XPS數據處理必備 | 原理、特徵、分析、軟體及使用最全教程及資源,值得珍藏【文末福利】

2021-01-17 伊曼如歌

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XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy),譯為X射線光電子能譜,以X射線為激發光源的光電子能譜,是一種對固體表面進行定性、定量分析和結構鑑定的實用性很強的表面分析方法

XPS是一種高靈敏超微量表面分析技術樣品分析的深度約為20埃可分析除H和He以外的所有元素,可做定性及半定量分析。

定性:從峰位和峰形可以獲知樣品表面元素成分、化學態和分子結構等信息

▲ XPS測試過程示意圖 ▲

(1)定性分析--根據測得的光電子動能可以確定表面存在哪些元素, 

     a. 能夠分析除了氫,氦以外的所有元素,靈敏度約0.1at%,空間解析度為 100um, X-RAY 的分析深度在 2 nm 左右,信號來自表面幾個原子層,樣品量可少至10的-8次方g,絕對靈敏度高達10的-18次方g

     b. 相隔較遠,相互幹擾較少,元素定性的相鄰元素的同種能級的譜線標識性強。       c. 能夠觀測化學位移,化學位移同原子氧化態、原子電荷和官能團有關。化學位移信息是利用XPS進行原子結構分析和化學鍵研究的基礎。

(2)定量分析--根據具有某種能量的光電子的強度可知某種元素在表面的含量,誤差約20%既可測定元素的相對濃度,又可測定相同元素的不同氧化態的相對濃度(3)根據某元素光電子動能的位移可了解該元素所處的化學狀態,有很強的化學狀態分析功能

(5)對材料無破壞性。

當單色的X射線照射樣品,具有一定能量的入射光子同樣品原子相互作用:1)光致電離產生光電子;2)電子從產生之處遷移到表面;3)電子克服逸出功而發射。用能量分析器分析光電子的動能,得到的就是X射線光電子能譜。


這方面很多書上都介紹了,歸根結底就是一個公式:

E(b): 結合能(binding energy)E(k): 電子的動能 (kinetic energy of the electron)W: 儀器的功函數(spectrometer work function)通過測量接收到的電子動能,就可以計算出元素的結合能。A:對化學成分未知的樣品——全譜掃描(0-1200eV)1、在XPS譜圖中首先鑑別出C1s、O1s、C(KLL)和O(KLL)的譜峰(一定存在且通常比較明顯)。3、確定主要元素的最強或較強的光電子峰(或俄歇電子峰),再鑑定弱的譜線。鑑別通常採用與XPS資料庫和標準譜圖手冊的結合能進行對比的方法:XPS資料庫一般採用NIST XPS database: https://srdata.nist.gov/xps/selEnergyType.aspx通過這個網站你可以查到幾乎xps所需的所有數據包括:對雙峰還應考慮兩個峰的合理間距、強度比等。

XPS表徵手冊一般採用:Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy: a reference book of standard spectra for identification and interpretation of XPS data. 1995.

還可以對比XPS電子結合能對照表進行查找(文末資源包內含),有了這些表,你就可以指導每個元素分峰的位置。

B:分析某元素的化學態和分子結構——高分辨譜測化學位移

掃描寬度通常為10-30eV,以確保得到精確的峰位和良好的峰形。

經X射線輻照後,從樣品表面出射的光電子的強度(I,指特徵峰的峰面積)與樣品中該原子的濃度(n)有線性關係,因此可以利用它進行元素的半定量分析。

簡單的可以表示為:I = n*S

S稱為靈敏度因子(有經驗標準常數可查,但有時需校正)

對於對某一固體試樣中兩個元素i和j, 如已知它們的靈敏度因子Si和Sj,並測出各自特定譜線強度Ii和Ij,則它們的原子濃度之比為:

這裡小編向大家推薦三款軟體

Xpspeak、Avantage以及我們最常用的origin

篇幅有限,作圖過程在這裡就不詳細說了

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1、XPS樣品製備:

粉末制樣

分散到揮發性有機溶劑中,形成懸濁液滴到矽片等固體基片、金屬箔或濾膜、海綿等基底上纏繞或壓在架子或回形針上,或樣品臺的孔中 央,分析區域內纖維絲懸空,避免基底元素幹 擾分析結果;滴到Si片、聚乙烯/聚丙烯、金屬片、濾膜、樹 脂、海綿等固體基片上晾乾或冷凍乾燥2) H1s電子很容易轉移,在大多數情況下會轉移到其他原子附近,檢測起來非常困難;3) H和He沒有內層電子,其外層電子用於成鍵,H以原子核形式存在。所以用X射線去激發時,沒有光電子可以被激發出來。XPS分析中,樣品表面導電差 樣品表面導電差,或雖導電但未有效接地。此時,當X射線不斷照射樣品時,樣品表面發射光電子,表面虧電子, 出現正電荷積累(XPS中荷正電),從而影響XPS譜峰,影響XPS分析。在用XPS測量絕緣體或者半導體時,需要對荷電效應所引起的偏差進行校正,稱之為「荷電校正」。最常用的,人們一般採用外來汙染碳的C1s作為基準峰來進行校準。以測量值和參考值(284.8 eV)之差作為荷電校正值(Δ)來矯正譜中其他元素的結合能。具體操作:1) 求取荷電校正值:C單質的標準峰位(一般採用284.8 eV)-實際測得的C單質峰位=荷電校正值Δ;2)採用荷電校正值對其他譜圖進行校正:將要分析元素的XPS圖譜的結合能加上Δ,即得到校正後的峰位(整個過程中XPS譜圖強度不變)。將校正後的峰位和強度作圖得到的就是校正後的XPS譜圖。

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