冰刻技術完全可以實現與EUV光刻機相當的精度。只不過要實現這個精度，必須讓電子束直寫光刻機的的解析度達到納米級別才行。
其實「冰膠+電子束」的效率是遠遠比不上「光刻膠+光刻機」的。因為要讓水蒸氣凝結在晶片上，還必須在零下140℃進行，此外使用的還是電子束刻機，要一點一點的進行雕刻那速度比較慢。從製造效率上來看，這種冰刻技術是不如光刻機的。而冰刻的解析度主要取決於電子束刻機，雖說電子束直寫光刻機的精度已經達到了10納米左右甚至以下的精度，但是國內電子束直寫光刻機的精度在1微米，還沒有達到納米級別。事實上，冰刻技術只是將化學的光刻膠換成了水蒸氣而已。
早在2018年，就發布了冰刻系統，這次的冰刻則是其升級版，主要就是將原料生產為成品。由於傳統的光刻膠屬於化學試劑，在光刻完成後還要進行清洗，清洗不乾淨的話就會導致良品率下降。而使用水蒸氣凝固代替傳統的光刻膠之後，就不存在清洗不乾淨這類問題了。
在電子束的作用下，凝固的水蒸氣可以直接液化消失而不會殘留在晶片上，這樣一來就不會導致晶片被汙染了，這是冰膠相對於傳統光刻膠的優勢所在。但是使用冰膠前，要將晶片放在零下140℃的真空環境中，給其降溫，再通入水蒸氣。相對於傳統的光刻膠來說，就多了這樣一個步驟。估計當水蒸氣凝固在晶片上之後，從拿出來，到光刻完成之前都要在0℃以下的環境中進行操作，畢竟溫度超過0℃，凝固的水蒸氣就有可能液化成水，這也是相對於傳統光刻膠的一個缺點。
由於冰刻系統的解析度與電子束直寫光刻機的解析度有關，只要電子束直寫光刻機的解析度可以達到EUV光刻機的解析度，那麼使用冰刻系統生產的晶片的製程工藝就可以達到EUV光刻機的生產晶片的製程工藝。
只不過，現在世界上解析度最高的電子束直寫光刻機掌握在日本的JEOL和Elionix這兩家公司手中。其中JEOL公司製造的的JBX-9500S電子束直寫光刻機的套刻精度為11納米，最小解析度在0.1納米左右。而Elionix公司製造ELF10000電子束直寫光刻機的解析度為100納米。而國產BGJ-4電子束直寫光刻機的解析度為1微米，由此可見，即便使用了冰膠，在立足於國內電子束直寫光刻機的前提下，是達不到國產SSA600/20的解析度，更別說趕上EUV光刻機了。
我國碳基晶片的發展還是很快的，基本上與美國的技術不相上下。目前的碳基晶片已經突破到了3納米，而我國正在向0.5納米進發。碳基晶片的性能要比傳統的矽基晶片強不少，基本上90納米的碳基晶片性能相當於28納米的矽基晶片，45納米的碳基晶片相當於7納米的矽基晶片。只不過，碳基晶片依然要用到光刻機，現階段國內製程工藝最小的光刻機也停留在90納米，而使用冰膠的電子束直寫光刻機還在微米層。所以說，這次冰刻技術對國內碳基晶片的幫助不是很大。