眾所周知，當晶片進入到7nm以後，在生產中必須需要用到一種設備，那就是EUV光刻機，也就是極紫外線光刻機。
目前全球僅有一家廠商能夠生產EUV光刻機，那就是荷蘭的ASML，所以全球的有實力的、想進入7nm或更低製程的晶片企業，都眼巴巴的盯著ASML，想要購買ASML的EUV光刻機。
那麼問題就來了，為何EUV光刻機這麼難生產，只有ASML能造，其它廠商都造不出來？
當然，要說清楚這個問題很複雜，但回到極紫外線光刻機本身來看，可以說就單單產生出極紫外線（EUV）這一個環節，就已經難倒了其它光刻機廠商了。
我們知道極紫外線是指波長為13.5納米的光線，也正因為波長非常短，所以要通過特殊的方法來把它製造出來。
其實在2014年前，製造極紫外線光都是無法實現的，直到2014年有一家公司叫做Cymer，可以提供250W的穩定的二氧化碳雷射，才有了大規模生產EUV的可能性，但這家公司在2012年就已經被ASML收購了。
現在，在ASML的EUV光刻機中，ASML先把高純度的錫加熱到熔化，再噴射到真空中形成一顆一顆的小錫珠。然後用雷射照射這些錫珠（滴），使其變為粉餅狀，產生更大的表面積。再用高功率的二氧化碳雷射照射這些粉餅，就得到了高熱等離子體，放射出極紫外線（EUV）了。
接下來要做的事情，就是把這個EUV收集起來，使其有方向性，成為一束光。這個過程中使用的是布拉格反射器，全稱是Distributed Bragg Reflector（分布式布拉格反射器）。
它的作用是把四散的EUV光，收集成一束，按照設定的方向進行投射，在ASML的EUV光刻機中，布拉格反射器採用矽和鉬作為主要原料，有超過40層介質層，每層的厚度只有不到4納米（因為極紫外線的波長為13.5納米）。
可以說，直到這裡，才將極紫外線的完整的生產出來、並收集成一束光，可以用於後續的生產了，才開始進入後面的光刻機的正題。
前面這一步中，有三家廠商參與，這三家廠商是深度綁架的，一家是ASML，一家是德國Ditzingen的TRUMPF公司，它是目前唯一能夠持續產生40千瓦功率的二氧化碳雷射，最終得到200瓦的極紫外線的廠商，與ASML是深度捆綁的。
第三家公司是卡爾蔡司，它提供的是布拉格反射器，也是全球唯一一家能夠實現對極紫外線進行控制的廠商，與ASML也是深度捆綁的。
所以說，別說EUV光刻機，光前面生產出極紫外線的過程，就已經難倒了市面上絕大部分廠商，更別說後面的光刻機了，所以這也是EUV光刻機目前只有ASML能生產的原因。