中芯國際 FinFET N+1 先進工藝關鍵突破:國產版「7nm 製程」,不...

2020-12-06 IT之家

IT之家10月12日消息 中國一站式 IP 和定製晶片企業芯動科技（INNOSILICON）昨天發布：已完成全球首個基於中芯國際 FinFET  N+1 先進工藝的晶片流片和測試，所有 IP 全自主國產，功能一次測試通過。

關於N+1工藝，中芯國際聯合CEO梁孟松今年初曾透露，該工藝在功率和穩定性方面與7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。其曾表示，中芯國際N+1工藝和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市場基準性能提升應該是35%。

IT之家獲悉，《珠海特區報》10月11日報導了《「國產芯」突圍刻不容緩》文章，其中寫道：「芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的晶片流片和測試成功，不僅意味著具有自主智慧財產權的『國產芯』再次打破國外壟斷，同時也說明『國產版』的7nm晶片製造技術已經得到突破。」

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    -10-13/16:33 驅動中國2020年10月13
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