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華為在通訊領域的強勢崛起，引起了美國的警覺。為了限制華為的發展，美國不惜動用舉國之力對其進行限制。較為致命的一個打擊就是晶片，臺積電雖然已經獲得華為供貨的資格，但是高端5nm、7nm工藝製程的晶片依然無法代工，也包括華為5G基帶晶片！華為斷臂求生，不得已出售了榮耀品牌，儘可能將損失降至最低。有人不禁會問，國內光刻機精度雖然較低，能否通過增大處理器的體積來獲得同樣的性能呢？
華為出售榮耀品牌已經從側面回答了這個問題，答案是不現實。不僅僅是臺積電受制於美國，即便是中芯國際同樣也較為忌憚，關鍵是都脫離不開美國在晶片的核心技術。想要徹底擺脫美國的限制，使用荷蘭ASML公司的光刻機恐怕並不現實，只能夠使用國內自行研發的光刻機。代表國內光刻機最高水平的是上海微電子裝備股份有限公司，該公司600系列光刻機最高能夠實現90nm工藝製程，華為麒麟9000處理器使用的是5nm工藝製程。
或許您對5nm、90nm工藝製程之間的差異並沒有一個明顯的概念，依然拿華為手機處理器來說明。華為第一款手機處理器並非是麒麟處理器，而是在2008年由華為海思推出的K3處理器，使用的工藝製程為130nm。之後推出的K3v2處理器使用的40nm工藝製程，K3v3處理器使用的是28nm工藝製程。大家可以自行腦補，2008年的時候手機都可以做哪些事情。即便手機功能並不強大，海思K3處理器也並不成功，甚至後來華為都開始棄用，出售給一些山寨手機廠商使用。
那麼，通過增大處理器面積來提升性能的做法有哪些不可取之處呢？
同樣的晶片體積，能夠容納電晶體數量越多，意味著使用的工藝製程越先進。反之，工藝製程上的差距，想要容納同樣數量的電晶體，代表需要佔用的晶片體積也就越高。對於伺服器、臺式機等體積較大產品來說問題或許不大，但是對於空間有限的手機來說並不適用。智慧型手機流行的今天，如果有人在拿出大哥大您一定會覺得詫異（雖然並沒有這麼誇張，意思如此）！另外一大因素就是功耗，功耗過大會導致兩個問題，一個是電池容量不足，無法滿足一天一充的基本需求；一個是手機內部溫度過高，會導致處理器降頻運行，甚至是導致手機工作不穩定，頻繁出現死機的問題。
通過做大處理器的體積來提升心性能的問題，是否可行，您怎麼看？歡迎大家留言討論。