眾所周知,今年7月份的時候,網上傳出一則重大消息,那就是中科院發布了一篇文章《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》,這篇文章介紹了中科院團隊研發的一種新型的5nm超高精度雷射光刻加工方法。
於是網友們沸騰了,把它與5nm光刻機聯繫起來,說中國有了5nm光刻技術,打破了ASML的封鎖,還有什麼彎道超車,不需要極紫外錢也能實現5nm等等。
但當時,中科院沒有對這些傳聞做太多的回應,但在近日,該項目的研發者之一,中科院研究員、博士生導師劉前面對媒體採訪時表示,這是一個誤讀,這一技術與極紫外光刻機技術是兩回事。
我們知道晶片的製造過程,是先通過雷射把晶片設計圖寫到光掩膜板上,再通過光刻機,把光掩膜板上的電路圖投射到塗有光刻膠的矽晶圓表面,形成電路圖。
每一顆晶片,都需要一套光掩膜板,可以說掩膜板就是光刻機在製造晶片時的母板,也是光刻工序前的一項工作,更是晶片製造過程中必不可少的一個的一個步驟。
而中科院研發的5nm超高精度雷射光刻加工方法,它的主要用途是製作光掩模。而EUV光刻機是設備本身製造出極紫光線,然後再利用極紫光線投射光掩膜板,進行光刻。
可以說兩種技術完全兩碼事,用途完全不一樣,類型也完全不一樣,兩者的關係是晶片製造過程中的前後工序,所以所謂的突破ASML的封鎖真的就是個誤會。
當然,目前國內製作的掩模版主要是中低端的,裝備材料和技術大多來自國外,而中科院的這一技術,有望提高國內的技術水平。
不過要注意的是,目前這項技術更多的還是處於理論上的,要實現真正的商用,還有很大一段距離,雖然意義非凡,但大家且慢激動,更不需要沸騰。