要聞 2019年全球晶圓代工企業動向：中芯國際（00981）12nm工藝開發進入客戶導入階段 2020年1月20日 10:15:40 智通財經網
本文來自 「晶片思想」。
一、工藝製程篇
1、中芯國際（00981）
2019年第一季度，12nm工藝開發進入客戶導入階段，第二代FinFET N+1研發取得突破，進度超過預期。
第二季度14納米FinFET製程進入客戶風險量產階段，2019年第四季實現小批量生產。第二代FinFET N+1技術平臺已開始進入客戶導入。
2、華虹集團（01347）
2019年，華虹集團堅持先進工藝和成熟工藝並舉，構建集團核心競爭力。成熟工藝方面，65/55納米射頻和BCD平臺全球依靠;而在先進工藝方面，28納米(28LPC/28HK/28HKC+)成功量產;28納米高介電常數金屬柵級工藝(28nm HKC+)研發進展順利;22納米工藝發快速推進;14納米工藝也取得突破，工藝全線貫通，SRAM良率達25%。
3、華潤微電子
華潤微電子旗下代工平臺華潤上華在BCD工藝平臺上，經過多年的積累，已開發出全系列分段式電壓的0.18µm BCD工藝平臺，配置efuse、OTP、MTP，目前可提供6個電壓段：7V-16V、18V-20V、24V-30V、35V-40V、40V-60V、80V-120V，並可提供BJT、Poly電阻、Zener、SBD等種類豐富的寄生器件，以及針對不同工作電壓的ESD保護方案。據悉 90nm BCD工藝已經進入研發階段。 華潤上華推出基於0.18μm EN CMOS的優化版0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺，優化後的工藝成本得到了大大的縮減，以MCU應用看，相較公司的0.18μm工藝節省成本約30%;以音頻功放應用看，華潤上華的0.153μm 5V EN CMOS工藝的成本已優於同行水平。 另外，華潤上華的0.11μm ULL e-flash Logic工藝達到業界水平。
4、臺積電（TSM.US）
4月份推出6納米(N6)製程技術，預計將在2020年實現量產，推出6納米製程主要是為強化7納米技術，提升效能/成本優勢且加速產品上市時間。 7納米工藝+EUV於2019年第3季量產。 12月，5納米製程方面完成試產，工藝的良率達到35%-40%，意味著5nm工藝良率爬坡很順利，2020年7月份正式進入大規模量產階段。
5、聯電
聯電在2019年推出28納米的微縮版22納米CMOS工藝，相較聯電的28納米工藝上可減少約10~15%的面積。 聯電位於廈門的子公司聯芯推出適用於AMOLED屏幕驅動的28納米eHV和40納米eHV工藝,以及適用於銀行卡/ETC卡的55納米工藝(55eNVM)。 6、三星 2019年4月份開始進行大規模生產7nm LPP EUV工藝;隨後推出6LPP、5LPE晶片，目前已經完成試製，2020年上半年大規模生產。 7LPP工藝終極版4LPE工藝2019年第四季度完成開發，在2020年完成首批晶片製造，大規模生產應該會在2021年。
二、產能擴張篇
1、中芯國際
1.1中芯南方(12英寸14納米) 2019年中芯南方集成電路製造有限公司12英寸14納米生產線正式投產，標誌著中國大陸集成電路生產工藝向前推進一步，順利完成《推進綱要》的目標。
2019年第一季度，中芯南方FinFET工廠首臺光刻機搬入，開始產能布建，已經具備月產能3500片規模。
2、華虹集團
2.1華虹無錫(12英寸) 2020年1月1日舉行首批功率器件晶圓投片儀式，並和無錫新潔能籤約。華虹無錫的IC+Power戰略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF和Power等工藝平臺陸續推出，可滿足無錫絕大多數設計公司。 2019年5月24日首臺設備搬入，並舉行了HHFAB7廠授牌儀式。
2019年6月6日華虹無錫集成電路研發和製造基地12英寸生線一期3臺光刻機臺搬入;2019年9月17日試投片生產，標誌著中國第一條12英寸90納米/55納米工藝的功率器件生產線投產。 華虹無錫集成電路研發和製造基地項目佔地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65/55納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。
2.2華力二期(12英寸) 自投產以來，上海華力集成電路製造有限公司(華力二期，HH FAB6)的產能迅速爬坡，2019年第二季度達月產10000片，到第四季度裝機產能達月產20000片。 上海華力集成電路製造有限公司(華力二期，HH FAB6)12英寸先進生產線建設項目是上海市最大的集成電路產業投資項目，總投資387億元人民幣，建成月產能4萬片的12英寸集成電路晶片生產線，工藝覆蓋28-14納米技術節點。項目計劃於2022年底達產。
3、武漢新芯
2019年武漢新芯二期擴產項目已經順利投產，若順利達產，武漢新芯月產能將達到5萬片。 二期將緊抓物聯網和5G運用的市場機遇，建設NOR Flash(自主代碼型)快閃記憶體、微控制器和三維特種工藝三大業務平臺，根據規劃，武漢新芯的NOR Flash快閃記憶體能力每個月擴充8000片，從月產能1.2萬片擴至月產能2萬片，微控制器每個月擴充5000片。
4、臺積電
2019年臺積電總產能將微幅增加2%，擴增至1200萬片約當12英寸晶圓。其中，以7納米產能增加最多，總產能將超過100萬片規模，將增加1.5倍。 4.1臺積電南科FAB18 臺積電南科Fab 18工廠一期已經完成建設，5nm工藝將於2020年7月量產，月產能達到5.5萬片。 4.2臺積電南京FAB16(12英寸) 2019年月產能提升為15000片，2020年第一季達到20000片的規劃產能。 2018年10月31日，臺積電正式對外宣布南京12英寸晶圓廠FAB16量產，提供12寸16nm FinFET晶圓代工業務。
5、聯電
5.1廈門聯芯(12英寸) 2019年聯芯集成一期滿載月產能約為25000萬片，實際產出每月18000+片，2020年將實施擴產。
6、合肥晶合(12英寸)
2019年底月產能達到20000片規模，較2018年12月擴增1倍。 2018年，晶合以110納米-180納米工藝製造LCD驅動晶片。由於因為股權問題，和力晶陷入冷凍期，此後不再從力晶進行技轉，而是自研55納米工藝技術邏輯工藝，原計劃2019年量產，目前看來較計劃有所落後。
7、寧波中芯N1(8英寸)
2018年11月2日正式投產，規劃月產能15000萬。 中芯集成電路(寧波)有限公司分為N1(租用小港安居路現有廠房)與N2(柴橋)兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導體特種工藝的研發、製造產業基地，採用專業化晶圓代工與定製產品代工相結合的新型商業模式，並提供相關產品設計服務平臺。
8、中芯紹興(8英寸)
2019年6月19日，主體工程結頂;9月搬入工藝設備，10月完成了151臺套設備的安裝調試，2109年11月16日，中芯集成電路製造(紹興)有限公司宣布8英寸生產線通線投片，2020年3月正式量產。 中芯紹興主要面向微機電和功率器件集成電路領域，專注於晶圓和模組代工，持續投入研發並致力於產業化。
9、三星代工(12英寸7納米EVU)
2019年4月，三星華城7nm EUV工廠的基礎設施建設工作完成;目前已經完成裝機工作;預計將於2010年一季度量產。
三、產能建設篇
1、濟南泉芯(12英寸)
泉芯集成12英寸晶圓製造線於2019年第一季度開工建設。目前到位資金約50億。 泉芯集成12英寸晶圓製造線計劃採用12nm/7nm的工藝節點。
2、無錫海辰(8英寸)
2019年12月12日，首批從韓國搬遷的工藝設備搬入海辰半導體廠房。 2019年2月27日，海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠主廠房正式封頂。 2018年7月SK海力士表示，旗下晶圓代工子公司SK海力士系統IC公司與無錫市政府旗下的無錫產業發展集團有限公司組成的合資公司，2018年下半年啟動工廠的建設。
3、寧波中芯N2(8英寸)
2019年2月28日，中芯寧波特種工藝N2項目正式開工。規劃月產能30000萬。 N2項目位於寧波市北侖區柴橋，項目用地面積192畝，建築面積20萬平方米，項目總投資39.9億元，建設工期2019年-2021年，2019年計劃投資5億元。 根據規劃，N2項目建成後將形成年產33萬片8英寸特種工藝晶片產能，同期開發高壓模擬、射頻前端、特種半導體技術製造和設計服務。
4、賽萊克斯(8英寸)
2019年12月25日，賽萊克斯北京8英寸項目一期開始設備搬入，較原計劃有所遲緩。 2018年賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司繼續完善核心管理及人才團隊，推進8英寸MEMS國際代工線建設項目的建設，2018年11月基礎工程建設已部分封頂。項目規劃分三期建設。
5、臺積電
臺積電大幅上調2019年的資本開支，從原定110億美元增加到150億美元，其中25億美元用於5nm工藝擴產，15億美元用於7nm工藝擴產。南科Fab 18工廠二期工程規劃5.5萬片晶圓/月的產能，預計在2021年上半年準備就緒。
四、收購篇
1、積塔正式合併上海先進半導體
2019年1月2日，積塔合併上海先進半導體得到國家市場監督總局批准;1月11日，上海先進半導體股東會和H股獨立股東類別大會同意由積塔以吸收合併的方式將上海先進半導體私有化。 2019年9月23完成所有工商變更。
2、聯電收購三重富士通
2019年10月1日聯電完成收購三重富士通半導體股份有限公司剩餘84.1%的股權，收購剩餘股份最終的交易總金額為544億日元;2014年到2015年，聯電分階段逐步從和富士通半導體(FSL)手中取得三重富士通15.9%的股權。到此一樁歷時5年的12英寸廠收購案終於落地，也是聯電時隔7年再度在日本布局代工產線。
三重富士通成為聯華電子完全獨資的子公司後，將更名為United Semiconductor Japan Co.，Ltd.(USJC)。
三重富士通擁有兩座12英寸廠房(B1、B2)，分別於2005年4月和2017年4月投產，B1廠採用90nm工藝;B2廠初始採用65nm工藝，透過聯華電子40nm技術的授權，2016年初開始40nm商用生產，2016年下半年40nm正式進入量產階段;兩個工廠合計月產能35000片。
3、世界先進收購格芯FAB3E
2019年12月31日，世界先進(VIS)和格芯半導體(GLOBALFOUNDRIES)已經完成格芯半導體位於新加坡淡賓尼(Tampines)的8英寸晶圓廠Fab 3E的交割，包括廠房、廠務設施、機器設備以及MEMS智財權與業務。
Fab 3E現有月產能約35000片8英寸晶圓，預計2020年將為世界先進帶來超過15%的產能擴增。