1nm光刻機要來了!

2021-01-19 中國半導體論壇

 

中國半導體論壇 振興國產半導體產業！

   　

12月1日，據日媒報導，比利時半導體研究機構 IMEC的CEO兼總裁Luc Van den hove在日本東京ITF論壇上透露，通過與 ASML的緊密合作將下一代高解析度EUV技術進行了商業化。

Luc Van den hove並公布了3nm及以下製程的微縮層面技術細節。截至目前，ASML 已經布局了 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未來發展路線規劃。

根據先前晶圓大工大廠臺積電和三星電子介紹，從 7nm製程技術開始，部分製程技術已經推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光設備，5nm製程技術也達成了頻率的提升，但對於2nm以下的超精細製程技術，則還是需要能夠達成更高的解析度和更高 NA （NA=0.55） 的曝光設備。

對此，目前 ASML 也已經完成了做為 NXE:5000 系列的高 NA EUV 曝光設備的基本設計，但商業化的時間則是預計最快在 2022 年左右。

該報導指出，包括日本在內的許多半導體公司已經退出了微縮化工藝，聲稱摩爾定律已經走到了盡頭，或者稱它成本過高且無利可圖。

但ASML過去一直與IMEC密切合作開發光刻技術，但為了開發使用高 NA EUV 曝光設備，ASML在IMEC的園區內成立了新的「IMEC-ASML 高 NA EUV 實驗室」，以共同開發和使用高 NA EUV 曝光設備的相關技術。

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  • 1納米EUV光刻機要來了!
    imec執行長兼總裁Luc Van den hove做了主題演講，概述了該公司的研究，該公司和ASML密切合作，共同開發了下一代高解析度EUV光刻技術，即High NA EUV。他強調說，通過將光刻技術投入實際使用，摩爾定律將不會終止，並且該工藝將繼續改進到1 nm或更小。
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    但是由於生產先進的7nm甚至是5nm工藝製程的晶片，需要用到荷蘭ASML的EUV光刻機 。但是荷蘭ASML公司的三大股東卻是英特爾、三星和臺積電，他們三家享有優先提貨權，而且需要用到美國的技術。相比之下，中國目前最好的的光刻機廠商，是上海微電子公司，他們的90納米光刻機已經量產，而28納米的光刻機正在緊張攻克中，預計年底拿出樣機。不過我們也不是什麼設備都被」卡脖子「。這裡就要提到晶片生產過程中，重要性僅次於光刻機的設備：蝕刻機。
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    按照目前國家的科技，造一臺全球先進的光刻機要多少年？長知識了光刻機是一個附在精密的儀器。從它的出現到發展，我們能夠清晰地看見人類智慧在其中的凝結和高光時刻。不過就是這樣的一個關鍵性技術咱們國家卻不具備，以至於現在受制於美國的制裁導致中國的高端晶片產業遭受很大的打擊。
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    打開APP 90nm國產光刻機對比5nm ASML光刻機，差距很大 佚名 發表於 2020-04-13 17:22:30 那麼這個水平和ASML相比如何呢，ASML早在2018年就將其光刻機賣給三星和臺積電大規模量產7nm高端晶片，臺積電錶示現在已經開始試產5nm晶片，今年下半年大規模量產。經過對比，可以微電子光刻機技術與世界先進水平的ASML光刻機還有很大的差距，至少25年。
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  • ASML已基本完成1nm晶片的EUV光刻機設計
    在論壇上，與荷蘭商半導體大廠艾司摩爾 （ASML） 合作研發半導體光刻機的比利時半導體研究機構 IMEC 正式公布了 3 納米及以下工藝的在微縮層面的相關技術細節。x9IEETC-電子工程專輯根據其所公布的內容來分析，ASML 對於 3 納米、2 納米、1.5 納米、1 納米，甚至是小於 1 納米的工藝都做了清楚的發展規劃，代表著 ASML 基本上已經能開發 1 納米工藝的光刻設備了。
  • ASML基本設計完成1nm光刻機
    例如我們常說的EUV「極紫外光刻」技術，使用它生產的5nm晶片——例如華為麒麟9000、蘋果M1以及三星Exynos 1080，他們是目前消費級晶片領域的第一梯隊。但由於承載材料、生產工藝的限制，摩爾定律存在著物理上的「極限」，近年來摩爾定律的達成間隔一度延長也被視為達到極限的前兆。
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    他表示，IMEC在與ASML的緊密協作之下，成功實現高NA EUV光刻技術商業化，此為下一代高解析度EUV光刻技術。 同時，IMEC還展示了3nm、2nm、1.5nm與1nm以下的小型化線路圖。
  • 瑞士ASML已完成可製造1nm晶片的光刻機設計
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  • 網曝ASML(阿斯麥)已基本完成 1nm 光刻機設計
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