SDH8594AS內置高壓MOS管高精度原邊控制開關電源晶片是離線式開關電源集成電路，是外置線損補償和內置峰值電流補償的高端開關電源控制器。通過檢測變壓器原級線圈的峰值電流和輔助線圈的反饋電壓,控制系統的輸出電壓和電流,達到輸出恆壓或者恆流的目的，驪微電子的SDH8594AS集成多種保護,有效減少額外的器件數量和尺寸。
1. 電路啟動和欠壓鎖定：系統上電，電路由內置耗盡型MOS管對vCC管腳外置的電容充電。當VCC上升到18V,電路開始工作,關斷耗盡型MOs:在電路正常工作過程中,由輔助線圈供電來維持VCC電壓;當VCC下降到85V進入欠壓鎖定狀態,耗盡型MOS管打開,對VCC電容供電,VCC上升到18V,電路啟動重新工作。
2、峰值電流檢測和LEB：當驅動為高電平，MOS管導通,通過採樣電阻檢測呈線性增大的原級線圈的電流,當達到設定的電流限制值即峰值電流,MOS管關斷。
3、CV控制方式：當MOS管關斷,反饋電壓為正,在FB為正的2/3~1/2時間點進行採樣,採樣得到的電壓經過與恆壓閾值Vc的比較、放大,產生恆壓環路的關斷時間ToF,從而實現輸出的恆壓。在輕載或者中載的時候,恆壓環路產生不同的峰值電流。
4. CC控制方式：通過電路對FB為正、為負或準諧振的時間進行計算,FB為正的時間為ToF1表示變壓器的次級線圈有電流,FB為負的時間為TN,FB衰減振蕩的時間為ToFF2,在這兩個時間內變壓器的次級線圈沒有電流。
5. 峰值電流補償：由關斷延遲時間導致實際檢測到的峰值電流值,隨著輸λ交流電壓的増大而増大,而峰值電流值直接反映輸岀電流因此造成輸出電流隨輸入交流電壓的線性調整率會比較差。sDH8594AS利用導通時間來控制峰值電流,使不同輸入電壓下的峰值電流基本保持不變,改善輸出電流的調整率。
6. 線損補償：在實際的應用設計中,輸岀電壓在電纜線上會有不同程度的壓降ⅤAB。在不同的電流情況下,輸岀端的整流二極體壓降VD也會發生改變,需要綜合考慮，SDH8594AS通過內部一個電流源來產生帶有失調的反饋電壓VFB。內部電流源的大小與輸出電流大小成比例關係。當負載電流從滿載到空載的時候，ⅤFB的失調電壓増加,增加量可以通過反饋電阻R1和R2調節。
7. 各種保護措施：晶片內部集成多個保護功能,包括過溫保護、FB過壓保護、VcC過壓保護、輸岀短路保護、限流保護、最大導通時間保護等功能,全部都是晶片自動恢復(除了限流保護),即檢測到異常狀態後,晶片關斷輸出,VCC電壓開始下降到欠壓點,關斷內部全部模塊,通過耗盡型MOS對∨CC端電容進行充電,重複一個晶片啟動的過程。
8.PFM調製頻率的設定：驪微電子的SDH8594AS在PFM調製頻率範圍由導通時間TN和恆壓環路控制關斷時間T。F所決定。因此當關斷時間最長T。FFma時,系統處於最小限制頻率狀態,工作頻率最低;當關斷時間最短 ToFFmink時,系統處於最高頻工作狀態,工作頻率達到最高。