網絡整理 發表於 2020-11-20 14:08:17
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體,可以在不使用非線性半導體泵浦固體雷射器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405nm)雷射。
氮化鎵的熔點和飽和蒸氣壓相當高,因此在自然界無法以單晶體的形式形成,目前常用的製備方法為薄膜法和溶膠凝膠法。
與現今的矽器件相比,氮化鎵的導通電阻要低3個數量級,擊穿電場是矽器件的10倍,帶來的就是更高的轉換效率和工作頻率,並降低元器件體積。另外氮化鎵可以在嚴酷的工作環境下保持正常的性能,不過目前氮化鎵的成本還是太高了。
雖然氮化鎵的優點多,物理性能優異,但它不能應用在比較高的電壓環境下。在崑崙電源中,氮化鎵材料也只能應用在低壓側的場效應管上,而高壓側則是採用更耐壓的碳化矽材料。
目前鑫谷將MOSFET改用氮化鎵後,已經可以將115V下的電源轉換效率提高到95%的鈦金標準水平,要知道這麼高的轉換效率下,若想再提升需要付出巨大的代價。在實驗環境下,崑崙電源已經比鈦金標準高出1%。而臺系電源大廠振華的LEADEX T1000W鈦金電源產品介紹上,我們看到轉換效率也就是94.4%。
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中於1050~1100℃下加熱金屬鎵30min可製得疏鬆的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬,並促使與氮化劑的接觸。
2、在乾燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可製得GaN。
責任編輯:YYX
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