摩爾定律永無止境
比利時的獨立半導體高科技研究機構imec每年都會在東京舉辦該公司的年度研究介紹活動「 imec技術論壇（日本）」，由於疫情原因，今年以在線形式於舉行。
imec執行長兼總裁Luc Van den hove做了主題演講，概述了該公司的研究，該公司和ASML密切合作，共同開發了下一代高解析度EUV光刻技術，即High NA EUV。他強調說，通過將光刻技術投入實際使用，摩爾定律將不會終止，並且該工藝將繼續改進到1 nm或更小。
imec執行長兼總裁Luc Van den hove強調「摩爾定律永無止境」imec執行長兼總裁Luc Van den hove強調「摩爾定律永無止境」
包括日本半導體公司在內的許多半導體公司紛紛退出了工藝微型化，稱「摩爾定律已結束」或「高成本且無用」，但imec始終不拋棄不放棄！為延長摩爾定律的壽命始終如一研發到底，現已成為世界上最先進的微型化研究機構。
對於超小型化必不可少的EUV光刻技術，儘管日本光刻設備製造商已在開發階段退出，但為了我們公司的運氣，我們一直在與ASML合作開發該技術。
至於超大規模不可缺少的EUV光刻技術，在日本光刻設備廠商紛紛退出研發的同時，imec與ASML合作研發至今，賭上了自己公司的命運，不斷推進。現在用於1nm的光刻設備終於要開花結果了！
imec發布了超過1nm的邏輯器件路線圖
imec在ITF Japan 2020上提出了縮小3nm，2nm，1.5nm和1nm以上邏輯器件小型化的路線圖。
imec邏輯設備小型化的路線圖imec邏輯設備小型化的路線圖
圖中以技術節點名稱命名的PP是多晶矽布線間距（nm），MP是精細金屬布線間距（nm）。需要注意的是，過去的技術節點指的是最小加工尺寸或柵極長度，現在只是 "標籤"，並不指某一位置的物理長度。
此處顯示的結構和材料（如BPR，CFET和使用2D材料的通道）已單獨發布。
EUV的高NA對進一步微型化至關重要
據臺積電和三星電子介紹，從7nm工藝開始，部分工藝已經推出了NA(Numerical Aperture)=0.33的EUV光刻設備，並通過降低波長來實現5nm工藝，但對於2nm以後的超精細工藝，需要實現更高的解析度和更高的光刻設備。
EUV光刻設備的技術路線圖EUV光刻設備的技術路線圖
ASML已經完成了HIGH NA EUV光刻設備NXE：5000系列的基本設計，但計劃於2022年左右商業化。由於所使用的光學系統非常龐大，使得這臺下一代機器很高大，基本上頂到了常規潔淨室的天花板。
當前量產的EUV光刻設備（NA= 0.33）（前）和下一代高NA EUV光刻設備（NA =0.55）（後）的尺寸比較當前量產的EUV光刻設備（NA= 0.33）（前）和下一代高NA EUV光刻設備（NA =0.55）（後）的尺寸比較
ASML一直與imec密切合作開發光刻技術，但是關於使用HighNA EUV光刻設備進行光刻工藝的開發，「 imec-asml high na EUV LAB」則位於imec園區。將在那裡進行聯合開發，還將與材料供應商一起開發掩模和抗蝕劑。
ASML-IMEC High NA EUV研究設施ASML-IMEC High NA EUV研究設施
最後，Luc Van den hove表示：「使邏輯器件的過程小型化的目的是減少功耗，提高性能（電氣性能），減小晶片面積，通常稱為PPAC。降低成本：當將微型化推進到低於3 nm、2 nm、1.5 nm甚至1 nm時，除了這四個因素外，還應充分考慮環境因素。」他表示，表明他願意繼續改進這些程序。
「邏輯器件工藝小型化的目的是降低功耗、提高性能、減少面積、降低成本，也就是通常所說的PPAC。除了這四個目標外，隨著小型化向3納米、2納米、1.5納米，甚至超越1納米到亞1納米的發展，我們將努力實現環境友好、適合可持續發展」。