與鐵磁材料相比,反鐵磁材料中的微觀磁矩產生了取向變化。
在資訊時代,我們需要存儲的信息越來越多,與此同時終端設備越來越小。然而,矽基傳統電子存儲技術正在達到極限。
自旋電子學,特別是反鐵磁材料,為信息存儲提供了另一種選擇:電子不僅可以存儲信息,電子自旋也可以包含磁性信息。這樣的話,同樣的空間可以存儲加倍的信息。
然而,反鐵磁材料是否可以存儲電子信息,一直存在爭議。
eurekalert.org網站8月24日報導,德國約翰尼斯·古騰堡大學(JGU)和日本東北大學的研究人員證實,信息存儲在反鐵磁材料中不僅可行,寫入操作的效率也可以被測定。相關研究成果日前刊登於《物理評論快報》雜誌中。
JGU教授Mathias Kläui's團隊成員Lorenzo Baldrati博士說:「我們證實了在反鐵磁材料中存儲信息的可行性,並有效測定了絕緣反鐵磁材料的寫入效率。」
實驗中,研究人員測試了反鐵磁絕緣材料氧化鈷。他們發現,電流比磁場更有效地操控了反鐵磁材料。
該發現為不能被外部磁場清除的智慧卡、超快計算機等應用開闢了道路。
接下來,研究人員計劃研究反鐵磁材料保存信息的速度,以及支持寫入信息的最小內存值。
編譯:雷鑫宇 審稿:alone 責編:程建蘭
期刊來源:《物理評論快報》
期刊編號:0031-9007
原文連結:https://www.eurekalert.org/pub_releases/2020-08/jgum-sii082420.php
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