ASML已完成1nm光刻機設計 摩爾定律再次重新起效

2020-12-03 中關村在線

想想幾年前的全球半導體晶片市場，真的可謂哀嚎一片，一時間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天，我們不僅看到5nm工藝如期而至，臺積電宣布2nm獲得重大進展，就連光刻機的老大ASML也傳來捷報，全球最先進的1nm EUV光刻機業已完成設計。

ASML已完成1nm光刻機設計

近日，與ASML（阿斯麥）合作研發光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下製程的在微縮層面技術細節。具體來看，ASML對於3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規劃，且1nm時代的光刻機體積將增大不少。

顯然，1nm光刻機需要更強大的物理極性，2nm之後需要更高解析度的曝光設備。目前已經投入量產的7nm、5nm工藝已經引入了0.33NA的EUV曝光設備，而ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計，預計在2022年實現商業化。

很高興看到摩爾定律又起效了！

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    在論壇上，與荷蘭商半導體大廠艾司摩爾 （ASML） 合作研發半導體光刻機的比利時半導體研究機構 IMEC 正式公布了 3 納米及以下工藝的在微縮層面的相關技術細節。x9IEETC-電子工程專輯根據其所公布的內容來分析，ASML 對於 3 納米、2 納米、1.5 納米、1 納米，甚至是小於 1 納米的工藝都做了清楚的發展規劃，代表著 ASML 基本上已經能開發 1 納米工藝的光刻設備了。
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    ASML突破1nm光刻機目前世界上等級最高，技術最尖端的光刻機設備是EUV光刻機。這類光刻機用波長在10到14nm的極紫外光作為光源，幾乎每一個EUV光刻機的零部件都至關重要。甚至有的零部件想要調試完成，需要經過上百萬次的試驗，花費十年時間也不為過。
  • ASML新動態: 1nm光刻機都已經來了嗎?
    ASML已完成1nm晶片EUV光刻機設計，並加強與臺積電和三星的合作ASML對中國大陸市場出口持開放態度，EUV等出口許可證半導體光刻與刻蝕論壇2020將於2020年12月30-31日上海召開，光刻產業鏈國際動態與國產化發展機遇將是重要內容。
  • 中科院5nm光刻技術研發成功,但有人卻不看好,這是為什麼?
    而我國之所以沒法製造出自己高端的晶片，最核心的一個零部件就是光刻機，目前國自主研發的光刻機跟國際頂尖水平還是有很大的差距的。當前我國真正量產的光刻機只有90納米，雖然28納米光刻機已經取得技術性的突破，預計2021年年底會量產，但跟國際最頂尖的asml的7納米EUV光刻機仍然有很大的差距，這種差距短期之內是不可能彌補的。
  • 1納米EUV光刻機要來了!
    imec執行長兼總裁Luc Van den hove做了主題演講，概述了該公司的研究，該公司和ASML密切合作，共同開發了下一代高解析度EUV光刻技術，即High NA EUV。他強調說，通過將光刻技術投入實際使用，摩爾定律將不會終止，並且該工藝將繼續改進到1 nm或更小。
  • 摩爾定律不死!傳ASML已開始設計1nm製程EUV光刻機
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  • 1nm光刻機!荷蘭科技巨頭傳來新消息,臺積電「喜從天降」
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