國產芯有望實現突破!中科院院士:「碳基電子」是國產芯突圍利器

2021-01-08 oTL科技

隨著西方對於國產科技的打壓限制,我國的整體晶片製造技術依舊被卡住脖子,即便我國科技已能設計出高端晶片的存在,但是在晶片的製造、設備、材料等,國內依舊是處於不完善的地步,這也導致了不論是生產設備、技術方面都被西方完完全全的限制著。

相信不少人都清楚,目前的晶片製造所使用的都是矽基技術。近期,中科院攻克碳基半導體技術再次傳來好消息,國產芯有望實現突破。

要知道,碳基半導體技術相比矽基技術能夠更有效處理數據、能耗低,可以實現更加精細的納米製程晶片。碳基半導體技術一直由張志勇教授領和中國科學院院士彭練矛帶領團隊合作,並且研發突破該技術性限制,一旦實現,對於全球有著不可或缺的意義。

近日,中國科學院院士彭練矛針對我國的半導體材料、製造工藝落後狀況表示,碳基電子大有所為,其對國產晶片技術突圍具有重要價值和意義,「碳基電子」更是國產芯的突圍利器。

目前,國內在晶片的製造環節當中,並沒有任何一項是可以掌握主導地位的,國產晶片產業所帶來的形式並不被人們看好。

中國科學院院士彭練矛表示,碳基電子的使命就是在現有優勢下揚長避短,從材料開始,全面突破現有的主流半導體技術,研製出中國人完全自主可控的晶片技術,有望實現國產晶片「彎道」超車的可能性。

據了解,碳基電子的性能更加優秀,有著革命性的作用,目前,在半導體應有的領域都將有著卓越的發揮,而且碳基電子更加有望取代矽基技術,從而實現當前半導體技術突破,實現國產晶片的自主控制。

從目前了解到,碳基電子被認為有望取代矽基技術,而且多數國家已經開啟了對碳基半導體技術的廣泛性研究。目前,國內的碳基半導體技術還處於起步階段,但是很多對於碳基半導體技術還是抱著很大的期望。

筆者看來,國內對於半導體技術的研究並沒有落下,更多的則是在深入研究,實現技術性的突破,隨著科技技術不斷地推進,國產晶片遲早能擺脫西方的束縛,自主獨立。

讓我們為更多科研人員致敬,早日取得成功,為我們的科研人員點個讚吧!

相關焦點

  • 國產芯有望實現突破!中科院院士:「碳基電子」是國產芯突圍利器
    隨著西方對於國產科技的打壓限制,我國的整體晶片製造技術依舊被卡住脖子,即便我國科技已能設計出高端晶片的存在,但是在晶片的製造、設備、材料等,國內依舊是處於不完善的地步,這也導致了不論是生產設備、技術方面都被西方完完全全的限制著。相信不少人都清楚,目前的晶片製造所使用的都是矽基技術。近期,中科院攻克碳基半導體技術再次傳來好消息,國產芯有望實現突破。
  • 中科院院士彭練矛:碳基電子是國產晶片技術突圍利器
    :碳基電子是國產晶片技術突圍利器。大家都知道,現在如果去生產出先進的碳基電子對於發展相當有利,但是我們也知道碳基晶片它的生產並不是這樣的簡單,與傳統的矽基技術相比碳基電子它具有的性能更好,不論是在數字電路還是傳感器件方面都有特別好的應用前景。
  • 剛剛這位中科院院士重磅發聲:碳晶片是國產晶片突圍利器
    碳基電子大有所為,其對國產晶片技術突圍,具有重要價值和意義!國產晶片技術突圍利器?彭練矛面前擺著巨大的難題,是繼續矽基晶片的傳承研究?還是突破瓶頸探索碳基晶片?,就是國產晶片突破重圍之日。」彭練矛院士在會上作了,題為「碳基電子定位和使命」的主題報告,他說:「沒有晶片技術,就沒有中國的現代化,
  • 「中國芯」突圍利器!剛剛這位中科院院士重磅發聲
    近日,中國新聞網公開報導,一位中科院院士重磅發聲:針對中國半導體材料、製造工藝設計落後的狀況,碳基電子大有所為,其對國產晶片技術突圍,具有重要價值和意義!彭練矛面前擺著巨大的難題,是繼續矽基晶片的傳承研究?還是突破瓶頸探索碳基晶片?最終,他選擇走一條無比艱難的徵途,從零開始探究碳納米管材料。
  • 中科院院士彭練矛:碳基電子是國產晶片技術突圍利器
    中新社湘潭8月16日電 (王昊昊 王成奇)中國科學院院士、湖南先進傳感與信息技術創新研究院院長彭練矛16日在湖南湘潭表示,針對中國半導體材料、製造工藝和晶片設計落後的狀況,碳基電子大有所為,其對國產晶片技術突圍具有重要價值和意義。
  • 中科院院士表態,國產晶片有望「直道」超車,新技術成國之利器
    中美摩擦的加劇,使得實現國產晶片安全越來越重要。但不得不承認的是,我國晶片技術整體產業鏈仍被「卡脖子」。從晶片材料、設備、設計、製造等方面,我國都有著諸多的不足,使得我國實現彎道超車不是一件易事。不過,中科院攻克碳基半導體技術的消息,為我國晶片產業帶來了希望。
  • 國產晶片另闢蹊徑,碳基晶片一旦成功,有望繞開荷蘭光刻機
    文/BU 審核/子揚 校正/知秋本文首發於百家號,禁止抄襲轉載晶片製造是當前半導體領域,最明顯的一大短板,卡住了國產晶片的脖子。我國企業想要製造出5nm、3nm等高精度晶片,就不得不依賴荷蘭ASML的EUV光刻機。
  • 芯和副總裁倉巍:專注仿真EDA,引領國產突圍
    EDA工具需要與產業相結合,芯和的EDA工具經過了像臺積電、三星、格芯、中芯國際、意法半導體等主流晶圓廠嚴格認證,包括傳統CMOS、FinFET、BiCOMS 、SOI、IPD等不同的工藝,都已經通過了技術認證;與此同時,芯和生態圈中還有眾多的EDA合作夥伴,像Synopsys, Cadence, Mentor, Ansys, 實現與主流設計流程的無縫銜接。
  • 突破5nm光刻技術瓶頸,中科院再次傳來好消息,中國芯未來可期
    5nm光刻機技術相差甚遠,中芯國際此前曾試圖購買荷蘭的EUV光刻機,但荷蘭方面開出的價格卻高達1.36億歐元,比去年整整高出3000萬歐元,不得不讓中芯國際有些猝不及防。碳基晶片製備技術也被攻破而就在不久前,我國的科研人員成功攻破了碳基半導體材料的製備技術瓶頸,碳基半導體製備技術一旦走向成熟,所生產出的碳基晶片將可以更好地替代目前市面上通用的矽基晶片,有望成為新一代的智能晶片載體。
  • 「換道超車」,碳基晶片來了,離最後的製造僅一步之遙
    相信大家都明白,國產晶片的薄弱環節就在晶片製造,無法達7nm以上的更高製程。現在先是鬆口讓臺積電給華為供貨14nm以上的晶片,然後又是讓三星可以給華為oled屏幕供應,現在連索尼的傳感器也可以了。雖然看起來是放開,但是實際上這次鬆口對華為沒有什麼實質性進展,14nm以上晶片,中芯自己都可以造,以上在國內都有不錯的替代品可以用。然而而最緊缺的14nm以下對5G密切聯繫的高製程晶片,鬆口還是遙遙無期。看似它是妥協了,結果對華為來說還是一樣,做的無用功。看到美國在晶片上不斷卡脖子,中科院也公開宣布進入光刻機領域,協助國產晶片產業實現突破。
  • 「彎道超車」改為「換道超車」,碳基晶片來了,離最後的製造僅一步...
    雖然看起來是放開,但是實際上這次鬆口對華為沒有什麼實質性進展,14nm以上晶片,中芯自己都可以造,以上在國內都有不錯的替代品可以用。看到美國在晶片上不斷卡脖子,中科院也公開宣布進入光刻機領域,協助國產晶片產業實現突破。
  • 中科院取得突破,新技術成國之利器!一旦普及,有望替代矽基晶片
    值得一提的是,中科院不僅要全面入局光刻機的製造領域,而且還兼顧了晶片設計和製造方面的技術攻關。得益於院內的濟濟人才,中科院在多年來掌握了不少晶片領域的核心技術。2020年,中科院又取得新突破,這次產出的新技術將成為國之利器。
  • ​中科院攻克難題,邁出碳基晶片的第一步,新技術成為國之利器
    目前,矽基晶片是業界的主流。不過,矽基晶片存在對光刻機等精密設備依賴度高;受摩爾定律限制,矽基材料尺寸有物理極限等問題。因此,擁有更高物理極限、電子遷移率、結構穩定性的碳基晶片,成為業界公認的矽基晶片替代者。
  • ...貝嶺Q3淨利潤4260萬元;芯和副總裁倉巍:專注仿真EDA,引領國產突圍
    1、芯和副總裁倉巍:專注仿真EDA,引領國產突圍2、立昂微:產線滿負荷運轉,部分產品已漲價3、協鑫集成前三季度淨利潤約-2.7億元,同比下降643.43%4、上海貝嶺Q3淨利潤4260萬元,同比增長36%
  • 通過碳基晶片,中國芯要換道超車?背後是北大團隊20年的努力
    通過碳基晶片,中國芯要換道超車?背後是北大團隊20年的努力互眾所周知,近日有一則消息傳出讓大家興奮不已。那就是中國科學院院士、北京大學教授彭練矛和張志勇教授帶領的團隊,經過研究與實踐,解決了長期困擾碳基半導體材料製備的瓶頸,如材料的純度、密度與面積問題。
  • 中芯國際 FinFET N+1 先進工藝關鍵突破:國產版「7nm 製程」,不...
    IT之家10月12日消息 中國一站式 IP 和定製晶片企業芯動科技(INNOSILICON)昨天發布:已完成全球首個基於中芯國際 FinFET  N+1 先進工藝的晶片流片和測試,所有 IP 全自主國產,功能一次測試通過。
  • 中興7nm晶片商用之際,中芯國際7nm製程"取得突破"
    所謂成功流片,中科院半導體所相關人士向觀察者網介紹,就是在實驗室得到性能達到指標的器件的意思。而要實現真正量產,器件的可靠性、退化機制等一些特性還需大量的數據支持和反覆檢驗。>《珠海特區報》報導截圖「國產版7nm晶片製造取得突破」在一篇題為《「國產芯」突圍刻不容緩》的報導中,《珠海特區報》寫道
  • 中興7nm晶片商用之際,中芯國際7nm製程「取得突破」
    所謂成功流片,中科院半導體所相關人士向觀察者網介紹,就是在實驗室得到性能達到指標的器件的意思。而要實現真正量產,器件的可靠性、退化機制等一些特性還需大量的數據支持和反覆檢驗。」 在一篇題為《「國產芯」突圍刻不容緩》的報導中,《珠海特區報》寫道:「芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的晶片流片和測試成功,不僅意味著具有自主智慧財產權的『國產芯』再次打破國外壟斷,同時也說明『國產版』的7nm晶片製造技術已經得到突破。」
  • 中國有望晶片技術彎道超車?碳基晶片有望超過矽基晶片?
    其實除了&34;之外,還有一個方式可以突破技術封鎖,那就是&34;。目前中國在這條賽道上已經是站在了第一梯隊,那就是碳基晶片領域。,比如同等的工藝的碳基晶片,功耗是矽基晶片的1/10左右,性能卻是其4-5倍,如果成功研發,手機大小的設備具備目前主流筆記本電腦的性能將變得輕而易舉,同時筆記本可以進一步變得輕便,無需風扇等散熱裝置。
  • 【新華社】我國第四代核裂變反應堆核「芯」技術獲得重要突破
    :該所先進核能研究團隊在第四代核裂變反應堆堆芯核心技術上取得重要突破,研發出新型燃料組件及包殼材料,解決了鉛基堆堆芯高份額燃料、高密度冷卻劑、耐高溫耐腐蝕結構材料等關鍵技術難題。這一成果打破了國外相關技術壟斷,實現了第四代核裂變反應堆核心技術自主掌握。  鉛基堆被「第四代核能系統國際論壇(GIF)」組織評定為有望首個實現工業示範和商業應用的第四代核裂變反應堆。