中芯國際第二代FinFET工藝曝光新進展,7nm製程取得突破
2020-11-24 驅動中國驅動中國2020年10月13日消息，近日，中芯國際第二代FinFET工藝曝光新進展。有報導稱，IP和定製晶片企業芯動科技已完成全球首個基於中芯國際FinFET N+1工藝的晶片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過，其與現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%，這也意味著國產版的7nm晶片製造技術已經得到突破。
據中芯國際聯合CEO梁孟松透露，該工藝在功率和穩定性方面和7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機，不過在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。據悉，FinFET N+1已進入客戶導入階段，可望於2020年底小批量試產。
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今日焦點 迪士尼將重組媒體和娛樂部門 中芯國際7nm製程取得突破 華為5G基站美國零部件佔比近3成 -
中芯國際:第二代FinFET已進入小量試產
集微網消息，12月4日，有投資者在互動平臺提問「請問近來公司7納米產品生產研發進展如何？在國內外將產生怎樣的影響？」對此，中芯國際回復「公司第一代FinFET 14nm已於2019年四季度進入量產，第二代FinFET已進入小量試產。」 -
中興7nm晶片商用之際,中芯國際7nm製程"取得突破"
在中興通訊宣布5G基站7nm晶片實現商用的同一天，中芯國際第二代FinFET工藝也湊巧曝出新進展。：「芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的晶片流片和測試成功，不僅意味著具有自主智慧財產權的『國產芯』再次打破國外壟斷，同時也說明『國產版』的7nm晶片製造技術已經得到突破。」 -
中興7nm晶片商用之際,中芯國際7nm製程「取得突破」
觀察者網·大橘財經訊（文/呂棟 編輯/尹哲）在中興通訊宣布5G基站7nm晶片實現商用的同一天，中芯國際第二代FinFET工藝也湊巧曝出新進展。」 在一篇題為《「國產芯」突圍刻不容緩》的報導中，《珠海特區報》寫道：「芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的晶片流片和測試成功，不僅意味著具有自主智慧財產權的『國產芯』再次打破國外壟斷，同時也說明『國產版』的7nm晶片製造技術已經得到突破。」 -
中芯國際第二代FinFET工藝進入小批量試產
打開APP 中芯國際第二代FinFET工藝進入小批量試產 Oliver 發表於 2020-11-12 09:53:00 11月11日，中芯國際公布2020年第3季度財報，單季營收首次突破10億美元。 -
芯動科技:全球首發基於中芯國際 FinFET N+1 先進工藝晶片
中國一站式 IP 和定製晶片企業芯動科技（INNOSILICON）今天發布：已完成全球首個基於中芯國際 FinFET N+1 先進工藝的晶片流片和測試，所有 IP 全自主國產，功能一次測試通過。 -
中芯國際重點轉向N+1及N+2代FinFET工藝,N+1工藝進入產品認證階段
國內最大的晶圓代工廠中芯國際昨晚發布了2019年報，營收31．16億美元，公司擁有人應佔利潤為2．347億美元，同比增長75%。先進工藝正是中芯國際今年發展的重點，目前公司已經開發了14/12nm多種特色工藝平臺。 量產的14nm工藝已經可以滿足國內95%的晶片生產，根據之前的消息，中芯國際的14nm產能年底將達到15K晶圓/月，之後就不會大幅增長了，重點會轉向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝。 -
國產芯工藝追上Intel!中芯國際:第二代FinFET年底將小批量試產
據科創板日報報導稱，中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產。 科創板中芯國際在互動平臺表示，公司第一代FinFET14納米已於2019年四季度量產；第二代FinFETN+1已進入客戶導入階段，可望於2020年底小批量試產。 -
國產版7nm出動!中芯國際取得巨大進展,打破晶片壟斷指日可待
中芯國際取得巨大進展，打破晶片壟斷指日可待。 在礙於光刻機的製造技術時候，中國在光刻機方面遲遲得不到突破之時，就另尋突破口，在最近中芯國際取得了巨大的進展 -
中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產
打開APP 中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產 雪花 發表於 2020-12-04 18:08:15 據科創板日報報導稱，中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產。 -
中芯國際14納米工藝升級!對中國晶片產業有什麼影響?
作為中國自主半導體產業的領頭羊，中芯國際14nm工藝的進展可以說是引人關注，早在2019年底，中芯國際就實現了14nm工藝的量產，但是在良品率和產能方面仍然不盡人意，而在最近召開的中芯國際投資者會議中，中芯國際CEO表示其14nm工藝獲得了重大進展，產能逐步提升，不僅良品率達到了業界標準 -
中芯國際:去年Q4第一代FinFET 14nm貢獻1%營收
2月14日消息，中芯國際昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm貢獻1%營收。中芯國際昨日披露了2019年第四季度財報。在財報中，中芯國際聯合執行長，趙海軍和梁孟松披露，第一代FinFET 14nm順利量產，貢獻當季度1%營收。FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應電晶體，是一種新的互補式金氧半導體電晶體。FinFET命名根據電晶體的形狀與魚鰭的相似性。 -
中芯國際缺少EUV光刻機,拿什麼生產7nm工藝?此人是關鍵
目前5nm晶片生產工藝，臺積電和三星今年就要開始量產，中國的晶片製造工藝還一直處於追趕的狀態。中芯國際作為我國最大的晶圓代工廠，自去年年底已經量產14納米工藝，該工藝帶來了1%的營收，760萬美元的收入，可謂是取得了很不錯的成績。據了解，中芯國際的12nm的改進版和已經量產的14nm工藝技術，兩者都是該公司是第一代Fin FET工藝。 -
中芯國際迎來好消息!不止7nm晶片突破,14nm良品率突破到95%
中國在晶片半導體方面的技術發展時間並不是很長，對比美國、英國與日本這些發達國家來說可能資歷還是尚淺，但是依舊無法阻止中國的晶片半導體行業的崛起，這不，中芯國家迎來好消息！不止7nm晶片突破，14nm良品率突破到95%。 -
國產7nm晶片取得重大突破!中芯國際喜訊不斷,14nm良品率突破大關
9月15日，當美國對華的晶片禁令正式生效之後，「中國芯」便成為中國科技領域的一個絕對的心臟病問題，直到這個時候，我們的國人似乎才意識到，中國的晶片產業真的是落後著世界一大截，不過在各方的不懈努力之下，近日根據中芯國際給出的消息，國產的7nm晶片已經取得了巨大突破！14nm晶片良品率突破大關。 -
中芯國際 FinFET N+1 先進工藝關鍵突破:國產版「7nm 製程」,不...
IT之家10月12日消息 中國一站式 IP 和定製晶片企業芯動科技（INNOSILICON）昨天發布：已完成全球首個基於中芯國際 FinFET N+1 先進工藝的晶片流片和測試，所有 IP 全自主國產，功能一次測試通過。 -
5納米製程是個坎,半導體先進工藝製程路漫漫
不容置疑，全球代工業在進入邏輯製程7nm之後已經開始生變，由於研發費用及成本高聳等因素，2018年格羅方德與聯電聲言止步，因此導致全球代工業中只剩下臺積電，三星，英特爾及中芯國際四家在列，而其中的英特爾在商業代工業中是個「小角色」，以及中芯國際尚未明確它的時間表，所以全球只剩下臺積電及三星兩家在代工中爭霸。 -
中芯國際喜訊不斷:7納米獲得突破,14納米良品率突破大關
從我國目前所遭遇的各種狀況來說，國內及國際任何手機品牌在生產時都需要進口晶片進行組裝，若國內能夠打破壟斷完全實現自產自造、可控制開發，「中國芯」才會有本土產業鏈，才會真正實現不受制於人。近日，我國晶片巨頭中芯國際傳來消息，中國7nm晶片正在和世界先進位程技術縮小差距，14nm晶片製程工藝更是實現大步邁進式發展。據管理部門透露，目前中芯國際14nm製程工藝的良品率已經達到了行業標準，這也就意味著中芯國際所生產的晶片良品率已經達到了95%以上。 -
中芯國際7nm工藝量產在即,中國晶片為什麼長期受制於人?
中芯國際作為我國集成電路生產的「國家隊」，近期在先進集成電路設計方面收穫了不少喜人的進展。在2020年年初，中芯國際方面斥資150億元實現了14nm晶片的擴產提速，成為了華為海思方面14nm器件的主要供應商，同時從荷蘭方面購買的光刻機也正式形成生產能力。 -
2019年全球晶圓代工企業動向:中芯國際(00981)12nm工藝開發進入...
要聞 2019年全球晶圓代工企業動向：中芯國際（00981）12nm工藝開發進入客戶導入階段 2020年1月20日 10:15:40 智通財經網本文來自 「晶片思想」。一、工藝製程篇1、中芯國際（00981）2019年第一季度，12nm工藝開發進入客戶導入階段，第二代FinFET N+1研發取得突破，進度超過預期。第二季度14納米FinFET製程進入客戶風險量產階段，2019年第四季實現小批量生產。第二代FinFET N+1技術平臺已開始進入客戶導入。