光電倍增管大家族概覽,原來都有它們……

2021-01-21 濱松

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科學新發現、理解大自然的根本動力是好奇心,人們又通過對自然的仔細思考和實驗推動了科學的發展。在追尋未知未涉的過程中,最簡單的探測和記錄裝置就是我們人類自身的感覺器官,但是對於現代科學,這種「自然」的探測器要麼靈敏度不夠,要麼適用範圍不廣。就拿我們人眼為例,要產生視覺影像至少得幾十個光子,而一個光電倍增管可以很容易地探測到單光子;人眼觀察的光譜也只是集中在可見光(400-800nm),而自然界的電磁波頻譜從廣播電波到微波、紅外輻射、可見光、紫外光、X射線、伽馬射線,足足跨越了23個量級。


通過我們的眼睛來「看見」世界是有限的,而好奇心賦予了人類對未知未涉的渴望,也推動了光探測器技術的發展。濱松公司的研發一直是從與光的對話開始的,從最初的光電管、攝像管的研發生產開始,逐步發展到擁有光探測器及光源、半導體光電產品、圖像分析與計測裝置、雷射以及相關技術等全系列光電產品的公司。在濱松公司發展過程中光電倍增管技術起到了不可磨滅的作用,也一次又一次地把濱松公司的探測器產品推向了世界的舞臺。

光電倍增管是一類用於極微弱光探測的真空電子管,第一隻光電倍增管(PMT)於80多年前由美國國家輻射公司(Radio Corporation of America)發明,並於1936年首次成為商用產品。濱松公司從1955年開始了對光電倍增管技術的研發,經過了無數次的實驗和磨練以後生產出了性能優於其他廠家的光電倍增管,並且在1959年側窗型光電倍增管投放市場。經過50多年的發展,濱松公司已經成為了世界上技術最先進、產品種類最全、市場佔有率最高的光電倍增管生產廠家。

光電倍增管由光陰極、電子光學系統、倍增級、陽極、真空保護殼組成,其中光陰極是由逸出功較小的鹼金屬化合物鍍膜形成,光陰極在一定能量的光子照射下發生外光電效應,將光子轉化成電子,電子在電場約束下通過電子光學系統進入倍增級,電子通過電場加速後轟擊倍增級表面的二次電子材料實現電子的倍增,電子信號經過多級倍增以後可以達到105-109倍的放大,最後放大後的信號被陽極收集輸出。由於光電倍增管優秀的倍增特性,到目前為止光電倍增管仍然在很多極微弱光探測領域有著不可取代的地位。

從結構上光電倍增管可以分為側窗型光電倍增管和端窗型光電倍增管,不過這樣很難充分體現光電倍增管的本身特性。下面我們就從功能和應用上對光電倍增管進行一下簡單介紹。

常規光電倍增管

光電倍增管用在光學測量儀器和光譜分析儀器中,它能在低光量光度學和光譜學方面測量波長115-1700nm的極微弱輻射功率。閃爍計數器的出現,進一步擴大了光電倍增管的應用範圍,雷射檢測儀器的發展與採用光電倍增管作為有效接收器密切相關,我們的日常生活和健康也離不開光電倍增管。目前光電倍增管被廣泛地應用在冶金、電子、機械、化工、地質、醫療、核工業、天文和宇宙空間研究等領域,也和我們的日常生活息息相關。

濱松光電倍增管大家族,從Macro到Micro

圖中的20寸光電倍增管為世界最大,並於2014年獲「IEEE」裡程碑認證

超級神岡實驗中的濱松20英寸光電倍增管(共11200個)


高溫光電倍增管

常規的光電倍增管一般的使用溫度是-30℃-50℃,如果常規的光電倍增管超過50℃工作,首先噪聲會變的非常大;其次高溫也會加速光電倍增管陰極和倍增級材料的性能退化,降低光電倍增管壽命。在我國一般的石油勘探都要達到3500m左右的地層,而在這個地層下溫度高達175℃,常規的光電倍增管就無法滿足要求了,為了這樣的應用環境,我們開發了耐高溫、耐振動的高溫光電倍增管產品。

低溫光電倍增管

低溫作用下光電倍增管的陰極面電阻會變得非常大,面電阻增大會阻礙陰極電流的流出,所以常規的光電倍增管在低溫下工作時候,陰極線性電流會變的非常小,極大限制了光電倍增管的應用,尤其是在一些類似液氙、液氬環境中進行的直接暗物質探測的試驗中。濱松公司通過低溫鹼源技術,以及在陰極面內部鑲嵌金屬輻條技術,大大的降低了低溫下陰極面的面電阻,使光電倍增管低溫下使用成為了可能。

低本底輻射光電倍增管

低輻射光電倍增管是隨著宇宙射線探測、暗物質探測應用而生的,在我們自然界中存在著大量的天然放射性物質,鈾系、釷系、鉀等物質是自然輻射的主要來源,當然在我們常規的玻璃管殼中也存在較高的自然輻射本底,然而由於輻射與光陰極面反應截面很小,自然輻射對於我們常規的光探測幾乎是沒有影響的,但是對於閃爍測量,尤其是對本底要求很高的暗物質檢測的試驗中,這些本底輻射可能就是致命的,會對有效信號造成幹擾,從而影響實驗的效果。濱松公司一方面採用無鉀玻璃作為光電倍增管管殼來降低本底,另一方面為了進一步降低本底,濱松公司採用金屬作為光電倍增管外殼、用陶瓷作為基板,通過這樣的措施可以將本底降到常規光電倍增管的1/10以下。

位置檢出型光電倍增管

光電倍增管大多數情況下是作為點探測器使用的,然而像PET、伽馬相機等既要判斷入射光電強度,又要判斷光斑位置的應用,我們可以採用在閃爍體技術以及計算機數據處理等方法,用常規光電倍增管實現應用;如果我們要達到更好的位置分辨效果,就需要位置檢測型光電倍增管了。位置檢測型光電倍增管一般採用通道式的打拿極結構,這樣的結構可以有效地把電子倍增過程約束到一個很小的空間內,這樣可以降低通道間的串擾,根據陽極結構的不同我們也把位置檢測型的光電倍增管分為多陽極光電倍增管和位敏型的光電倍增管,多陽極光電倍增管採用多個獨立的陽極作為輸出,而位敏型的光電倍增管則採用十字金屬板的陽極,通過X、Y軸信號的大小來判斷光的位置和強度。


MCP型光電倍增管

時間響應特性和時間分辨能力是光電倍增管非常重要的參數,尤其是用在一些螢光壽命檢測或者是快速時間響應的應用中,例如系統事業部生產的Q-τ(螢光壽命分析儀),就利用了MCP-PMT的高時間分辨能力。MCP(微通道板)是一種通道式的電子倍增系統,能夠對帶點粒子、X射線、極紫外等射線進行探測,同時作為電子倍增系統具有極高的時間解析度,可以達到Ps級別,利用MCP作為倍增系統的光電倍增管,不僅可以探測光,同時也具有時間解析度高的特點。

混合型光電倍增管

混合型光電倍增管在我們銷售過程中不太常見,不過由於其能量解析度高、時間響應速度快等特點,在高能物理研究領域有著非常重要的地位。從結構上看混合型光電倍增管由前級的光電陰極、電子加速系統、半導體雪崩系統、輸出系統構成。混合型光電倍增管陰極接收光子產生光電子,電子在高壓加速系統中加速,高能量的電子轟擊半導體,利用雪崩效應產生大的增益,最後電子由輸出系統輸出。

μ-PMT是MEMS技術和真空電子管技術的完美結合,我們利用MEMS技術在矽晶片上加工打拿極,利用真空電子管技術形成光陰極以及倍增級。雖然他僅僅手指大的體積,但是他可以實現106倍的增益。μ-PMT為光電倍增管的發展開闢了一條新的道路,使我們看到光電倍增管微小化、集成化、柔軟化成為了可能,也使我們看到了光電倍增管更廣的發展和未來。

濱松微型光電倍增管(μ-PMT)

為世界最小的光電倍增管


在半導體探測器蓬勃發展的今天,有人說光電倍增管快過時了。不過我們看到的是濱松更高量子效率、更低噪聲、更耐環境的光電倍增管技術的不斷進步,以及新型的μ-PMT技術的開發。我們可以相信,光電倍增管技術永無止境,而且必定還會在我們未來的生活和科學研究中發揮更大的作用。


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    光電倍增管工作原理   光電倍增管(PMT)是一種高靈敏度和超快時間響應光探測器。典型的光電倍增管,如圖所示在真空管,包括光電發射陰極(光電陰極)和聚焦電極、電子倍增,電子收集極(陽極)裝置。   光電倍增管在可以檢測紫外、可見光和近紅外線光電探測器的輻射能量的高靈敏度和低噪聲。光電倍增管和快速響應,低背景、大面積陰極等。   根據光電效應,二次電子發射和電子光學的原理,透明真空內殼配備特殊電極的裝置。
  • 光電倍增管
    1942年,Zworykin等人最先提出把光電倍增管應用到電鏡上來;1956年,史 密斯首先採用光電倍增管的組合來探測二次電子,這為改善掃描電鏡圖像的信噪比和分辨力做出了貢獻,並對加速掃描電鏡的實用化和商品化起到了促進作用。我國 在20世紀50年代研製成功實用的光電倍增管。光電倍增管的外形有側面窗和端面 窗兩種結構,二次電子探測器中釆用的是端面窗。
  • 光電倍增管的工作過程
    這些光電子按聚焦極電場進入倍增系統,並通過進一步的二次發射得到的倍增放大。然後把放大後的電子用陽極收集作為信號輸出。因為採用了二次發射倍增系統,所以光電倍增管在探測紫外、可見和近紅外區的輻射能量的光電探測器中,具有極高的靈敏度和極低的噪聲。另外,光電倍增管還具有響應快速、成本低、陰極面積大等優點。   基於外光電效應和二次電子發射效應的電子真空器件。
  • 光電倍增管的結構與工作原理
    在原子吸收光譜儀中,光電倍增管主要用於將光信號轉變成電信號。
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    光電倍增管與我們的日常生活息息相關,它的身影無處不在。漆黑的環境中,如果有極微弱的光幽靈似地閃一下,人的眼睛有可能什麼都沒看到,而如果是紫外或近紅外光譜區域的微弱光信號閃過,人的眼睛就更無法識別了。各類光電倍增管(日本濱松公司)(圖片來自網絡) 光電倍增管在各個領域都有著極為廣泛的應用,它與我們的日常生活息息相關,它對社會的科技及經濟發展具有重要的戰略意義,讓我們看看它無處不在的身影。
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    倍增:成倍成倍的放大        管:真空管的管雪崩光電二極體APD,也有光電流倍增的效果,這倆不同。APD沒有二次發射,光電倍增管有二次發射過程。光電倍增管,有一個光電二極體,可以是APD二極體,也可以是其他光電探測器。光電倍增管還有光電陰極,負極,cathode,輸出的光電子是電子帶負電荷。還有正極anode,收集電子(負電荷)。
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