2020考研:計算機組成原理知識點只讀存儲器

　　只讀存儲器

　　前面介紹的DRAM和SRAM均為可任意讀/寫的隨機存儲器，當掉電時，所存儲的內容消失，所以是易失性存儲器。只讀存儲器，即使停電，所存儲的內容也不丟失。根據半導體製造工藝的不同，可分為ROM，PROM，EPROM，E2ROM和Flash Memory

　　1. 只讀存儲器(ROM)

　　掩模式ROM由晶片製造商在製造時寫入內容，以後只能讀而不能再寫入。其基本存儲原理是以元件的「有/無」來表示該存儲單元的信息(「1」或「0」)，可以用二極體或電晶體作為元件，顯而易見，其存儲內容是不會改變的。

　　2. 可編程序的只讀存儲器(PROM)

　　PROM可由用戶根據自己的需要來確定ROM中的內容，常見的熔絲式PROM是以熔絲的通和斷開來表示所存的信息為「1」或「0」。剛出廠的產品，其熔絲是全部接通的。根據需要斷開某些單元的熔絲(寫入)。顯而易見，斷開後的熔絲是不能再接通了，因而一次性寫入的存儲器。掉電後不會影響其所存儲的內容。

　　3. 可擦可編程序的只讀存儲器(EPROM)

　　為了能修改ROM中的內容，出現了EPROM。利用浮動柵MOS電路保存信息，信息的改寫用紫外線照射即可擦除。

　　4. 可電擦可編程序只讀存儲器(E2PROM)

　　E2PROM的編程序原理與EPROM相同，但擦除原理完全不同，重複改寫的次數有限制(因氧化層被磨損)，一般為10萬次。

　　其讀寫操作可按每個位或每個字節進行，類似SRAM，但每字節的寫入周期要幾毫秒，比SRAM長得多。E2PROM每個存儲單元採則2個電晶體。其柵極氧化層比EPROM薄，因此具有電擦除功能。

　　5. 快除讀寫存儲器(Flash Memory)

　　F1ash Memory是在EPROM與E2PROM基礎上發展起來的，其讀寫過程和E2PROM不同，F1ash Memory的讀寫操作一般是以塊為單位。

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