極紫外(EUV)光刻技術將如何影響掩模收入?

2020-11-24 電子發燒友

極紫外（EUV）光刻技術將如何影響掩模收入？

文財網 發表於 2020-11-23 14:42:09

　　藤村：在過去的幾年中，口罩的收入一直在增長。在此之前，口罩收入相當穩定，每年約為30億美元。最近，它們已經超過了40億美元的水平，並且預計還會繼續增長。發光二極體公司認為，這一增長的一部分是由於該行業向EUV的轉變。調查中的一個問題問到參與者：「 COVID將對光掩模市場產生什麼業務影響？」 有人認為這可能是消極的，但大多數人認為這不會產生太大影響，或者可能會產生積極的影響。在最近的eBeam計劃中小組成員評論說，前景樂觀的原因可能是由於半導體行業的需求情況。庇護所和在家工作的環境正在為電子和半導體行業創造更多的需求和機會。

　　SE：極紫外（EUV）光刻技術將如何影響掩模收入？

　　藤村：總體上，三分之二的調查參與者認為這將產生積極的影響。前往EUV時，口罩的數量減少了。這是因為EUV將整個行業帶回單一模式。具有多個圖案的193nm浸入需要在高級節點處使用更多的掩模。使用EUV，您的掩模較少，但是每個EUV層的掩模成本更高。

　　SE：幾十年來，IC行業一直遵循摩爾定律，即晶片中的電晶體密度每18到24個月翻一番。按照這種節奏，晶片製造商可以在晶片上封裝更多和較小的電晶體，但是摩爾定律似乎正在放緩。接下來是什麼？

　　藤村：摩爾定律的定義正在改變。不再關注CPU時鐘速度的趨勢。那變化不大。它通過位寬擴展而不是時鐘速度擴展。其中很多與熱性能和其他方面有關。我們有一些理論可以逐步改善。另一方面，如果您查看諸如使用GPU或具有更多CPU內核的大規模並行計算之類的東西，以及如果包括這些東西，則可以多快地訪問內存（或可以訪問多少內存），那麼摩爾定律就非常活躍。

　　例如，D2S為半導體製造業提供計算系統，因此我們也是技術的消費者。我們進行大量的超級計算，因此了解計算能力方面的情況對我們很重要。我們看到的是，我們的計算能力正在以與以前大致相同的速度持續提高。但是，作為程式設計師，我們必須適應如何利用它。並不是您可以使用相同的代碼，它就不會像20年前那樣自動縮放。您必須了解在任何給定時間點，縮放比例如何不同。您必須弄清楚如何利用新一代技術的優勢，然後轉移代碼。因此，這肯定更難。您必須弄清楚如何利用新一代技術的優勢，然後轉移代碼。因此，這肯定更難。您必須弄清楚如何利用新一代技術的優勢，然後轉移代碼。因此，這肯定更難。

　　責任編輯：lq

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • 光刻技術概述及光刻技術的原理
    EUV 光刻技術 在微電子技術的發展歷程中，人們一直在研究開發新的IC製造技術來縮小線寬和增大晶片的容量。我們也普遍的把軟X射線投影光刻稱作極紫外投影光刻。在光刻技術領域我們的科學家們對極紫外投影光刻EUV技術的研究最為深入也取得了突破性的進展，使極紫外投影光刻技術最有希望被普遍使用到以後的集成電路生產當中。它支持22nm以及更小線寬的集成電路生產使用。
  • ASML光刻機遭禁運?我國光刻機和極紫外光刻技術發展狀況如何?
    我國雖然也能生產光刻機，但目前只能生產90nm製程工藝的光刻機，其中上海微電子裝備有限公司佔據國內80％的市場。據悉，上海微電子已經開始了65nm製程光刻機的研製。目前最先進的第五代光刻機採用EUV光刻技術，以波長為13.5nm的極紫外光作為光源。
  • 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷?
    打開APP 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷？ 據報導稱，該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前公開回應稱，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。 按照劉前的說法，如果超高精度雷射光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，則有望提高我國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的
  • 中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷
    圖截自官網ACS官網消息一經發出，外界一片沸騰，一些媒體稱此技術可以「突破ASML的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要EUV光刻機就能製作出5納米製程的晶片」。該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前告訴《財經》記者，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。
  • 中科院5nm光刻技術突破西方壟斷?實情是這樣
    中國以舉國之力投入晶片（晶片）研製，但作為生產高端晶片的必要設備，最先進的光刻機仍由西方壟斷。 中國科學院早前發表論文，介紹最新研發的一種「5納米超高精度雷射光刻加工方法」，燃起國內晶片業起飛的希望。 但事實證明仍空歡喜一場，負責撰寫的中科院學者昨日（1日）開腔，形容是外界誤讀。
  • 光刻機中那些我們需要了解的尖端技術
    光刻機是晶片製造的核心設備之一。光刻（Photolithography） 意思是用光來製作一個圖形（工藝）；在矽片表面勻膠，然後將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時「複製」到矽片上的過程。
  • 中科院5nm光刻技術突破西方壟斷,實情是怎樣的呢?
    消息受到中國媒體廣泛關注，部分報導更形容該技術將助中國完全擺脫西方的限制，「突破荷蘭光刻機生產企業阿斯麥（ASML）的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要極紫外光刻技術（EUV）光刻機就能製作出5納米製程的晶片」。但不久後，中科院就將新聞稿從官網刪除。
  • 「5 nm光刻技術」被誤讀,中科院研究者講訴真相
    圖截自ACS官網消息一經發出，外界一片沸騰，一些媒體稱此技術可以「突破ASML的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要EUV光刻機就能製作出5 nm製程的晶片」。 該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前告訴《財經》記者，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。
  • 一文讀懂半導體業的印鈔機:EUV光刻機
    第三代光刻機採用 248nm 的 KrF（氟化氪）準分子雷射作為光源，將最小工藝節點提升至350－180nm 水平，在光刻工藝上也採用了掃描投影式光刻，即現在光刻機通用的，光源通過掩模， 經光學鏡頭調整和補償後， 以掃描的方式在矽片上實現曝光。第四代 ArF 光刻機：最具代表性的光刻機產品。
  • 中國科學院開發的5納米超高精度雷射光刻技術
    極端紫外線（Extreme Ultra-violet，簡稱EUV）是一種光刻技術，它使用波長為10-14納米的極端紫外線作為光源。　　集成電路的線寬是指可以通過特定工藝光刻確定的最小尺寸，通常稱為「 28納米」和「 40納米」。該尺寸主要由光源的波長和數值孔徑確定。掩模上電路布局的大小也會影響光刻的大小。
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷？事實殘酷卻又是把雙刃劍
    該論文的通訊作者博士生導師劉前特別強調，「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」是一個誤讀，超解析度雷射光刻技術與極紫外光刻技術是兩回事。中科院研發的5nm超高精度雷射光刻加工方法的主要用途是製作光掩模，因為目前國內製作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外。
  • 光刻技術的發展史
    相對於157納米光刻技術,193納米浸沒式光刻技術不需要研發新的掩模、透鏡和光刻膠材料,193納米漫沒式光刻機甚至可以保留現有193納米乾式光刻機的大部分組件,僅需改進設計部分分系統即可。世界上三大光刻機生產商阿斯麥(ASML)、尼康(Nikon)和佳能(Canon)公司的第一代193納米浸沒式樣機都是在原有193納米乾式光刻機的基礎上改進研製而成的,大大降低了研發成本和風險。
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷?事實殘酷卻又是把雙刃劍
    《財經》新媒體近日的報導道出了事實真相：今年7月，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文，介紹了該團隊研發的新型5 納米超高精度雷射光刻加工方法。該論文的通訊作者博士生導師劉前特別強調，「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」是一個誤讀，超解析度雷射光刻技術與極紫外光刻技術是兩回事。
  • 發表5納米雷射光刻研究後刪文,中科院回應爭議
    消息發出後，迅速引發外界關注，一些媒體稱此技術可以「突破荷蘭光刻機生產企業阿斯麥（ASML）的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要極紫外光刻技術（EUV）光刻機就能製作出5納米製程的晶片」。但對於外界解讀，該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前表示，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。他進一步稱，極紫外光刻技術解決的主要是光源波長的問題，極紫外光刻技術是以波長為10納米至14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。
  • 光刻技術的歷史與現狀
    相對於157納米光刻技術,193納米浸沒式光刻技術不需要研發新的掩模、透鏡和光刻膠材料,193納米漫沒式光刻機甚至可以保留現有193納米乾式光刻機的大部分組件,僅需改進設計部分分系統即可。世界上三大光刻機生產商阿斯麥(ASML)、尼康(Nikon)和佳能(Canon)公司的第一代193納米浸沒式樣機都是在原有193納米乾式光刻機的基礎上改進研製而成的,大大降低了研發成本和風險。
  • 給摩爾定律續命 EUV光刻暫難當大任
    近年來，在半導體行業，極紫外光刻（Extreme Ultra-Violet，以下簡稱EUV光刻）成為備受眾多企業關注的光刻技術之一。　　前段時間，臺灣積體電路製造股份有限公司宣布，已採用7納米EUV工藝。
  • 中科院5nm光刻技術另一面：擁有這項光刻技術的企業多家已上市
    最後來個終極靈魂拷問，傳統的光學有掩模光刻技術在ASML的努力下不斷逼近物理極限，ASML最新的NXE3400C型EUV光刻機已經用於5nm製程晶片的生產，第二代EUV光刻機有望進一步提升至1nm，但是1nm之後呢，光刻技術向何處發展？實際上在有掩模光刻技術之外還發展出了無掩模光刻技術。
  • 深度:光刻技術的​歷史與現狀
    光刻技術是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術。光刻的原理起源於印刷技術中的照相製版,是在一個平面上加工形成微圖形。光刻技術按曝光光源主要分為光學光刻和粒子束光刻(常見的粒子束光刻主要有X射線、電子束和離子束光刻等)。
  • 深度解析光刻技術的歷史與現狀
    光刻技術的發展史 光刻技術是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術。光刻的原理起源於印刷技術中的照相製版，是在一個平面上加工形成微圖形。光刻技術按曝光光源主要分為光學光刻和粒子束光刻（常見的粒子束光刻主要有X射線、電子束和離子束光刻等）。其中光學光刻是目前最主要的光刻技術，在今後幾年內其主流地位仍然不可動搖。
  • 為何在EUV極紫外光刻之後的是x射線光刻技術 中國廠商還有機會嗎
    到了2002年，國家在上海組建上海微電子裝備有限公司，並由上海微電子承擔「十五」光刻機攻關項目時，中電科45所將從事分步投影光刻機研發任務的團隊整體遷至上海且參與其中。換言之，上海微電子目前在國內是技術最領先的光刻機設備廠商。在現階段，中國「90nm光刻機樣機研製」任務已經通過了02專項實施管理辦公室組織的專家組現場測試。28nm工藝節點。