中微發布業界首創介質刻蝕及除膠一體機

2020-12-05 電子產品世界

　　中微半導體設備有限公司(簡稱「中微」)今日發布 Primo iDEA(TM) (「雙反應臺介質刻蝕除膠一體機」)-- 這是業界首次將雙反應臺介質等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應腔整合在同一個平臺上。Primo iDEA(TM) 主要針對2X納米及更先進的刻蝕工藝，運用中微已被業界認可的 D-RIE 刻蝕技術和 Primo 平臺，避免了因等離子體直接接觸晶片引發的器件損傷(PID)，提高了工藝的靈活性，減少了生產成本，提高了生產效率並使佔用生產空間更優化。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/249502.htm

　　中微介質刻蝕及除膠一體機Primo iDEA (TM)

　　對於2X納米及更先進刻蝕工藝的晶片來說，它們對表面電荷的積累極其敏感，並且面臨著PID帶來的潛在風險。Primo iDEA?可將4個等離子體反應臺和2臺非接觸等離子體除膠反應器整合在同一臺設備中，能夠替代原來需要2臺等離子體刻蝕機、1臺除膠器、1臺溼法清洗器等4個機臺所加工的後端過程。這一獨特的整合方法使工藝步驟得到了優化，從而避免了因等離子體接觸引發的的器件損傷。此外，這一方法還大大提高了產量，減少了生產成本，並最大程度上減少了機臺的佔地面積。Primo iDEA?同時擁有等離子體刻蝕和非接觸的等離子體源除膠功能(DSA)，是大批量生產較複雜的極小尺寸晶片中集成多步製程的最佳選擇。

　　「Primo iDEA?目前已有多臺進入先進的晶片生產線，並已證明在避免等離子體接觸器件帶來的損害上表現優異，同時又減少了所需機臺的數量。」中微副總裁兼CCP刻蝕產品事業群總經理麥仕義說，「採用 Primo iDEA(TM) 之後，客戶能夠節省20%的生產成本，並獲得更高的生產效率。對於某一特定的後端製程來說，客戶過去需要5道工序在多種機臺上完成，現在只需3道工序在一臺設備上完成，總體上節省了50%的工藝加工時間。」

　　中微於2004年領先開發了具有獨立自主智慧財產權的等離子體刻蝕技術。該技術具有甚高頻等離子體源和低頻偏置等離子體源，能夠獨立控制離子密度和能量，並確保晶片加工高重複性。結合中微具有獨立自主智慧財產權的離子控制技術，它們能夠共同提高晶片加工的穩定性，並進一步擴大工藝窗口。Primo iDEA(TM) 使用的除膠配套系統採用了性價比較高的雙反應臺腔體設計和非接觸等離子體源。頂置的等離子體源所產生的活性反應物質，能均勻地傳送到晶圓表面移除光刻膠，這一過程中等離子體並不會直接接觸晶圓表面，這就減少了器件損傷(PID)的風險。

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