你知道分子束外延嗎?Alfa Aesar帶你領略不一樣的薄膜世界

2021-02-15 AlfaAesar

分子束外延（MBE）技術是指在超高真空條件下，一種或幾種組分的熱原子束或分子束噴射到加熱的襯底表面，與襯底表面反應，沉積生成薄膜單晶的外延工藝。到達襯底表面的組分元素與襯底表面不但要發生物理變化(遷移、 吸附和脫附等)，還要發生化學變化(分解、化合等)，最後利用化學性能與襯底結合成為緻密的化合物。

分子束外延的晶體生長速度慢（約1um/h)，生長溫度低，可隨意改變外延層的組分和進行摻雜，可在原子尺度範圍內精確地控制外延層的厚度、異質結界面的平整度和摻雜分布。目前已發展到能一個原子層接一個原子層精確地控制生長的水平。


分子束外延是製備半導體多層單晶薄膜的外延技術，現在已擴展到金屬、絕緣介質等多種材料體系，成為現代外延生長技術的重要組成部分。

分子束外延也是目前生長半導體晶體、半導體超晶格的關鍵設備，所用的原料純度非常高。可以製備：III-V族化合物半導體GaAs/AlGaAs；IV族元素半導體Si、Ge；II-VI族化合物半導體ZnS, ZnSe等。

Alfa Aesar為MBE設備提供全套純元素蒸發源，單質純度及物料形態多種可選，例如：

貨號

產品描述

038624

鍶, 蒸餾枝形片狀 99.95% 

044037

鈰棒, 6.35mm  (0.25in) 直徑,  99.9% (去除 Ta)

011009

錫粒, 3mm (0.1in), Puratronic®,  99.9999%

040292

鑭棒, 6.35mm  (0.25in) 直徑,  99.9% (REO)

000428

銻粒, 1.5-5mm (0.06-0.2in),  Puratronic®, 99.9999%

036208

硒粉, -200 目,  99.999% 

042388

鈦柱, 6.35mm (0.25in) 直徑 x  6.35mm (0.25in) 長, 99.98%

042333

鎳柱, 3.175mm  (0.125in) 直徑  x 3.175mm (0.125in) 長, Puratronic®, 99.995%

012134

硼片, 晶狀,20mm  (0.8in)或更小, 99.5%

011442

鐵棒, 5mm  (0.2in) 直徑,  Puratronic®, 99.995% 

010351

鉭箔, 0.025mm (0.001in) 厚, 硬質, 99.95%

010046

鉬箔, 1.0mm (0.04in) 厚, 99.95%

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Alfa Aesar-科研化學品、金屬和材料

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