《科創板日報》（上海，記者 吳凡）訊，10月9日晚，中微公司（688012.SH）公告稱，其向特定對象發行A股股票申請獲得上交所的受理。
今年8月29日，中微公司披露定增預案，擬向不超過35名符合證監會規定條件的特定投資者發行股票數量不超過本次發行前公司總股本的15%，即本次發行不超過80229335股。擬募資金額不超過100億元，分別投向中微產業化基地建設、中微臨港總部和研發中心以及科技儲備資金。
《科創板日報》記者注意到，中微公司10月9日披露的定增申報稿中，未對預案中的募集資金及募投項目進行調整，並且發行對象仍未確定。
根據《上海證券交易所科創板上市公司證券發行承銷實施細則》，適用一般程序的向特定對象發行股票的，董事會可以決議確定全部發行對象，也可以決議確定部分發行對象（其他發行對象可以通過競價方式確定），若董事會決議未確定發行對象的，也可以通過競價方式確定發行價格和發行對象。
中微公司稱，公司暫時也無法確定此次發行是否存在因關聯方認購本次發行的 A 股股票而構成關聯交易的情形。
在募投項目方面，中微產業化基地建設項目擬投資總額為31.77億元，其中，擬投入募集資金31.7億元。該項目預計建設周期為5年，計劃在上海臨港新片區以及南昌市高新區新建生產基地。其中，臨港產業化基地將主要承擔公司產品的產能擴充及新產品的開發和生產工作；南昌產業化基地主要承擔較為成熟產品的大規模量產及部分產品的研發升級工作。
而中微臨港總部和研發中心項目預計總投資額為37.56億元，擬使用募集資金投入37.5億元，建設周期為5年，公司預計於今年11月完成土地招拍掛工作。
值得注意的是，中微臨港總部和研發中心項目將有部分資金用於新產品的研發項目，包括UD-RIE刻蝕設備的開發及應用（存儲 HAR 介質刻蝕工藝）、SD-RIE刻蝕設備的開發及應用（先進位程介質刻蝕工藝）、下一代多晶矽刻蝕設備ICP Nanova+的開發及應用（7/5/3nm 多晶矽刻蝕、3D NAND多層臺階刻蝕、1Znm DRAM前端關鍵刻蝕工藝）、下一代雙頭多晶矽刻蝕設備ICPTwin Star+的開發及應用（14nm 以下雙頭刻蝕、3D NAND多層臺階刻蝕、20nm 以下DRAM 雙頭ICP刻蝕）、ALE原子層刻蝕設備的研發（3nm 及以下）等。
申報稿顯示，作為目前領先的半導體設備國產廠商，中微公司的等離子體刻蝕設備已經可以應用到5納米生產線，並正在驗證5納米以下加工能力。另外公司另一大業務MOCVD設備在2018年下半年，已經佔據了全球新增氮化鎵基LED MOCVD設備市場的 60%以上。
中銀證券此前發布的研報認為，中微公司此次定增的主要目的是提高現有產品產能、豐富公司產品線，並提高產品研發強度，縮小與國際龍頭LamResearch、Applied Materials等研發投入差距。