三星表示5nm工藝晶片製造完全沒有問題

2021-01-22 太平洋電腦網

  【PConline 資訊】在昨天舉行的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)國際固態電路會議上,三星向全球首次展示了10nm FinFET半導體製程。當時業內人士紛紛表示,三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款10nm工藝用於移動平臺的處理器。

  實際上三星在半導體製造方面已經非常超前,目前僅有三星一家可以正式大規模量產14nm  FinFET工藝的行動裝置晶片,而此前在工藝方面極有優勢的英特爾卻一推再推。雖然在晶片領域,三星在業務方面尚未上升到高通或者英特爾的高度,但三星的晶片發展可謂神速,迎來的是對統治級競爭對手的直接挑戰。

  不過,如果你認為三星首秀10nm FinFET工藝製程已經夠驚豔全場的話,那麼三星在ISSCC會議上的主題演講可能更令人意外。

  三星在會議上的說到:「5nm晶片對我們而言完全沒有問題」,而還將繼續推進至5nm工藝製程,因為他們認為「根本沒有困難」,而且進一步微細化也有可能很快實現。甚至表示,他們已經確認開始3.2nm FinFET工藝的工作,通過所謂的EUV遠紫外光刻技術和四次圖形曝光技術和獨家相關途徑,可以實現工藝更細微化。

  讓我們回到10nm工藝,三星稱下一代晶片尺寸將更微小,功耗更低。未來此工藝也將運用到DRAM 和 3D V-NAND晶片上,三星不會放棄任何在移動領域做儲存霸主的機會。三星表示,在2016或2017年之前暫時不會有10nm工藝。也就是說,首款採用14nm晶片的智慧型手機Galaxy S6,在先進工藝方面的優勢可能會維持兩年。

  當然,我們不排除下下一代旗艦智慧型手機,也就是Galaxy S7,三星又驚人的為其搭載10nm工藝的處理器。

 

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