在國產NAND快閃記憶體取得突破的同時，國內的NOR快閃記憶體也在不斷前進。日前武漢新芯科技XMC公司研發的50nm工藝、浮柵極NOR快閃記憶體正式量產出貨，容量16Mb到256Mb，工作溫度範圍可達-40℃到105℃。
NOR快閃記憶體不同於NAND快閃記憶體，性能及容量全都落後於後者，但是可靠性高，目前主要用於各種嵌入式領域，比如車載電子、物聯網等等，而武漢新芯是國內主要的NOR快閃記憶體供應商之一。
全球NOR快閃記憶體主流工藝還停留在90-65nm工藝，新芯科技這次量產的50nm工藝NOR已經很先進了，這次推出的主要是Floating Gate浮柵極工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC快閃記憶體，支持低功耗寬電壓工作，可為物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
XM25QWxxC系列快閃記憶體在1.65V至3.6V電壓範圍內讀取速度可達133MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），工作溫度範圍可達-40℃到105℃。
在電源電壓下降後，時鐘速度沒有任何減慢，其傳輸速率可以勝過8位和16位並行快閃記憶體。
在連續讀取模式下能實現高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實現真正的XIP（execute in place）操作。
據官網介紹，武漢新芯集成電路製造有限公司成立於2006年，為全球客戶提供專業的12英寸晶圓代工服務，專注於NOR Flash和CMOS圖像傳感器晶片的研發和製造。
目前，武漢新芯在上海、蘇州、深圳、日本等地均設有辦事處，為中國和世界各地的客戶提供業務和技術服務。
武漢新芯是中國乃至世界領先的NOR Flash供應商之一，產品覆蓋全球工商業市場。武漢新芯生產的CMOS圖像傳感器晶片集高性能、低功耗的優點於一體，廣泛應用於智慧型手機市場。