英特爾反轉?中科院FinFET專利被宣告部分無效

2020-12-06 電子工程專輯

可能誰都想不到，一件美國專利的持有者竟是一家國內的科研機構，並且這項專利還廣泛用於英特爾酷睿（Core）系列處理器中。1HWEETC-電子工程專輯

2018年2月，中國科學院微電子研究所（IMECAS）將一紙發明專利侵權訴訟送於北京高院，被告為英特爾、戴爾（中國）有限公司和北京京東世紀信息技術有限公司。微電子所訴稱，英特爾酷睿（Core）系列處理器侵犯了其名為「半導體器件結構及其製作方法、及半導體鰭製作方法」的FinFET（Fin Field-Effect Transistor，中文名為鰭式場效應電晶體）專利，要求英特爾停止侵權，賠償至少2億元人民幣，並承擔訴訟費用，同時申請法院下達禁令。1HWEETC-電子工程專輯

北京市高級人民法院於2018年3月立案，立案同時，英特爾首次向覆審委提出FinFET專利無效申請。期間共先後6次在中國和美國對涉訴專利及其美國同族，提起專利無效申請或覆審請求，均未得到理想結果。1HWEETC-電子工程專輯

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英特爾前五次提起的專利無效申請或覆審請求，第六次在2020年7月提出1HWEETC-電子工程專輯

近日這件專利侵權案出現了反轉。據集微網報導，11月4日，國家知識產權局就201110240931.5發明專利（也就是上文提到的FinFET專利）無效申請案下達無效宣告請求審查決定書，宣告該專利權部分無效。1HWEETC-電子工程專輯

本次宣告是基於英特爾公司今年7月在國內提交的無效申請，英特爾提交了CN102768957A專利（下稱「證據1」）作為證據，要求宣告涉案專利權利要求8、10、14無效。當時《電子工程專輯》也做了跟進報導，但國家知識產權局專利覆審委員會只是進行了口頭審理，沒有公布結果。1HWEETC-電子工程專輯

國家知識產權局專利覆審和無效審理部合議組經審理認為，FinFET專利「權利要求8、10、14相對於證據1不具備專利法第22條第2款規定的新穎性」，因此宣告FinFET專利的權利要求8、10、14無效。1HWEETC-電子工程專輯

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證據1專利信息，申請時間為2011年5月6日（圖自：國家知識產權局）1HWEETC-電子工程專輯

值得一提的是，導致FinFET專利被部分無效的關鍵證據1，同樣是中科院微電子所於2011年申請的專利，該專利申請時間較涉案FinFET專利早3個月。證據1專利發明人欄中的梁某和鍾某同樣是FinFET專利的主要發明人。1HWEETC-電子工程專輯

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涉案FinFET專利申請時間為2011年8月22日（圖自：國家知識產權局）1HWEETC-電子工程專輯

據公開資料，FinFET 是一種3D電晶體設計，與普通平面電晶體相比，具有電學性能良好、可擴展性強和兼容性較高等優勢，備受業界的矚目。值得注意的是，韓國高級科學技術研究院也曾就 FinFET 相關技術與三星電子引發專利糾紛，最終三星電子敗訴並賠償 4 億美金而告終。1HWEETC-電子工程專輯

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英特爾從2011 年 22nm 工藝三代 Core 處理器，就開始採用 FinFET 技術，隨後臺積電才跟進。Core 系列處理器奠定了英特爾消費類PC的霸主之路，現在FinFET 也是全球主流晶圓廠的優先之選。1HWEETC-電子工程專輯

業界普遍認為， FinFET 技術只能最多應用到 5 納米工藝，然而前段時間，臺積電方面表示，其 3 納米工藝，也會採用 FinFET 技術，可見 FinFET 技術具備不小的潛力和較高的商業價值。這起專利侵權訴訟可以說波及面非常廣。1HWEETC-電子工程專輯

責編：Luffy Liu1HWEETC-電子工程專輯

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