國外設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構 將有助於提高MicroLED顯示...
2020-12-06 電子發燒友國外設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構 將有助於提高MicroLED顯示器的效率
發表於 2019-03-13 15:58:00
美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構，有助於提高Micro LED顯示器的效率。
羅徹斯特理工學院的馬修（Matthew Hartensveld）和張敬（音譯，Jing Zhang）在 IEEE Electron Device Letter期刊上發表了一項研究，描述了他們將納米線氮化鎵場效電晶體（field-effect transistors簡稱「FETs」）和氮化銦鎵LED集成在一起的方法。在這個有創意的新結構中，電晶體被放置在LED下面以實現控制和調光。
據悉，研究員通過結合電晶體和LED，創造出一個緊湊的結構，且製造過程簡易。在改善Micro LED顯示器發展方面，這個新設計的結構是一個性價比更高的選擇。
研究表明，新結構中，一個區域可放置更多的LED，因此，像素密度和解析度皆更高。由於像素尺寸變小，像素密度變大，這對於發展Micro LED顯示器有很大的幫助。
但是，目前垂直設計的局限性在於關閉LED需要一個負電壓，對此，研究者正在努力改進中。
打開APP閱讀更多精彩內容
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴
相關焦點
-
新發現:垂直集成氮化鎵LED助力發展Micro LED顯示器
美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵 -
玻璃基板:LED顯示的下一個焦點
mini-led技術，每個LED顆粒的體積都更小，封裝、焊接結構也更小，顯然也就更適合於「直下式」超薄設計。 但是，在滿足mini-led背光進一步升級的設計中，mini-led技術帶來了「更高的熱量密集度」，對產品散熱需求更高。 -
韓國為柔性垂直藍色薄膜Micro LED開發了一種低成本的生產方法
打開APP 韓國為柔性垂直藍色薄膜Micro LED開發了一種低成本的生產方法 李倩 發表於 2018-06-21 09:36:13 -
2020 Mini/Micro LED顯示大事記!
藍寶石納米膜可實現更高效率的Micro LED SNU的材料科學和工程系團隊設計出一種藍寶石納米薄膜陣列，用於生長尺寸為4μm × 16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經過等離子蝕刻工藝就能夠實現Micro LED晶片的單片化，提供更高的外量子效率。 -
黑科技氮化鎵異質集成晶片問世
2020年7月，西安電子科技大學微電子學院關於矽與氮化鎵異質集成晶片論文在國際半導體器件權威期刊《Semiconductor Today》指出：中國西安電子科技大學研究團隊研發的「轉印與自對準刻蝕技術」有效地實現了晶圓級的異質集成，有望將多種不同的功能材料如矽、氮化鎵等集成在晶圓級的單片上，以此為基礎製造的器件及集成電路理論上具有更加多樣強大的功能與更高的集成度。 -
研究揭示一種實現氮化鎵高空穴遷移率的途徑
(a)(b)分別是在雙向拉伸和擠壓時氮化鎵的GW方法準粒子帶結構的變化。能級已與導帶底和價帶頂對齊。(c)對於纖鋅礦型結構氮化鎵，在未變形以及在2%雙向拉伸和2%雙向擠壓時，分別在Γ處的價帶頂處的電子波函數。(d)晶體場分裂Δcf與應變的關係，以及(e)對應的300 K溫度下空穴霍爾遷移率。（f）纖鋅礦型結構氮化鎵中隨溫度變化的空穴遷移率是雙向應變的函數。 -
全垂直結構Mini LED RGB顯示方案的三大關鍵詞
由於正負極在物理空間的距離較大，即使假設發生金屬離子遷移後，垂直晶片燈珠壽命會比水平晶片高4倍以上，極大地提高了產品的可靠性和穩定性。二是垂直結構的藍綠晶片表面為全惰性金屬電極Ti/Pt/Au，較難發生金屬遷移，主要性能與紅光垂直晶片一樣，而水平晶片電極材料使用ITO/Cr/Al，這些材料活性較強，極容易發生金屬遷移。 -
是時候採用氮化鎵功率器件設計DC/DC轉換器了
打開APP 是時候採用氮化鎵功率器件設計DC/DC轉換器了 發表於 2019-03-14 17:05:39 功率半導體是高效電源轉換的重要組成部分 -
韓KAIST研發低成本Micro LED生產方法
近日據國外媒體報導 -
LED行業的2019
臺灣交通大學與廈門大學、SIJ Technology Inc公司合作，開發出單片式集成RGB Micro LED元件。該研究成果展示了無須巨量轉移技術就能實現全彩顯示的Micro LED概念。4月據外媒報導，莫斯科物理技術學院研究人員發現，大多數已知的半導體可用於構建能夠進行超級注射的同質結構，可為高效藍光、紫光、紫外和白光LED以及光學無線通信（Li-Fi）光源等的設計開闢全新途徑。 -
未來5年,氮化鎵襯底引領LED襯底發展潮流
未來5年，氮化鎵的價格將下降10～20倍，4～6寸進入市場 現在LED盛行的風潮下，氮化鎵作為半導體發光二極體應用於LED照明也已經在中國發展得風起雲湧。氮化鎵襯底上的同質外延與藍寶石襯底上的異質外延，單從技術角度上講，異質外延缺陷密度比同質外延的氮化鎵高出2～3個數量級；氮化鎵具有導電的特點，可以做成垂直結構的晶片，這樣，外延片的利用面積比藍寶石的提高1.5倍；做成垂直結構之後，氮化鎵上電流密度可以很高，期望一個氮化鎵襯底上的晶片可以抵十個藍寶石襯底上的晶片。 -
micro led技術原理及簡介(microled功能特性和優勢及發展前景)
micro led技術原理 MicroLEDDisplay的顯示原理，是將LED結構設計進行薄膜化、微小化、MicroLED陣列經由垂直交錯的正、負柵狀電極連結每一顆MicroLED的正、負極，透過電極線的依序通電，透過掃描方式點亮MicroLED以顯示影像。 -
氮化鎵充電器如何設計 看完這12款拆解秒懂
採用PI InnoGaN一體化晶片SC1933C，大大簡化充電器設計，同時得益於其高頻高效的特性，所以30W的輸出功率也無需輔助散熱，進一步節約了空間。輸出採用同步整流，減低溫度提高效率，電路板內層大面積敷銅，幫助導熱和散熱。產品的用料講究、設計巧妙、做工精細，滿滿黑科技。 -
GaN(氮化鎵)將推動電源解決方案的進步
GaN的高頻操作特性可以在保持高效率的同時提高性能。GaN器件使用的是一種適合於現有矽製造流程的矽上氮化鎵(GaN-on-Si) 工藝。如果尺寸更為小巧的GaN器件能夠實現同樣的電流功能，那麼最終GaN電晶體就會和矽材料電晶體具有同樣性價比。這將增大GaN器件對於大型工業設備到最小型手持類設備等各類系統的吸引力。 -
2019全球Micro LED熱點事件盤點
【Micro LED 2019年技術突破】 1.垂直集成氮化鎵LED助力發展Micro LED顯示器 美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構，有助於提高Micro LED顯示器的效率。 -
氮化鎵全產業鏈分析
2、GaN器件逐步步入成熟階段 氮化鎵技術可以追溯到1970年代，美國無線電公司(RCA)開發了一種氮化鎵工藝來製造LED。在Cascode結構中，Cascode耗盡模式GaN開關與矽MOSFET串聯使用常開耗盡模式GaN HEMT。矽MOSFET控制開關中的氮化鎵HEMT的開關，因此可以使用標準的MOSFET柵驅動器，併集成了GaN HEMT和相關的GaN門驅動電路的部件也可使用。 -
...mm 和 300 mm 矽基氮化鎵外延片,將 microLED 應用於矽產業領域
這對於 microLED 應用而言尤其如此，它將來自 CMOS 生產線的晶片與 LED 外延片集成（如通過粘合）。對比藍寶石基氮化鎵 （GaN－on－sapphire） 實現的更小直徑，匹配的晶片直徑甚至還起到了促進作用。 -
LED行業的2019 - 同花順財經
臺灣交通大學與廈門大學、SIJ Technology Inc公司合作，開發出單片式集成RGB Micro LED元件。該研究成果展示了無須巨量轉移技術就能實現全彩顯示的Micro LED概念。賓夕法尼亞州立大學博士生陳長江(音譯)及其同事利用納米級3D列印技術在其他傳統LED的表面上創建了微觀的不對稱金字塔陣列，能夠使LED的光提取效率高達90%。 -
led摺疊屏拆解詳解,led摺疊屏內部結構介紹
打開APP led摺疊屏拆解詳解,led摺疊屏內部結構介紹 周碧俊 發表於 2018-07-23 16:37:00 led顯示屏應用產品系列眾多單品中 -
Porotech推出全球首款紅色氮化鎵microLED外延晶片
劍橋大學的衍生公司Porotech日前推出了一種用於microLED應用的原生紅色氮化鎵（GaN） LED外延晶片。該公司表示，這是業界首款商用紅色氮化鎵外延晶片。這些材料顯示出隨著LED間距減小（由於其較大的載流子擴散長度和較高的表面複合速度）而導致的效率急劇下降，此外，混合型磷化鋁銦鎵和氮化鎵RGB器件更是難以驅動。這就是為什麼用氮化鎵材料生產紅色LED更有優勢的原因。