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近年來,中國經濟發展的同時,一直都比較注重在各個領域的科學研究,通過我國眾多科學家的不懈努力,我國也在很多領域都取得了不小的成就,但與此同時,我國的科技發展也經常遭到其他國家的技術封鎖,一些比較前沿的科技我們一直難以攻克,比如一枚小小的晶片,我國的華為企業此前就曾多次遭到美國的晶片制裁,給華為造成了巨大的損失。
最近,中科院再次傳來好消息,我國的光刻技術有了新的突破,有了先進的光刻技術,未來中國人通過光刻機就可以研發自己的晶片,從此在晶片領域將不再受制於人。
5nm光刻技術獲重大突破
不得不說,2020年是一個神奇的年份,我國先是成功研製出了28nm的光刻機,後來經過多次試驗又突破了10nm和7nm的光刻技術,而在最近,世界上最頂尖的5nm光刻技術也被我國科學家成功突破。
雖然只是取得了初步的進展,還有待進一步完善,但這一消息傳出來之後讓國人看到了國產晶片的未來,當然,這一消息也傳到了國外,很多國家特別是西方國家對中國取得的光刻技術突破表示非常驚訝。
我們都知道,在此之前,我國國產的光刻機還停留在90nm的技術工藝上,與全球最先進的產自荷蘭ASML公司的5nm光刻機技術相差甚遠,中芯國際此前曾試圖購買荷蘭的EUV光刻機,但荷蘭方面開出的價格卻高達1.36億歐元,比去年整整高出3000萬歐元,不得不讓中芯國際有些猝不及防。
後來由於美國的阻撓,我國最終未能成功購買荷蘭的光刻機,為了不再受到其他國家的技術封鎖,我國科研人員在重壓之下刻苦鑽研,這才有了屬於自己的光刻機。
碳基晶片製備技術也被攻破
而就在不久前,我國的科研人員成功攻破了碳基半導體材料的製備技術瓶頸,碳基半導體製備技術一旦走向成熟,所生產出的碳基晶片將可以更好地替代目前市面上通用的矽基晶片,有望成為新一代的智能晶片載體。
當時世界上並沒有哪一個國家進行碳基晶片的研究,為了攻克這一技術,北京大學的研究團隊整整花費了十年之久,十年的技術積累也可以讓國產的碳基晶片在國際市場上擁有更多的無法取代的優勢。
現如今5nm的光刻技術也取得突破,一旦技術成熟,將可以直接運用於最新製備的碳基晶片中,屆時碳基晶片將有望把集成電路推進到3nm節點以下。
雖然在國產晶片領域,我國已經在光刻機和晶片製備材料方面取得了重大突破,但我們仍有很長的一段路要走,依託我國科學家的研發水平和國家的支持力度,一定會取得實現技術反超,這只是一個時間問題,對此大家看呢?
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