ASML已基本完成1nm晶片的EUV光刻機設計

2020-12-03 電子工程專輯

根據外媒報導，日前在日本東京舉行了 ITF （IMEC Technology Forum,. ITF） 論壇。在論壇上，與荷蘭商半導體大廠艾司摩爾 （ASML） 合作研發半導體光刻機的比利時半導體研究機構 IMEC 正式公布了 3 納米及以下工藝的在微縮層面的相關技術細節。x9IEETC-電子工程專輯

根據其所公布的內容來分析，ASML 對於 3 納米、2 納米、1.5 納米、1 納米，甚至是小於 1 納米的工藝都做了清楚的發展規劃，代表著 ASML 基本上已經能開發 1 納米工藝的光刻設備了。x9IEETC-電子工程專輯

報導指出，在論壇中，IMEC 公司總裁兼首席技術官 Luc Van den hove 在主題演說中先介紹了公司研究概況，強調透過與 ASML 的緊密合作，以及將下一代高辨識率極紫外光 (EUV) 光刻技術進行了商業化。x9IEETC-電子工程專輯

IMEC公司強調，將繼續把工藝規模縮小到1nm及以下。包括日本在內的許多半導體公司相繼退出了工藝小型化，聲稱摩爾定律已經走到了盡頭，或者說成本太高，無利可圖。x9IEETC-電子工程專輯

根據臺積電和三星電子介紹，從 7 納米工藝技術開始，部分工藝技術已經推出了 NA=0.33 的 EUV 光刻設備，5 納米工藝技術也達成了頻率的提升，但對於 2 納米以後的超精細工藝技術，則還是需要能夠達成更高的辨識率和更高 NA （NA=0.55） 的光刻設備。x9IEETC-電子工程專輯

據IMEC介紹，ASML已經完成了作為NXE:5000系列的高NA EUV光刻系統的基本設計，但商業化計劃在2022年左右。這套下一代系統將因其巨大的光學系統而變得非常高大，很有可能頂在傳統潔淨室的天花板下。x9IEETC-電子工程專輯

ASML目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D計劃明年年中出貨，生產效率將提升18%。x9IEETC-電子工程專輯

ASML過去一直與IMEC緊密合作開發光刻技術，但為了開發使用高NA EUV光刻工具的光刻工藝，在IMEC的園區裡成立了新的「IMEC-ASML高NA EUV實驗室」，以促進共同開發和開發使用高NA EUV光刻工具的光刻工藝。該公司還計劃與材料供應商合作開發掩模和抗蝕劑。x9IEETC-電子工程專輯

Van den hove最後表示：「邏輯器件工藝小型化的目的是降低功耗、提高性能、減少面積、降低成本，也就是通常所說的PPAC。除了這四個目標外，隨著小型化向3nm、2nm、1.5nm，甚至超越1nm，達到亞1nm，我們將努力實現環境友好、適合可持續發展社會的微處理器。」他表示，將繼續致力於工藝小型化，表現出了極大的熱情。x9IEETC-電子工程專輯

責編：Yvonne Gengx9IEETC-電子工程專輯

本文綜合自IT之家、TechNews、快科技x9IEETC-電子工程專輯

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