QLC快閃記憶體已被強力吐槽 更渣的PLC快閃記憶體冒頭了

2020-11-22 驅動之家

NAND快閃記憶體晶片價格連跌了6個季度，上遊廠商叫苦不迭，但是下遊廠商及消費者總算喘了口氣，智慧型手機128GB容量都是標配了，1TB SSD硬碟也實惠多了，可以讓HDD硬碟見鬼去了。

NAND快閃記憶體下一步還要怎麼發展？我們知道提高3D NAND快閃記憶體容量現在主要有兩個方向了，一個是提高堆棧層數，今年多家NAND公司量產了96層堆棧的3D快閃記憶體，三星日前還首發了136層堆疊、256Gb（32GB）的第六代V NAND（3bit，也就是TLC）快閃記憶體，很快其他廠商也會跟上。

另一個提高快閃記憶體容量、降低成本的方式就是提高快閃記憶體cell單元的bit位元，所以就有了SLC、MLC、TLC、QLC快閃記憶體之分，它們每個單元中分別容納了1bit、2bit、3bit、4bit位元，而主控需要控制2組、4組、8組、16組不同的電壓，越來越複雜，而且寫入性能直線下降，可靠性也會下滑。

QLC快閃記憶體從去年到現在正在快速進入市場，但是大家對QLC快閃記憶體的評價可不高，雖然市售產品的性能指標看起來不錯，但是沒有了SLC緩存、DRA緩存拉高性能，QLC快閃記憶體的原始寫入性能實際上只有80MB/s，比HDD硬碟都不如（但隨機性能依然秒殺）。

這個問題也是QLC快閃記憶體普及的障礙，不過普通人也沒什麼辦法，隨著生產的擴大，QLC快閃記憶體遲早會是主流選擇之一。

那QLC快閃記憶體之後，實際上5bit MLC快閃記憶體也一直在研究中，其名字可能是Penta Level Cells，簡稱PLC，它要控制32組不同的電壓，更加複雜了，所以過去一兩年雖有零星報導，但是談量產、上市還有點早。

在剛剛開幕的2019 FMS國際快閃記憶體會議上，東芝已經開始探討PLC快閃記憶體的可能了，目前還沒實物，但是這也代表著PLC快閃記憶體已經開始嶄露頭角了，說不定哪天就真的上市了。

對於PLC快閃記憶體，現在沒有什麼實際的規格、性能，但是QLC快閃記憶體性能都比不過HDD硬碟，PLC只能更渣，這個是天生的，只能靠各種緩存技術來提升下了。

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  • QLC快閃記憶體性能低?取代HDD的會是它
    每個cell單元存儲2bit信息，電壓有000,01,10,11四種變化，所以它比SLC需要更複雜的的電壓控制，加壓過程用時也變長，意味著寫入性能降低了，同時可靠性也下降了，P/E壽命根據不同製程在3000-5000次不等，有的還更低。
  • QLC、PLC快閃記憶體有多慘 最快35次寫完 不過別怕...
    QLC、PLC快閃記憶體有多慘 最快35次寫完 不過別怕..... SSD硬碟現在已經開始從TLC快閃記憶體向著QLC快閃記憶體升級，未來很快還會升級到PLC，容量還會增加，但是代價就是寫入壽命越來越低。從行業報告來看，PLC快閃記憶體的P/E壽命最短只有35次。
  • QLC與TLC快閃記憶體有什麼不一樣的地方
    SSD的成本主要來源於快閃記憶體，在TLC快閃記憶體能夠實現TB容量可惜價格未能降下來。只有不斷開發新類型的快閃記憶體，解決容量與價格的矛盾，才能讓SSD真正在大數據時代發揮應有作用。 這時，QLC 快閃記憶體就應運而生， 目前，東芝和西數先後宣布成功開發基於四比特單元3D NAND快閃記憶體晶片，即QLC快閃記憶體，這也意味著QLC SSD將要來臨。
  • 快閃記憶體廠商密謀PLC快閃記憶體:成本再降25% 2021年前不會上市
    隨著NAND快閃記憶體不斷跌價，上遊的NAND廠商們也不斷推出更廉價的快閃記憶體解決方案，去年QLC快閃記憶體開始上市，這還沒等普及呢，業界今年開始討論起PLC快閃記憶體了SLC、MLC及TLC快閃記憶體大家已經比較熟悉了，QLC快閃記憶體指的是4bit MLC，每個cell
  • 3D NAND快閃記憶體顆粒SLC、MLC、TLC、QLC的區別是什麼?
    快閃記憶體是一種永久性的半導體可擦寫存儲器，U盤、SD存儲卡、SSD 等都屬於快閃記憶體。3D NAND顆粒又可以分為32層、48層甚至64層或更高層次，3D TLC/MLC顆粒的不同產品，各大廠商的技術不盡相同。
  • QLC快閃記憶體續命神器 國產SSD主控廠商開發4K LDPC算法
    國內的主控廠商聯芸科技日前宣布研發成功4K LDPC算法，這是國內SSD主控晶片廠商第一次實現該技術的連續突破，將極大地提高QLC快閃記憶體的可靠性及使用壽命。提到QLC快閃記憶體，很多SSD硬碟用戶覺得很雞肋，對其可靠性嚴重不放心。
  • 只有35次完全擦寫的PLC快閃記憶體SSD:入坑需謹慎
    ，那就是快閃記憶體顆粒的壽命，隨著PLC顆粒的來臨，超低壽命的NAND快閃記憶體終於成為消費者不得不注意和避免一個天坑。 而現在隨著TLC快閃記憶體的到來，單位體積的快閃記憶體密度成倍提升，從而讓大容量快閃記憶體逐漸來到消費者的面前，要是同樣的容量採用的是SLC快閃記憶體，或許現在的SSD其售價就要增加3-4倍之多。也就是說正是因為像TLC快閃記憶體這樣的產品普及，我們才能使用到物美價廉的SSD，於是目前絕大部分的SSD都採用TLC快閃記憶體，目前看來是維繫容量與售價之間最好的選擇之一。
  • 如何為系統選擇合適的NAND快閃記憶體?
    憑藉快閃記憶體控制器，可以通過仔細管理塊的使用方式，達到最大限度化提高有限的耐用性，以確保它們均被平等地使用。 這是由快閃記憶體應用的一種技術，稱為損耗平衡。儘可能減少開銷量也很重要，從而達到寫入放大。SMxednc內存的壽命也可以通過預留空間來延長，這會減少用戶可見的內存並增加備用內存。
  • TLC 快閃記憶體顆粒為什麼不好?
    TLC是一種快閃記憶體顆粒的存儲單元，它的英文是TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell。在TLC發明之前，固態硬碟大部分採用SLC和MLC，即Single-Level Cell單層單元和Multi-Level Cell多層單元。
  • 比QLC更不耐用的PLC顆粒被低估了:這些應用領域你想不到
    理論上講，PLC快閃記憶體相比QLC快閃記憶體的穩定性會更低，可靠性也更差。但其容量密度卻會更大，價格也會更加的便宜。它又是否能成為壓死機械硬碟的最後一根稻草呢？像QLC快閃記憶體每個cell單元可以存儲4位電荷，總共就是有4x4=16組電壓變化，控制起來複雜讓寫入速度變慢，可靠性也更差。而這次在快閃記憶體峰會上所展示的5bit/cell的PLC（Penta-level cell）快閃記憶體，其存儲密度比QLC更高，這意味著其對主控、電路設計的要求也更高，PLC快閃記憶體需要主控準確控制32路電壓，挑戰可謂是相當大。
  • 你知道NAND快閃記憶體的種類和對比?
    由於快閃記憶體的成本取決於其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，快閃記憶體將更具成本效益。NAND快閃記憶體有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同的單位面積上，TLC快閃記憶體比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND快閃記憶體稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。
  • 3D NAND快閃記憶體有多遠?未來將如何發展?
    儘管與傳統的HDD相比仍存在價格優勢，但3D架構的發展將快閃記憶體存儲擴展到更廣闊的市場，因為它具有更高的可擴展性和可負擔性。 3D技術：浮柵與電荷陷阱技術 自從1980年代SLC快閃記憶體的2D平面景觀問世以來，快閃記憶體驅動器一直在使用浮柵技術。
  • 話題回歸於成本 快閃記憶體存儲為何升溫不停?
    【PConline 雜談】快閃記憶體存儲機制在進入我們的視線以來，一直在拿求速求量的慣用方式在吸食著不同市場，從消費領域到數據中心，快閃記憶體技術都在拿出成本與功耗、延遲等等技術關鍵詞做換算。在前不久，甚至有快閃記憶體技術成本將有低於SATA磁碟，再次拉拽我們再次關注固態快閃記憶體技術最基本最核心的關鍵詞：成本。
  • 數據存儲洪流下 PCIe快閃記憶體緣何脫穎而出?
    為滿足這樣的需要，企業客戶正主動將快閃記憶體加入到其存儲基礎設施中。　　由於需求加速增加，以及獲得客戶的認可，各公司的CIO們迅速認識到，快閃記憶體非常適合於資料庫、數據倉庫和大數據分析等性能密集型應用。　　儘管業界在大談全快閃記憶體和混合快閃記憶體陣列，然而，伺服器端快閃記憶體尤其是PCIe快閃記憶體出貨量已經開始起飛。Gartner Group預計，伺服器端快閃記憶體的出貨量在2015年將超過100萬片。
  • 全快閃記憶體陣列供應商TOP 10,第一不太出名?
    【IT168 評論】隨著快閃記憶體成本的降低，其遠遠優於傳統機械硬碟存儲的性能優勢也被逐漸放大，加上業務需求等一系列原因，在數據中心部署全快閃記憶體存儲陣列也越來越普遍。Gartner在2017年年中發布的一項關於全快閃記憶體市場的調查報告中指出，全快閃記憶體陣列市場在2016年增長了72%，總收入約46億美元。
  • 石墨烯聯手輝鉬礦催生新型快閃記憶體
    據物理學家組織網近日報導，瑞士洛桑聯邦理工學院的科學家通過將石墨烯和輝鉬礦（分子式為MoS2）兩種具有優越電性能的材料相結合，製成了新型快閃記憶體的原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。相關研究報告發表在近期出版的《美國化學學會·納米》雜誌上。 　　輝鉬礦在自然界的儲量十分豐富。
  • Flash存儲器快閃記憶體工作原理及具體步驟
    什麼是快閃記憶體?了解快閃記憶體最好的方式就是從它的「出生」它的「組成」均研究的透徹底底的。 　　快閃記憶體的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與矽襯底之間有二氧化矽絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會洩漏。採用這種結構，使得存儲單元具有了電荷保持能力，就像是裝進瓶子裡的水，當你倒入水後，水位就一直保持在那裡，直到你再次倒入或倒出，所以快閃記憶體具有記憶能力。
  • 都是存儲器,但RAM、ROM、快閃記憶體、硬碟怎麼分?
    曾經有一段時間，我對電腦、手機上的RAM、ROM、內存、快閃記憶體、運行內存、機身內存、存儲空間等都"傻傻分不清楚"，後來花了不少時間，才把這幾者的來龍去脈分清楚。存儲器是電腦中的重要部件，主要分為以RAM和ROM為代表的內存（主存儲器），和以機械硬碟和快閃記憶體為代表的外存（輔存儲器）。很多人都知道內存是用來運行程序的，但未必了解其實內存和外存都會存儲數據，只不過是分工不同。內存的英文名為Memory（記憶），可以理解成它是用於即時任務的短暫記憶體。
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