國產7納米晶片大邁進!中芯國際喜訊不斷,14納米良品率突破大關

長期以來，國產晶片發展受到了在該領域一路領先國家的壟斷，長期受制於日韓，美國等晶片大國。今年，白宮方面更是發布一系列制裁條令，讓華為的晶片行業再次受挫。華為總裁餘承東此前更是表示，目前發售的mate40搭載的麒麟晶片將是最後一代國產晶片。可以看出，我國晶片行業均需要進口組裝，若能打破壟斷完全實現自產自造控制開發，國產晶片才會有本土產業鏈，不受制於人。近日，我國晶片巨頭中芯國際傳來消息，中國7nm晶片正在和世界縮小差距，14nm的晶片工藝更是實現大步邁進式發展。

據了解，中芯國際正向掌握7 nm工藝的第三家中國代工廠商邁進，將會出現跟上工藝水平的晶片，與此同時，與全球知名晶片代工廠商臺積電的技術差距也將縮小。據管理部門透露，目前中芯國際14nm工藝晶片良品率已經達到行業標準，這意味著其生產的晶片良品率已經達到95%。迄今為止，14 nm工藝是晶片製造領域的一個分水嶺，掌握14 nm工藝節點的只有臺灣臺積電、美國英特爾、韓國三星。中芯國際的14納米工藝良品率已經達到了業界的生產水平，在全球代工廠的規模上僅次於臺積電。不過，正如公司管理層在業績會上提到的，即使今年的研發任務已經基本完成，但仍有許多差距和道路要走。

中芯國際是目前世界上擁有14 nm工藝節點的6家廠家之一，也是中國大陸具有成熟工藝製程，率先突破並唯一擁有14nm產能的專業晶圓代工廠商。與之相比，在7 nm製程的競爭中，目前世界上能夠提供7 nm製程替代產品的廠商只有三星和臺積電。在這些因素中，臺積電在先進位造領域無疑保持著技術領先的優勢。現在臺積電和三星都能量產5nm晶片，但是三星的良品率並不高。此外，臺積電的4 nm晶片預計將於2021年開始正式量產，3nm將於2021年大量試產，而2 nm晶片預計在2024年量產。

在7 nm以下晶片生產中， EUV光刻機是不可缺少的設備，臺積電已經向 ASML確認了2020年到2021年的訂單，目前臺積電是光刻設備的最大買家，三星和英特爾緊隨其後。當前，為了實現技術突破，中芯國際正在實施 N+1、 N+2工藝戰略，以趕超7納米製程工藝。其中， N+1工藝已進入客戶導入產品認證階段，已小批量試生產，相對於14 nm性能可提升20%，主要面向低能耗應用領域。這一工藝在格芯的12納米和聯電的14納米方面領先於其他公司。

此後，中芯國際也將在2021年推出N+2，以滿足高性能應用的需求。中芯國際在目前的環境下， N+1和 N+2代工藝都不會採用 EUV工藝，直到設備準備就緒， N+2後的工藝才會採用 EUV光刻工藝。國內晶片行業的發展潛力完全是被激發的，要想實現自己的產業鏈發展成熟，中國晶片的任務任重而道遠。