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功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)
Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助於減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。 比如一個mos最大電流100a，電池電壓96v，在開通過程中，有那麼一瞬間（剛進入米勒平臺時）mos發熱功率是P=V*I(此時電流已達最大，負載尚未跑起來，所有的功率都降落在MOS管上)，P=96*100=9600w！
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功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)!
Mos損壞主要原因：過流持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；過壓源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；靜電靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；Mos開關原理（簡要）。防止mos管燒毀。過快的充電會導致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關從而增加開關損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當於從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓mos只有幾毫歐姆）的一個轉變過程。
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詳細講解MOS管的米勒效應
由於米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。（Vgs上升，則導通電阻下降，從而Vds下降）米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值後GS電壓有一段穩定值，過後GS電壓又開始上升直至完全導通。為什麼會有穩定值這段呢？
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MOS管開關時的米勒效應--通俗易懂篇
米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平臺，原理如下。理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。
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乾貨| 這樣講你就懂了:MOS管開關時的米勒效應
米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平臺，原理如下。理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。
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防止MOS管燒毀,先要知道為什麼它會燒?
這裡面就有電容、電感、電阻組成震蕩電路（能形成2個迴路），並且電流脈衝越強頻率越高振蕩幅度越大，所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。 Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助於減小米勒振蕩。防止MOS管燒毀。
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MOS開關的米勒效應
米勒效應在MOS管的開關中是一個重要的現象，尤其是在功率電路中，對於電路的損耗影響是非常重要的。
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搞懂MOS管,你不得不知道的米勒效應
一、認識米勒電容如圖，MOS管內部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。
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MOS管工作原理圖詳解-MOS管工作原理電路圖及結構分析-KIA MOS管
由圖可看出，對於N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對於P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極體是由輸入的電流控制輸出的電流。但對於場效應管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
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MOS管在電動車窗開關上的應用
而mos管在電動車窗的關鍵部位——開關，佔據了非常重要的位置。電動車窗開關分為功率型和信號型兩種，功率型為開關直接控制車窗電動機，信號型為開關先向汽車車身控制模塊（Body Control module,BCM）提供信號，再由BCM驅動電動車窗。
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乾貨 | 米勒效應雜談
自從功率MOS廣泛用於開關電源後，米勒效應逐漸為電源應用工程師所重視。多數初進的電子工程師覺得好像米勒效應是新的發現。其實，米勒效應的發現非常早，不但比MOS管早，甚至比BJT(雙極型三極體)還要早得多。
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米勒效應(Miller Effect)
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺，下面我們來詳細地聊一聊。下面我們以MOS中的米勒效應來展開說明：米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，它是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值後GS間電壓會經過一段不變值的過程，過後GS間電壓又開始上升直至完全導通，如下圖中最粗的曲線所示：
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詳解mos管原理及幾種常見失效分析
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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深度分析MOS場效應管在消費類電子中的電路設計
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/284443.htm 首先我們來看下經常使用的增強型mos場效應管：N溝道和P溝道mos場效應管。 在消費類電子設計中由於對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS場效應管來做電平的轉換、鋰電池的充電放電電路控制和電源的控制。
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9926 SOP-8 N+N雙晶片低壓大晶片MOS管
9926mos管是性能很高的溝槽N溝道MOSFET，具有極高的單元密度，可為大多數小功率開關和負載開關應用提供出色的RDSON和柵極電荷，9926mos管符合RoHS和綠色產品要求，並獲得全面的功能可靠性認證。
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乾貨|靜電為什麼能擊穿MOS管?
現在的mos管沒有那麼容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極體保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環試試，基本上摸一個掛一個。 與乾燥的北方不同，南方潮溼不易產生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件內部已經增加了IO口保護。
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MOS管的發展歷程
1MOS的起源 MOS管的全稱是金屬-氧化物-半導體場效應電晶體。MOS管的發明最早可以追溯到19世紀30年代，由德國人提出了Lilienfeld場效應電晶體的概念，之後貝爾實驗室的肖特基發明者Shcokley等人也嘗試過研究發明場效應管，但是都失敗了。1949年Shcokley提出了注入少子的雙極性電晶體的概念。到了1960年，有人提出用二氧化矽改善雙極性電晶體的性能，就此MOS管來到了人世間。
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臭名昭著的MOS管米勒效應
如果你不了解MOS管輸入輸出電容概念，請點擊：帶你讀懂MOS管參數「熱阻、輸入輸出電容及開關時間」米勒效應的罪魁禍首就是米勒電容，米勒效應指其輸入輸出之間的分布電容Cgd在反相放大的作用下，使得等效輸入電容值放大的效應，米勒效應會形成米勒平臺。首先我們需要知道的一個點是：因為MOS管制造工藝，必定產生Cgd，也就是米勒電容必定存在，所以米勒效應不可避免。
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靜電為什麼能擊穿MOS管?
現在的mos管沒有那麼容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極體保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環試試，基本上摸一個掛一個。與乾燥的北方不同，南方潮溼不易產生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件內部已經增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。
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三極體比MOS管開關功能略勝一籌?
2、成本問題：三極體便宜，mos管貴。3、功耗問題：三極體損耗大。4、驅動能力：mos管常用來電源開關，以及大電流地方開關電路。實際上就是三極體比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。三極體工作時，兩個pn結都會感應出電荷，當做開關管處於導通狀態時，三極體處於飽和狀態，如果這時三極體截至，pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態，這個過程需要時間。而mos三極體工作方式不同，沒有這個恢復時間，因此可以用作高速開關管。(1)場效應管是電壓控制元件，而電晶體是電流控制元件。