中科院5nm光刻技術突破西方壟斷,實情是怎樣的呢?

2020-12-05 騰訊網

中國科學院早前發表論文，介紹最新研發的一種「5納米超高精度雷射光刻加工方法」，燃起國內晶片業起飛的希望。但事實證明仍空歡喜一場，負責撰寫的中科院學者昨日（1日）開腔，形容是外界誤讀。

該篇論文7月發表，隨後在國際知名期刊《納米通訊》（Nano Letters）刊登。中科院當時發新聞稿稱：研究團隊針對雷射微納加工中所面臨的實際問題出發，解決高效和高精度之間的固有矛盾，開發的新型微納加工技術在集成電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現廣闊的應用前景。

消息受到中國媒體廣泛關注，部分報導更形容該技術將助中國完全擺脫西方的限制，「突破荷蘭光刻機生產企業阿斯麥（ASML）的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要極紫外光刻技術（EUV）光刻機就能製作出5納米製程的晶片」。但不久後，中科院就將新聞稿從官網刪除。

論文通訊作者、中科院研究員劉前解釋，這是一個誤讀，新技術與極紫外光刻技術是兩回事。集成電路線寬是指由特定工藝決定的所能光刻的最小尺寸，常說的28納米、40納米這類尺寸主要由光源波長和數值孔徑決定，掩模上電路版圖的大小也有影響。

目前主流28納米、40納米、65納米線寬製程採用的都是浸潤式微影技術（波長為134納米）。但到了5納米這樣的先進位程，由于波長限制，浸潤式微影技術無法滿足更精細的製程需要。

劉前進一步指，極紫外光刻技術解決的主要是光源波長的問題，其以波長為10納米至14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。至於中科院研發的5納米超高精度雷射光刻加工方法，主要用途是製作光掩模，這是集成電路光刻製造中不可缺少的一個部分，也是限制最小集成電路線寬的瓶頸之一。

如果5納米超高精度雷射光刻加工技術能夠用於高精度掩模板的製造，也有望提高中國掩模板的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。但即使這技術能實現商用化，要突破荷蘭ASML在光刻機上的壟斷，還有很多核心技術需要突破，例如鏡頭的數值孔徑、光源的波長等。

相關焦點

  • 中科院5nm光刻技術突破西方壟斷?實情是這樣
    中國以舉國之力投入晶片（晶片）研製，但作為生產高端晶片的必要設備，最先進的光刻機仍由西方壟斷。 中國科學院早前發表論文，介紹最新研發的一種「5納米超高精度雷射光刻加工方法」，燃起國內晶片業起飛的希望。 但事實證明仍空歡喜一場，負責撰寫的中科院學者昨日（1日）開腔，形容是外界誤讀。
  • 中科院再傳喜訊，打破西方技術壟斷，或將突破5nm光刻機技術
    我們都知道，我國在科技技術上的起步要晚於西方國家，但也讓我國的科技發展遇到了限制，那就是他們對我國進行封鎖。雖然我國華為研發出了5G，但要想有高端的晶片還是離不開光刻機的支持。據了解，我國的中科院再次傳來喜訊，更是打破了西方的技術壟斷，或將突破荷蘭的5nm光刻機技術！
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷?事實殘酷卻又是把雙刃劍
    中科院突破5nm光刻技術壟斷？中科院研發的5nm超高精度雷射光刻加工方法的主要用途是製作光掩模，因為目前國內製作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外。消息一出，網友熱情開始冷卻，但此事其實是把雙刃劍，一方面，5nm晶片設備的掣肘依然存在；另一方面，最少說明我們在5nm相關的光刻領域又前進了一步，一口氣吃不成胖子，腳踏實地才能在5G時代打造出100%的國產晶片。
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷？事實殘酷卻又是把雙刃劍
    （記者 陳洲）這半年來，關於中科院「突破ASML的壟斷」、「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」的消息刷爆了自媒體圈。然而，情況真是這樣嗎？《財經》新媒體近日的報導道出了事實真相：今年7月，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文，介紹了該團隊研發的新型5 納米超高精度雷射光刻加工方法。
  • 中科院公開發聲:打破ASML5nm光刻機壟斷,這是誤讀
    聯繫到中科院要布局光刻機，把光刻機，晶片等技術列為科研清單，讓國內一眾民眾歡呼雀躍。而且之前中科院網站上也發布了一篇關於「5nm光刻技術獲突破」的論文更是讓網友沉不住氣了，紛紛發布國產光刻機突破5nm，打破ASML 5nm光刻機壟斷等話題。認為中國已經能打造出能生產5nm晶片的EUV光刻機了。
  • 中科院研發者回應5nm光刻技術突破ASML壟斷:這是一個誤讀
    近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，該團隊已經突破了5nm ASML的壟斷，對此相關人士也是進行了回應。據《財經》報導稱，該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前公開回應稱，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。按照劉前的說法，如果超高精度雷射光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，則有望提高我國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。
  • 中科院5nm光刻技術，突破ASML壟斷？看研發者是怎麼說的
    眾所周知，今年7月份的時候，網上傳出一則重大消息，那就是中科院發布了一篇文章《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》，這篇文章介紹了中科院團隊研發的一種新型的5nm超高精度雷射光刻加工方法。於是網友們沸騰了，把它與5nm光刻機聯繫起來，說中國有了5nm光刻技術，打破了ASML的封鎖，還有什麼彎道超車，不需要極紫外錢也能實現5nm等等。
  • 中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷
    《納米快報》（Nano Letters）上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發的新型 5 納米超高精度雷射光刻加工方法。
  • 「5 nm光刻技術」被誤讀,中科院研究者講訴真相
    今年7月，中國科學院官網上發布了一則研究進展，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap
  • 中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷,真相是這樣的!
    近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，已經5nm ASML的壟斷，對此相關人士也是進行了回應。
  • 中科院研究員闢謠：5nm光刻技術被誤讀，國產水平在180nm
    今年 7月份，中科院發表的一則《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文引起了廣泛的關注。當時，華為正被美國打壓，中國晶片產業成為了國人的心頭憂慮。有媒體將其解讀為「中國不用EUV光刻機，便能製造出5nm晶片」，但事實並非如此。近日，該論文的通訊作者劉前在接受《財經》記者採訪時，作出了解答。
  • 中科院5nm光刻技術研發成功,但有人卻不看好,這是為什麼?
    還有人認為這個技術的突破確實非常鼓舞人心，畢竟晶片一直是我國一個心頭痛，一直以來很多西方國家都對我國晶片進行技術封鎖，特別最近兩年我國很多科技企業都被歐美一些國家進行打壓，比如華為因為受到限制有可能連自己的晶片都沒法生產出來，這些經歷是非常慘痛的。而我國之所以沒法製造出自己高端的晶片，最核心的一個零部件就是光刻機，目前國自主研發的光刻機跟國際頂尖水平還是有很大的差距的。
  • 突破ASML壟斷?中科院5nm雷射光刻加工方法被誤讀
    近日，《財經》雜誌發文澄清了一個關於中科院光刻技術突破ASML的誤讀傳言。事情可以追溯至今年7月，中國科學院官網上發布了一則研究進展相關消息，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發表了一篇題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super－resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發的「
  • 中科院的5nm光刻技術,和ASML的5nm光刻機是兩碼事
    但這麼重要的設備，國內水平較為落後，目前還在90nm節點，只能用於90nm晶片的製造，屬於低端產品，而ASML最強，可用於5nm晶片的生產，中間隔了10年以上的技術。但重要的是當晶片進入到7nm時，必須要用到EUV光刻機，即紫外線光刻機，波長為19.3nm的光源，這種光刻機只有ASML能夠製造，而中國芯要實現7nm或以下技術，就得看ASML的臉色，要看對方賣不賣EUV光刻機給你。
  • 突破5nm光刻技術瓶頸，中科院再次傳來好消息，中國芯未來可期
    最近，中科院再次傳來好消息，我國的光刻技術有了新的突破，有了先進的光刻技術，未來中國人通過光刻機就可以研發自己的晶片5nm光刻技術獲重大突破不得不說，2020年是一個神奇的年份，我國先是成功研製出了28nm的光刻機，後來經過多次試驗又突破了10nm和7nm的光刻技術，而在最近，世界上最頂尖的5nm光刻技術也被我國科學家成功突破。
  • 中國5納米光刻機關鍵技術被攻克,未來將會打破壟斷嗎
    他們突破了5nm光刻機的製造工藝，他們能有這麼樣的好成績，也是離不開強有力地支持半導體領域的研究與開發，所以才湧現出了華為，中芯國際，中興通訊等優秀公司，我們已經在晶片設計，研究和開發方面擁有最先進的技術。
  • 中科院迎來好消息,5納米光刻機關鍵技術被攻克,要打破壟斷了嗎
    今天跟大家聊一聊：中科院再次傳來好消息，他們突破了5納米光刻機的製造工藝，這次真的要打破荷蘭ASML長達幾十年的壟斷了嗎？可能很多人會覺得詫異，目前最為先進的技術都已經達到了5納米，我們僅僅只有28納米還有什麼可值得開心的呢？其實我們可以換位思考一下，一旦西方國家全面禁止提供光刻機給我們，我們也能夠憑藉著目前的科技，生產出相應的晶片，也不至於說完全斷供。我們的目的並不是止步於此，就在近期，中科院再次傳來了好消息，另闢蹊徑攻克了5納米光刻機的關鍵技術。
  • 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷?
    打開APP 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷？ 雪花 發表於 2020-12-02 10:10:18 近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，已經5nm ASML的壟斷
  • 中科院研究員澄清5nm光刻機技術為誤讀，國產水平在180nm
    」論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前在接受媒體採訪時澄清，這一技術與高端光刻機採用的極紫外光刻技術（EUV）是兩回事。5nm光刻技術獲突破的新聞，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子暘研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在《納米外報》上發表了一篇研究論文，述了該團隊開發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法。
  • 中科院正式確認,晶片設計突破2nm,但光刻機才是關鍵
    ：在中科院眾多院士的不懈努力下，我國自主研發的晶片技術在關鍵技術上有了重大突破，晶片設計突破2nm。臺積電目前也只能5nm工藝製程生產，中芯國際也只能14nm的製程工藝，中科院突然發力，突破2nm技術這給我們的中國科技帶來春天。雖然我們在晶片突破了2nm技術，但是晶片能夠得到量產還有最大的因素那就是光刻機設備。