「MEMS矽晶圓」雷射內部改質切割設備

2020-11-25 大族雷射顯視與半導體

微機電系統(MEMS,Microelectromechanical systems)是一種在微米操作範圍內將微電子技術和機械工程融合到一起的工業技術。其最初產生於1950至1960年代,迄今為止已經經歷了至少三次較大的應用浪潮[1],分別為孵化階段、汽車應用以及消費類應用。從煙霧傳感器、壓感晶片、測溫晶片,到手機的中的麥克風、陀螺儀等,MEMS已經深入到工業和生活的方方面面,而隨著物聯網的發展,未來對傳感器的需求也將呈指數級上升。

MEMS發展浪潮

MEMS結構屬性需求

MEMS晶粒的機械結構包括但不限於懸臂結構、齒輪結構、鉸鏈結構、橋型結構以及薄膜結構,這些結構宏觀上非常脆弱,但能夠精密地相對運動。在封裝前,MEMS晶片的這些核心結構被直接暴露在外,許多MEMS晶片的物理結構極其敏感(例如薄膜結構)。如果採用傳統刀輪切割技術,加工過程中冷卻水的使用將會使得晶片暴露在外的結構出現汙染以及物理損壞;而雷射內部改質切割技術全程潔淨乾燥且無接觸,自然成為了行業內切割MEMS晶片的最有效方案。

雷射內部改質切割技術

雷射內部改質切割技術是由紅外雷射聚焦到材料內部,經過雷射掃描後形成多層改質層,其利用了雷射引導熱裂紋的方法原理(LITP, laser induced thermal-crack propagation),促使材料沿預設切割方向自然裂開的工藝。經過雷射內部改質切割的MEMS矽晶圓,可以通過直接擴膜來實現晶粒之間分離。該技術除了前面提及的潔淨乾燥優勢,另外在加工時產生的切割損耗(kerf loss)也基本完全消除,從而可減小晶圓片的預設切割道、增加單片晶粒數量,最終提升產品良率、節約製造成本。

雷射內部改質切割示意圖

技術創新升級

雖然雷射內部改質切割方案在切割過程中不產生碎屑、髒汙等汙染,但是在擴膜分片過程中,分開的界面處從原理上仍然有可能掉落矽屑,從而影響較敏感產品的良率。大族顯視與半導體針對矽襯底的特點,自主研發出獨特的光學系統,能夠有效優化雷射單脈衝的打點幾何形狀、控制裂紋形貌,以此提升裂紋向解理方向擴展的簡易程度;該光學方案有效優化切割後的斷面平整度,減小側壁的表面積,從而在根本上抑制了矽屑的產生。

大族顯視與半導體雷射內部改質切割設備加工時產生的引導裂紋形狀比一般雷射矽切割設備更銳利,因此可以使用更少的掃描次數來完成裂紋在垂直晶圓面方向上的裂紋接力,從而產生更好的斷面均勻性;切割後的整體直線度在5μm以內,擴膜後無雙晶且沒有產生可見的矽屑。

「MEMS矽晶圓」雷射內部改質切割設備
產品加工效果
擴膜後效果

Reference

[1] R. Bogue, Recent developments in MEMS sensors: a review of applications, markets and technologies, Sens. Rev. 33 (4) (2013) 300304.

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