1nm光刻機!荷蘭科技巨頭傳來新消息,臺積電「喜從天降」

2020-12-06 騰訊網

如今，晶片製程工藝已經來到了5nm，而三星、臺積電還在繼續向著更高製程的3nm與2nm推進。但是，受到摩爾定律影響，想要繼續向前推進，難度將翻倍提升。

如今有不少半導體公司認為，摩爾定律已經走到了盡頭，或因成本成本太高，而放棄了工藝小型化。不過，身為全球第一大光刻機巨頭的ASML，卻沒有停下前進的腳步。

11月18日，IMEC公司執行長Luc Van den hove帶來了一個振奮人心的消息。他表示，IMEC在與ASML的緊密協作之下，成功實現高NA EUV光刻技術商業化，此為下一代高解析度EUV光刻技術。

同時，IMEC還展示了3nm、2nm、1.5nm與1nm以下的小型化線路圖。

IMEC還表示，作為NXE:5000系列的高NA（NA=0.55）EUV曝光系統的基本設計，ASML已經完成，到2022年時其將啟動商業化計劃。

目前EUV光刻機的NA=0.33，而2nm以後則需要NA=0.55。這表示，ASML的更高精度光刻機有了重大進展。

與當前光刻機相比，下一代光刻系統將會十分巨大，這是因為其光學系統將會更大。

通過IMEC執行長的介紹來看，ASML對下一代光刻機已經有了完善的規劃，1nm，甚至亞1nm光刻機離眾人已經越來越近。

ASML的這一好消息，對正在努力攻克更高精度晶片的臺積電來說，可謂是「喜從天降」。

在2020世界半導體大會上，臺積電南京公司總經理羅鎮球表態，臺積電將繼續推進晶片製程工藝，就算是到1nm，摩爾定律仍將適用。

而ASML光刻機的突破，將助臺積電一臂之力。

根據臺積電當前規劃，其將在2022年實現3nm晶片量產。而在2024年時，則要實現2nm晶片的量產。

如今，臺積電2nm製程已經有了重大突破。據悉，臺積電2nm將採用GAA技術，GAA的柵極對溝道的四面進行包裹，從而令源極和漏極不再和基底接觸。

GAA有著性能強、功耗更低的優勢，不過，其也將帶來成本的提高。據悉，5nm工藝成本為4.76億美元，而3nm GAA成本則將突破5億美元。

最終，臺積電能否克服重重困難，成功將工藝節點推進至2nm，十分值得期待。

如今，臺積電與三星之間的競爭尤為激烈。三星為超越臺積電，坐上老大的位置，可謂是卯足了勁，但臺積電也不甘落後。當前，二者的競爭十分膠著，最終，誰能贏得先機，十分令人期待。

文/BU 審核/子揚 校對/知秋

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