-
...mm 和 300 mm 矽基氮化鎵外延片,將 microLED 應用於矽產業領域
近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題並應對 microLED 生產產量方面的挑戰,ALLOS 應用其獨特的應變工程技術,展示了 200 mm 矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重複性。此外,公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發展藍圖。
-
全球首款!這家公司推出商業化的InGaN紅光Micro LED外延
全球首款!這家公司推出商業化的InGaN紅光Micro LED外延 慧聰LED屏網報導 從劍橋大學分拆的公司Porotech宣布推出基於其獨特GaN生產技術的首款產品,也是全球首款商業化的用於Micro LED應用的原生紅光LED外延。
-
國產品牌異軍突起:首款內置「中國芯」氮化鎵快充產品上市!
今日,充電頭網從業界獲悉,知名3C配件品牌ROCK(洛克)發布了首款內置「中國芯」氮化鎵快充充電器,該款充電器具有體積小巧、高效率、發熱低等特點。其中這顆「中國芯」來自英諾賽科的「InnoGaN」系列功率晶片,這標誌著「中國芯」氮化鎵正式應用於消費類電源產品,打響了「中國芯」氮化鎵快充商用的第一槍,引發業內人士高度關注。
-
解析碳化矽外延材料產業鏈
目前碳化矽和氮化鎵這兩種晶片,如果想最大程度利用其材料本身的特性,較為理想的方案便是在碳化矽單晶襯底上生長外延層。 碳化矽外延片,是指在碳化矽襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜(外延層)的碳化矽片。
-
中國華延芯光訂購愛思強CRIUS® II-L系統用於生產氮化物LED晶片
愛思強股份有限公司今日宣布,中國領先的晶片材料製造商華延芯光
-
長不大的「氮化鎵單晶」
氮化鎵過人之處很多,其中一個很經典的應用案例便是:以氮化鎵為襯底可以生長出高質量的氮化鎵外延片,其內部缺陷密度可以降到以藍寶石為襯底的外延片的千分之一,可以有效的降低LED的結溫,讓單位面積亮度提升10倍以上。
-
三代半導體——氮化鎵
由於反應時間長,速度慢,反應副產物多,設備要求苛刻,技術異常複雜,產能極低,導致氮化鎵單晶材料極其難得,因此2英寸售價便高達2萬多。商業場景中,更多使用氮化鎵異質外延片。什麼叫氮化鎵異質外延片?在氮化鎵單晶襯底上長氮化鎵外延層我們稱為同質外延,在其他襯底材料上長氮化鎵我們稱為異質外延片。目前包括藍寶石,碳化矽,矽等是氮化鎵外延片主流的異質襯底材料。
-
【融資】華為哈勃投資碳化矽外延晶片供應商瀚天天成,認繳出資額超...
【融資】華為哈勃投資碳化矽外延晶片供應商瀚天天成,認繳出資額超977萬元;萬業企業旗下凱世通集成電路離子注入機,多款型號設備獲得訂單;2025年全球AI晶片市場規模將達700億美元
-
深度剖析第三代半導體材料氮化鎵市場現狀
具體來看,氮化鎵產業鏈與碳化矽產業鏈環節無較大差別,同樣分為襯底、外延片和器件環節。儘管碳化矽被更多地作為襯底材料,但國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業,主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等;從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華、英諾賽科等;從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。
-
氮化鎵大規模商用加速 GaN產業鏈迎機遇
來源:證券時報網近期,華為65W超級快充GaN(氮化鎵)充電器外觀、參數和包裝陸續曝光,預示開售日期臨近。華為9月發布的下半年旗艦Mate40系列預計也將支持65W超級快充。7月,聯想發布的拯救者電競手機將採用90W快充技術,再度刷新量產商用充電功率紀錄。
-
未來5年,氮化鎵襯底引領LED襯底發展潮流
目前,LED襯底類別包括藍寶石、碳化矽、矽以及被稱為第三代半導體材料的氮化鎵。 與傳統襯底材料相比,氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越特性,是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。時至今日,氮化鎵襯底相對於藍寶石、碳化矽等襯底的性能優勢顯而易見,最大難題在於價格過高。
-
MicroLED紅光領域將成為未來Micro LED產業化的關鍵助力
近日,外媒有消息稱,從劍橋大學分拆的公司Porotech宣布推出基於其獨特GaN生產技術的首款產品,也是全球首款商業化的用於Micro LED應用的原生紅光LED外延。 傳統的紅光LED主要基於AlInGaP材料。由於載流子擴散長度大和表面複合速度高,隨著器件尺寸的減小,它們的效率急劇下降。
-
小米帶火的氮化鎵 是風口還是炒作?
其實全球首家採用氮化鎵(GaN)充電器的廠家是OPPO在19年11月發布RenoAce手機搭載的65W快充,在提升充電效率的同時減小體積。不過OPPO可能只顧著打廣告:「充電5分鐘,通話兩小時」,沒做科普,也沒引起較大關注度。同時,在今年的CES2020上,包括Anker在內的30家廠商推出了66款氮化鎵快充產品,但是由於技術、良率等問題,價格相對昂貴。
-
LED晶圓(外延)的生長製程
今天來探討LED晶圓的生長製程,早期在小積體電路時代,每一個6英寸的晶圓上製作數以千計的晶粒,現在次微米線寬的大型VLSI,每一個8英寸的晶圓上也只能完成一兩百個大型晶片晶片, 圓片,是半導體元件"晶粒"或"晶片"的基材,從拉伸長出的高純度矽元素晶柱 (Crystal Ingot)上,所切下之圓形薄片稱為晶圓(外延片)。
-
一文讀懂氮化鎵雷射器
《中國雷射》為紀念雷射器誕辰60周年,今年特推出系列專題。劉建平教授課題組應邀撰寫文章「高功率氮化鎵基藍光雷射器」發表於「半導體雷射器」專題,已於2020年7月出版,並受邀撰寫此篇科普文章。雷射器是20世紀四大發明之一,半導體雷射器是採用半導體晶片加工工藝製備的雷射器,具有體積小、成本低、壽命長等優勢,是應用最多的雷射器類別。
-
中微公司產品篇:突破5NM先進產能,MOCVD設備全球第一
值得注意的是,中微公司另一大業務MOCVD設備在2018年下半年,已經佔據了全球新增氮化鎵基LED MOCVD設備市場的60%以上,細分領域市場佔率全球第一。 著重強調一下,MOCVD設備作為LED製造中最重要的設備,其採購金額一般佔LED生產線總投入一半以上,綜合行業整體而言,中微公司業績增量確定性較強。
-
在氮化鎵中利用光電化學蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展
打開APP 在氮化鎵中利用光電化學蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展 李倩 發表於 2018-09-05 16:12:25 日本SCIOCS有限公司和法政大學曾報導了在氮化鎵(GaN)中利用光電化學(PEC)蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展[Fumimasa Horikiri et al, Appl.