納米製造技術有望實現亞納米級突破

2021-01-08 和訊科技

  本報訊

  目前,以光刻、電子束刻蝕等能量束刻蝕技術為主的納米製造技術已經突破20納米節點,最前沿的技術正在漸漸向10納米解析度趨近,但要達到可控制造10納米特徵尺寸的結構尚面臨巨大挑戰且成本極高。

  《自然通訊》日前發表了由中國南京航空航天大學機械結構力學與控制國家重點實驗室,與東南大學、南京大學和浙江大學共同完成的一項有關納米技術製造研究理論的成果。研究人員發現用電子束刻蝕二硫化鉬單層材料時,電子束引起的相鄰孔洞在聚合前會發生自發相變,生成尺寸均一、高強韌(30GPa拉伸強度、9%斷裂應變)、具備半導體特徵(能隙0.77電子伏特)的0.35納米寬的四硫化五鉬納米帶,在電子束下比完整的二硫化鉬母材還要穩定並可以大量產生。研究人員從理論上預測二硫族過渡金屬都有類似的可加工性質,這一技術有望將納米製造技術從10納米以上突破到亞納米級

  。(潘鋒)

  《中國科學報》 (2013-05-07 第2版 國際)

(責任編輯: HN666)

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