日本電子推出新一代場發射電子探針顯微分析儀JXA-8530FPlus

　　2017年1月5日，日本電子株式會社(董事長兼總裁 慄原權右衛門)宣布發布新一代肖特基場發射電子探針顯微分析儀(EPMA)JXA-8530FPlus。

　　搭配場發射 (FE) 電子槍的電子探針顯微分析儀( EPMA)是日本電子的特色。自2003年推出世界首臺商業化的場發射電子探針顯微分析儀(FE-EPMA)以來，備受讚譽的FE-EPMA就一直在金屬、材料、地質行業及學術研究等領域有所應用。

　　作為第三代FE-EPMA，JXA-8530F在繼承了JXA-8500F強力硬體(包括 FE 電子槍、電子光學系統和真空系統)的基礎上，通過改進電子光學系統增強了分析和成像功能。儀器採用電腦操作進行數據的採集和分析，實現了微區分析。友好的PC控制操作環境，使得在極高的放大倍數下能夠便利地進行快速、便捷的分析。

　　主要特徵

　　肖特基熱場發射電子探針Plus版本

　　肖特基熱場發射電子探針Plus版本優化了角電流密度,允許對2μA或更高的探針電流進行分析，甚至在通過自動調整為正確收斂角的分析條件下，保證得到的二次電子圖像已得到改進。

　　先進的軟體

　　基於先進Microsoft Windows®的高級應用系統，包括

　　1)跟蹤元素分析程序：通過添加5個光譜儀的收集來的數據來優化分析微量元素;

　　2)基於主要成分自動化的創建階段圖像;

　　3)自動化非平坦表面分析程序WDS可對不規則表面樣品進行分析。

　　靈活的WDS配置

　　可以選擇各種x射線光譜儀(WDS):羅蘭圓半徑的140毫米(140 r)或140毫米(100 r),2水晶或4水晶配置和標準或大尺寸晶體的混合體。

　　XCE(2 xtl) X射線光譜儀,FCS(4 xtl)X射線光譜儀和L(大2 xtl)x射線光譜儀140 r寬光譜範圍,提供優越的波長解析度和峰背比率。

　　100 r的H型x射線光譜儀提供高x射線強度。用戶可以選擇從這些光譜儀取決於需求。

　　組合WDS/EDS系統

　　JXA-8530FPlus附帶JEOL 30 mm2矽漂移探測器(SDD)。高計數率SDD以及一個原位可變孔徑可以EDS分析改進算法的條件。EDS光譜、地圖和線掃描和改進算法可以同時獲得數據。

　　多功能室

　　jxa-8530 fplus配有大量可擴展樣品室,樣品室交換,使您能夠集成各種可選附件室。包括:

　　電子背散射衍射系統(EBSD)

　　陰極發光檢測器(全色、單色、彩色高光譜)

　　軟x射線發射光譜儀

　　空氣分離器

　　高蝕刻率離子源

　　強大清潔的真空系統

　　JXA-8530FPlus採用一個強大的、清潔的真空系統,包括兩條磁懸浮渦輪高真空泵。此外,提供了一個雙階段電子光學列的中間室,從而維持高真空電子槍腔內的微分抽水。添加可選的滾動泵和液氮創建最終的無油真空系統。

　　軟x射線發射光譜儀(sx)

　　超高能量解析度軟x射線發射光譜儀是由先進材料多學科研究所，日本東北大學和日本電子有限公司等聯合開發。可變線距(VLS)光柵可以同時檢測(EDS),並允許檢測Li-K常數與高靈敏度CCD光譜。這種光譜儀達到非常高的能量解析度,支持詳細化學鍵的狀態分析。

　　顯微鏡使用 (相關顯微鏡)

　　通過x,y軸的坐標，可以把光學顯微鏡鎖定在你感興趣的位置，記錄並轉換成電子探針來對所選位置進行成像和分析。

　　主要參數

元素分析範圍	WDS:（Be）B to U,EDS:B to U
X射線範圍	WDS譜：0.087-9.3nm,EDS能譜：20keV
X射線光譜儀數量	WDS：1-5可選,EDS：1
樣品最大尺寸	100mm*100mm*50mm(H)
加速電壓	1-30Kv(每次0.1Kv)
探針電流穩定性	±0.3%/h(10kV，50nA)
二次電子圖像解析度	3 nm at WD 11 mm, 30 kV
	20 nm at 10 kV, 10 nA, WD 11 mm 50 nm at 10 kV, 100 nA, WD 11 mm
放大倍數	×40 to ×300,000 (WD 11 mm)
掃描圖像像素解析度	最高5,120 ×   3,840

　　計劃銷售數量

　　35臺/年(第一年)