中國一站式 IP 和定製晶片企業芯動科技（INNOSILICON）今天發布：已完成全球首個基於中芯國際 FinFET N+1 先進工藝的晶片流片和測試，所有 IP 全自主國產，功能一次測試通過。
官方介紹稱，自 2019 年始，芯動在中芯 N+1 工藝尚待成熟的情況下，團隊投入數千萬元設計優化，率先完成 NTO 流片。基於 N+1 製程的首款晶片經過數月多輪測試迭代，助力中芯國際突破 N+1 工藝良率瓶頸。
芯動科技與全球知名代工廠已有多年國產 IP 生態共建的合作，為大量國內和全球客戶實現從成熟工藝（55nm、40nm、28nm、22nm 等)到先進工藝（如 FinFET 14nm、12nm、7nm 等）的不斷跨越，在各先進工藝中規模 IP 授權和定製批量生產高端 SOC，包括 GDDR6/Chiplet/Serdes 等先進技術規模量產。