？

雪花 發表於 2020-12-02 10:10:18

近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，已經5nm ASML的壟斷，對此相關人士也是進行了回應。

據報導稱，該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前公開回應稱，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。

按照劉前的說法，如果超高精度雷射光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，則有望提高我國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。這一技術在智慧財產權上是完全自主的，成本可能比現在的還低，具有產業化的前景。

但是，即便這一技術實現商用化，要突破荷蘭ASML（阿斯麥）在光刻機上的壟斷，還有很多核心技術需要突破，例如鏡頭的數值孔徑、光源的波長等。

據悉，高端掩模版在國內還是一項「卡脖子」技術。在半導體領域，除了英特爾、三星、臺積電三家能自主製造外，高端掩模版主要被美國的Photronics、大日本印刷株式會社（DNP）以及日本凸版印刷株式會社（Toppan）三家公司壟斷，根據第三方市場研究機構前瞻產業研究院的數據，這三家公司的市場份額佔到全球的82%。

一直以來，業界都在嘗試另一條技術路線，例如華裔科學家、普林斯頓大學周鬱在1995年首先提出納米壓印技術，目前仍無法突破商用化的困境

目前的現狀是，沒有一個國家能夠獨立自主完成光刻機的製造，中國以一國之力，短期內要突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷，幾乎是不可能的事情。
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